专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]堆叠式纳米片ROM-CN202180085251.2在审
  • A·雷兹尼克;谢瑞龙;K·巴拉克里希南;B·赫克马特肖尔塔巴里 - 国际商业机器公司
  • 2021-10-19 - 2023-08-25 - H01L27/092
  • 一种半导体器件,包括两个存储器单元的第一纳米片堆叠体以及上部纳米片堆叠体,所述第一纳米片堆叠体包括衬底上的下部纳米片堆叠体,所述下部纳米片堆叠体包括第一功函数金属和半导体沟道材料的交替层,所述交替层彼此竖直对准并叠置,所述上部纳米片堆叠体包括第二功函数金属和半导体沟道材料的交替层,所述交替层彼此竖直对准并叠置,所述上部纳米片堆叠体竖直对准和叠置在所述下部纳米片堆叠体上,其中,包括该下部纳米片堆叠体的两个存储器单元中的第一存储器单元包括第一阈值电压,并且包括该上部纳米片堆叠体的两个存储器单元中的第二存储器单元包括第二阈值电压,其中,所述第一阈值电压不同于所述第二阈值电压。形成包括两个存储器单元的第一纳米片堆叠体的半导体器件。
  • 堆叠纳米rom
  • [发明专利]增强状态双存储器单元-CN202180083346.0在审
  • B·赫克马特肖尔塔巴里;A·雷兹尼克 - 国际商业机器公司
  • 2021-11-23 - 2023-08-08 - G11C11/56
  • 一种电路包括存储器单元。该存储器单元包括第一存储器元件、第二存储器元件、第一晶体管和第二晶体管。第一存储器元件连接到位线。第二存储器元件连接到选择线。第一晶体管连接到第一字线。第二晶体管连接到第二字线。通过将第一写入电压施加到位线、将第二写入电压施加到第二字线、将第一中间电压施加到选择线以及将第二中间电压施加到第一字线来对第一存储器元件进行编程。选择线连接到高阻抗。第一写入电压可以是正电源电压,第二写入电压可以是负电源电压。
  • 增强状态存储器单元

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