“李峰柱”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果19个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置-CN202310871235.7在审
发明人： 李峰柱;项少华;梁程程;王冲 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制备方法、电子装置，所述半导体器件包括：衬底；自下而上形成在所述衬底上的子集电极层、集电极层、基极层和发射极层，所述基极层包括第一基极层和位于所述第一基极层外侧的第二基极层，所述第二基极层的电阻大于所述第一基极层的电阻。本发明形成第二基极层作为基极镇流电阻来补偿发射极‑基极电压降，能够避免由于电流集中效应而导致的热失控，便于控制基极镇流电阻的阻值大小，并且由于基极电流较小，因而能够避免引起半导体器件输出功率和功率附加效率的降低。
一种半导体器件及其制备方法电子装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310865859.8在审
发明人：郑茂波;项少华;李峰柱;张偲 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：衬底和形成于所述衬底上的外延层结构，所述外延层结构包括对应于异质结双极晶体管的第一外延层结构和/或对应于高电子迁移率晶体管的第二外延层结构；非掺杂的隔离结构，形成于所述第一外延层结构或所述第二外延层结构中，以用于隔离所述异质结双极晶体管和/或所述高电子迁移率晶体管。本发明的技术方案能够提高器件之间的隔离效果，且提高器件的稳定性和可靠性。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]垂直腔面发射激光器的制备方法及垂直腔面发射激光器-CN202211690864.1在审
发明人： 李峰柱;王冲 -专利权人：中芯越州集成电路制造（绍兴）有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明涉及一种垂直腔面发射激光器的制备方法及垂直腔面发射激光器。所述方法包括：提供依次层叠的第一导电半导体层和有源层；在有源层上外延生长第一半导体材料，并降低第一半导体材料的电导率以形成电流注入阻隔层；在电流注入阻隔层上刻蚀出具有预设尺寸的电流注入孔，电流注入孔贯穿电流注入阻隔层以暴露出有源层的上表面；在所述电流注入阻隔层上形成电流注入层，所述电流注入层填满电流注入阻隔层的所述电流注入孔；在所述电流注入层上形成第二导电半导体层。本发明所提供的垂直腔面发射激光器的制备方法及垂直腔面发射激光器，提高了VCSEL阵列器件的可靠性。
垂直发射激光器制备方法

[发明专利]一种异质结双极型晶体管及其制作方法-CN202211667878.1在审
发明人： 李峰柱;胡俊杰;王冲;郑茂波 -专利权人：中芯越州集成电路制造（绍兴）有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结双极型晶体管及其制作方法，所述异质结双极型晶体管包括由下至上依次设置的衬底、亚集电区、隧穿结构、集电区、基区、发射区、发射区盖层和欧姆接触层；其中，所述隧穿结构包括交替设置的第一导电类型离子掺杂层和第二导电类型离子掺杂层。根据本发明提供的异质结双极型晶体管及其制作方法，通过在亚集电区和集电区之间形成由交替设置的第一导电类型离子掺杂层和第二导电类型离子掺杂层构成的隧穿结构而不再形成刻蚀停止层，隧穿结电容(Ctj)与集电结电容(Cbc)串联，等效电容减小，提高了器件的性能。
一种异质结双极型晶体管及其制作方法

[发明专利]异质结双极晶体管及其制造方法-CN202211393727.1在审
发明人： 李峰柱;王冲 -专利权人：中芯越州集成电路制造（绍兴）有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明提供一种异质结双极晶体管及其制造方法，在第二导电类型的GaAs基区层上形成了第一导电类型的第1层InGaP发射区层至第m层InGaP发射区层，各层所述InGaP发射区层均含有InyGa1‑yP，且从第1层InGaP发射区层至第m层InGaP发射区层的y逐层降低，m≥3且为整数，由此，使得第1至m层InGaP发射区层整体上与P GaAs基区层的材料之间形成渐变的带隙差，进而有效降低InGaP/GaAs异质结处的势垒尖峰，避免HBT工作时的开启电压Vbe变高，改善器件性能。
异质结双极晶体管及其制造方法

[实用新型]一种聚乙烯管材定位切割装置-CN202122878114.4有效
发明人：谢太金;黄文超;李峰柱 -专利权人：谢太金
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： B26D7/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种聚乙烯管材定位切割装置，涉及聚乙烯管材技术领域，包括底座，所述底座顶部通过支架转动设置左右两个滚筒，支架上方设置从动滚筒；所述底座顶部滚筒右侧设置固定支杆；所述底板上方通过支杆固定设置顶板，所述顶板底部固定设置电动伸缩杆，顶板底部电动伸缩杆右侧设置切割装置，切割装置右侧设置调节抓手装置，所述顶板底部调节抓手装置右侧固定设置第三带座轴承，第三带座轴承之间转动连接第三螺杆，所述第三螺杆穿过第三滑块且与第三滑块螺纹连接，所述第三螺杆右端固定连接旋柄。本实用新型具有快速切割等长聚乙烯管材，解决了需要人工送料、固定和切割管材，切割效率低，切割时因晃动带来切割精度的。
一种聚乙烯管材定位切割装置

[实用新型]一种便于观看反应的生物科学教学用具-CN202121306419.1有效
发明人： 李峰柱 -专利权人： 李峰柱
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G09B5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于观看反应的生物科学教学用具，包括底座，支撑柱顶部连接有顶板，顶板底部连接有竖杆，竖杆底部连接有连接板，连接板顶部开设有放置槽，支撑柱背面连接有连接杆，连接杆背面连接有横杆，横杆正面开设有条形通槽，摄像头侧面连接有滑块，滑块侧面连接有限位块，隔板右侧面连接有滴管放置架，隔板左侧面固定连接有滑槽，滑槽顶部滑动连接有试管放置架，摄像头将拍摄的视频发送至投影仪。该便于观看反应的生物科学教学用具，通过设置有摄像头，摄像头进行拍摄并将拍摄内容传送给投影仪进行投射在大屏幕上，使学生们在座位上就可以清晰的看到反应的现象和变化，有利于教学效果设置有放置箱，便于拿取试管。
一种便于观看反应生物科学教学用具

[实用新型]一种便于记忆的英语教学卡片用具-CN202121306964.0有效
发明人： 李峰柱 -专利权人： 李峰柱
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： G09B19/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于记忆的英语教学卡片用具，包括箱体，箱盖顶部连接有把手，箱体侧面连接有下锁紧块，箱盖侧面连接有上锁紧块，限位板内部设置有隔板，限位板内部滑动连接有滑块，箱体内壁连接有U型块，电推板侧面连接有连接杆，电推板左侧面连接有滑动装置，连接杆侧面连接有推块，推块内部开设有卡片放置槽，箱体左侧面开设有矩形槽，矩形槽顶部设置有限制装置，箱体左侧面开设有条形槽，箱体左侧面设置有开关。该便于记忆的英语教学卡片用具，通矩形板上有夹子，将卡片抽出，将一些未能背诵的单词单独放入卡片放置槽中进行重点背诵，该装置可以对一些难背的单词进行查出和进行强化的背诵，有利于提升背诵效果，提高背诵效率。
一种便于记忆英语教学卡片用具

[外观设计]喷油器座-CN202030785244.1有效
发明人： 李峰柱 -专利权人： 李峰柱
申请日： 2020-12-19 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： 15-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：喷油器座。2.本外观设计产品的用途：用于安装固定喷油器。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
喷油器

[外观设计]移动底座-CN202030786115.4有效
发明人： 李峰柱 -专利权人： 李峰柱
申请日： 2020-12-19 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： 06-06 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：移动底座。2.本外观设计产品的用途：用于相机支架的零配件。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
移动底座

[发明专利]基于柔性衬底的半导体外延结构、VCSEL及制作方法-CN201911017403.6有效
发明人： 李峰柱;田宇;刘潇杰;韩效亚;杜石磊 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本发明提供一种基于柔性衬底的半导体外延结构、VCSEL及制作方法，采用氟金云母作为衬底，既解决了现有半导体衬底不可弯折、不易剥离的问题，又兼顾了半导体器件的温度要求。对于缓冲层，多层第一GaInP缓冲层逐层渐变，呈现阶梯渐变趋势，通过在In组分阶变的相邻两层第一GaInP缓冲层之间插入In组分阶变方向相反的第二GaInP缓冲层，形成In组分波动渐变的结构，从而在缓冲层中引入压缩应力，增加了位错的相互作用，使表面更平滑，并进一步降低了穿透位错，提高了在氟金云母衬底上的外延层质量，实现了氟金云母衬底在半导体器件的运用。VCSEL具有可弯折、易剥离、外延层质量好、出光效率高等优点。
基于柔性衬底半导体外延结构 vcsel 制作方法

[实用新型]一种VCSEL激光器-CN202022069472.6有效
发明人： 李峰柱;韩效亚;杜石磊;罗桂兰 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种VCSEL激光器，通过在所述发光结构的表面构建金属纳米层，使发光结构的表面形成等离激元共振效应，并构建形成拓扑二维光子晶体；当电子和空穴注入该激光器并限制在有源层复合发光，产生的倏逝波耦合到激光器谐振腔并形成有效反馈；同时，金属纳米层周期性结构形成的表面等离激元共振效应，与其构建形成的拓扑二维光子晶体相互配合，使金属纳米层引起的边界反射，只发生在布里渊区中心附近，从而限制了能够获得有效反馈的激光器谐振腔模式数目，使受到有效的光场限制的模式集中在布里渊区中心附近，这些模式在垂直于金属纳米层的方向具有非常大的动量分量，从而与激光器中的光场耦合实现垂直出光。
一种 vcsel 激光器

[实用新型]一种具有石墨烯导电膜的VCSEL-CN202020968389.X有效
发明人：田宇;李峰柱;韩效亚;杜石磊 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种具有石墨烯导电膜的VCSEL，通过在所述外延叠层的裸露面覆盖与所述第一电极形成连接的石墨烯导电膜，且所述石墨烯导电膜包括依次层叠的第一绝缘层、石墨烯薄膜层、第二绝缘层，所述第一绝缘层或第二绝缘层直接层叠于所述外延叠层的裸露面；使载流子均匀扩散并集中在VCSEL芯片的有效发光面积内，从而增加载流子复合，抑制边缘增益，降低高阶模产生的几率。同时，由于载流子分布均匀，在一定程度上降低了焦耳热，从而达到降低阈值、提高增益的效果。其次，其外延叠层通过设置AlxGa(1‑x)As层及GaAs层，使所述第一电极和部分所述石墨烯导电膜层叠于所述GaAs层，以增加横向导电率，并减少第一电极和石墨烯导电膜对光的吸收。
一种具有石墨导电 vcsel

[发明专利]一种VCSEL激光器及其制作方法-CN202010992653.8在审
发明人： 李峰柱;韩效亚;杜石磊;罗桂兰 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种VCSEL激光器及其制作方法，通过在所述发光结构的表面构建金属纳米层，使发光结构的表面形成等离激元共振效应，并构建形成拓扑二维光子晶体；当电子和空穴注入该激光器并限制在有源层复合发光，产生的倏逝波耦合到激光器谐振腔并形成有效反馈；同时，金属纳米层周期性结构形成的表面等离激元共振效应，与其构建形成的拓扑二维光子晶体相互配合，使金属纳米层引起的边界反射，只发生在布里渊区中心附近，从而限制了能够获得有效反馈的激光器谐振腔模式数目，使受到有效的光场限制的模式集中在布里渊区中心附近，这些模式在垂直于金属纳米层的方向具有非常大的动量分量，从而与激光器中的光场耦合实现垂直出光。
一种 vcsel 激光器及其制作方法

[实用新型]一种VCSEL芯片-CN202020272944.5有效
发明人： 李峰柱;田宇;杜石磊;罗桂兰 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种VCSEL芯片，通过在所述衬底表面依次堆叠的N型DBR层、N型波导限制层、量子阱、P型波导限制层、P型氧化界面截止层及P型DBR层；在所述N型DBR层、N型波导限制层、P型波导限制层及P型DBR层的至少一层中设有电流扩展夹层，以提供更好的电流扩展效果和更好地限制光在限制层中传播的电场强度，从而减小VCSEL激光的发散角。通过设置使DBR的反射率大小与所述电流扩展夹层的折射率无关，因此，在不影响DBR的反射率大小的同时，还能更好地实现电流扩展效果及限制光在限制层中传播的电场强度。
一种 vcsel 芯片

1
2
下一页»
尾页
共 19 条