[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200410047237.1 | 申请日： | 2004-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN1574388A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 杉山亨;野津哲郎;森塚宏平 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/73;H01L29/205;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种适用于高频放大器的半导体器件，具有：由n型GaAs层构成的集电极接触层、由形成在上述集电极接触层上的n型GaAs层构成的第1集电极层、由形成在上述第1集电极层上的p型GaAs层构成的第2集电极层、由形成在上述第2集电极层上的n型InGaP层构成的第3集电极层、由形成在上述第3集电极层上，杂质浓度比上述第3集电极层高的n型InGaP层构成的第4集电极层、由形成在上述第4集电极层上的n型GaAs层构成的第5集电极层、由形成在上述第5集电极层上的p型GaAs层构成的基极层以及由形成在上述基极层上的n型InGaP层构成的发射极层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，其特征在于具有：由n型GaAs层构成的集电极接触层、由形成在上述集电极接触层上的n型GaAs层构成的第1集电极层、由形成在上述第1集电极层上的P型GaAs层构成的第2集电极层、由形成在上述第2集电极层上的n型InGaP层构成的第3集电极层、由形成在上述第3集电极层上，杂质浓度比上述第3集电极层高的n型InGaP层构成的第4集电极层、由形成在上述第4集电极层上的n型GaAs层构成的第5集电极层、由形成在上述第5集电极层上的P型GaAs层构成的基极层、以及由形成在上述基极层上的n型InGaP层构成的发射极层。
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- 2022-09-20 - 2023-03-24 - H01L29/737
- 本公开整体涉及异质结双极型晶体管(HBT)中的掺杂剂分布控制。在一个示例中，半导体器件结构(100,200)包括半导体衬底(102,202)和HBT。HBT包括集电极区(106,206,306)、基极区(112,212,312)和发射极区(120,220,320)。基极区(112,212,312)设置在集电极区(106,206,306)上或上方。发射极区(120,220,320)设置在基极区(112,212,312)上或上方。基极区(112,212,312)设置在半导体衬底(102,202)上或上方并且包括异质外延子层(1002)。异质外延子层(1002)掺杂有掺杂剂(1006)。掺杂剂(1006)的浓度梯度从邻接和上覆异质外延子层(1002)的层(342)中的区增加到异质外延子层(1002)中的峰值浓度(1020)而在区和峰值浓度(1020)之间不减少。
- 射频功率放大器的散热装置-202211446186.4
- 张毕禅;王显泰;龙海波;王虹;钱永学;孟浩;黄鑫 - 北京昂瑞微电子技术股份有限公司
- 2022-11-18 - 2023-03-21 - H01L29/737
- 本发明提供一种用于无线通信的射频功率放大器的散热装置，包括：第一层金属、第一层金属通孔、发射极金属、集电极金属、背孔电镀金属、导电胶层、第二层金属和第二层金属通孔，其中，第二层金属通孔和第二层金属构成导热顶盖结构，发射极金属通过第一层金属通孔而连接到第一层金属，第一层金属通过第二层金属通孔而连接到第二层金属，并且第一层金属还通过第一层金属通孔而连接到集电极金属，集电极金属与背孔电镀金属连通，并且背孔电镀金属通过导电胶层连接到共地面。
- 包括介电层的腔体内部的基极层的部分的双极结型晶体管-202210954871.1
- S·M·潘迪;J·辛格;J·霍尔特 - 格芯（美国）集成电路科技有限公司
- 2022-08-10 - 2023-03-14 - H01L29/737
- 本发明涉及包括介电层的腔体内部的基极层的部分的双极结型晶体管，揭示用于双极结型晶体管的结构以及形成用于双极结型晶体管的结构的方法。该结构包括具有腔体的介电层、位于该介电层上的第一半导体层、包括位于该第一半导体层上的部分的集电极、包括位于该第一半导体层上的部分的发射极、以及包括位于该腔体中的第一段以及第二段的第二半导体层。该第二半导体层的该第二段横向位于该集电极的该部分与该发射极的该部分间。
- 异质结双极晶体管结构及其形成方法-202211378458.1
- 邹道华;高谷信一郎;黄仁耀;刘昱玮 - 常州承芯半导体有限公司
- 2022-11-04 - 2023-02-24 - H01L29/737
- 一种异质结双极晶体管结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括基底、集电极、初始基极以及初始发射极；在初始发射极上形成发射极电极；以发射极为掩膜，采用干法刻蚀工艺刻蚀初始发射极形成发射极；在初始基极上形成基极电极；对初始基极进行图形化处理形成基极；在集电极上形成集电极电极。由于干法刻蚀工艺不会产生侧向刻蚀的问题，因此可以直接以发射极电极为掩膜对初始发射极进行刻蚀，而且采用干法刻蚀工艺可以省去湿法刻蚀工艺中的刻蚀停止层，不但省去了制程光罩降低制作成本，而且形成的发射极的尺寸与发射极电极的尺寸相同，能够有效提升发射极与发射极电极之间的电传导性和热传导性，进而提升器件结构性能。
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