专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]异质结双极晶体管结构及其形成方法-CN202310859897.2有效
  • 邹道华;高谷信一郎;刘昱玮 - 常州承芯半导体有限公司
  • 2023-07-13 - 2023-10-27 - H01L29/423
  • 一种异质结双极晶体管结构及其形成方法,涉及半导体制造技术领域,其结构包括:基底;位于基底上的集电层、基层和发射层;位于发射层上的发射电极;位于集电层上的集电极;基电极,基电极包括若干指部,若干指部分别与基层电连接;钝化结构,钝化结构暴露出发射电极的部分顶部表面、集电极的部分顶部表面、相邻发射层之间的指部的部分顶部表面;互连金属层,互连金属层分别发射电极、指部以及集电极电连接。通过省去了基电极的端部,基层无需为基电极的端部提供放置位置,可以有效减小基层的面积,进而减小基层与集电层之间形成的PN结的面积。由于基层中去除了为基电极的端部提供放置且不能够贡献电流的部分,能够有效提升器件结构的利用效率。
  • 异质结双极晶体管结构及其形成方法
  • [发明专利]带DMA接口的SPI模块验证平台和方法-CN202310846508.2在审
  • 刘昱玮;刘功哲;冯华;冷勇;蒋晓倩 - 上海芯钛信息科技有限公司
  • 2023-07-11 - 2023-10-17 - G06F30/33
  • 本申请涉及一种带DMA接口的SPI模块验证平台和方法。所述验证平台包括:仿真测试顶层文件,用于验证平台的初始化,以及连接验证平台和待测模块DUT,并启动测试用例;基础测试组件,用于创建平台环境以及SPI配置组件,以及提供用于测试用例实用的公用任务;测试用例组件,用于为所述待测模块DUT的功能测试提供测试用例,在所述测试用例中完成所述SPI配置组件的随机化、测试激励产生以及数据包启动与运行,并且调用所述基础测试组件的所述公用任务进行传输数据比较;环境创建组件,用于对AHB验证系统进行组件封装、对AHB验证系统的代理组件进行组件参数配置以及设置SPI代理组件;采用本方法能够提高带DMA接口的SPI模块验证效率。
  • dma接口spi模块验证平台方法
  • [发明专利]一种大数据集数据智能质检方法-CN202311054828.0有效
  • 程越;王双;王淑敏;曹新九;李柏晨;刘昱玮 - 中国标准化研究院
  • 2023-08-22 - 2023-10-13 - G06Q10/0639
  • 本申请公开了一种大数据集数据智能质检方法,针对相关技术中生产工序生成的数据过多,处理难度较大的技术问题,本说明书中的技术方案采用针对工序预设的权重等级对历史数据进行筛选,较大程度的减小了后续步骤中需要处理的历史数据的量。由此得到第一可用数据和第二可用数据,第一可用数据和第二可用数据分别针对不同的工序,可以表示出历史上发生的异常对待检产品可能造成的潜在影响;此外,能够表示出历史上发生的异常在末道工序中的累积情况。也就是说,第一可用数据和第二可用数据能够从不同维度表示出隐患存在的可能性。在第一可用数据和第二可用数据均表明存在隐患的情况下,提供针对待检产品的质检力度,有利于发现质量问题。
  • 一种数据集数智能质检方法
  • [发明专利]一种数据资产数据库录入平台-CN202310773378.4在审
  • 高昂;李柏晨;刘昱玮;程越;王双;万利 - 中国标准化研究院
  • 2023-06-28 - 2023-09-22 - H04N1/00
  • 本发明涉及数据资产数据库录入平台技术领域,公开了一种数据资产数据库录入平台,包括扫描机构和存放机构,所述扫描机构包括工作台、扫描仪、操作面板和底座,所述工作台底端固定连接有所述底座,所述工作台左侧固定连接有所述扫描仪,所述工作台顶端面右侧固定安装有所述操作面板,所述扫描机构安装有用于保密录入的保密机构,所述扫描机构右侧安装有所述存放机构,所述存放机构内侧安装有保密存取的存取机构;通过设置的保密机构,保证客户的私密性,多个操作员扫描录入,使得操作员也无法看到完整的文件,提高文件扫描的安全性,避免机密泄露,且扫描操作简单,方便保密。
  • 一种数据资产数据库录入平台
  • [发明专利]异质结双极晶体管结构及其形成方法-CN202310507328.1在审
  • 邹道华;高谷信一郎;刘昱玮;姜清华 - 常州承芯半导体有限公司
  • 2023-05-06 - 2023-08-22 - H01L29/423
  • 一种异质结双极晶体管结构及其形成方法,涉及半导体制造技术领域,其中结构包括:基底;位于基底上的集电层、基层和若干发射层;位于发射层上的发射电极;位于部分集电层上的介质层,介质层至少位于基层的一侧;基电极,包括端部、若干指部和若干连接部,若干指部通过若干连接部与端部连接,若干指部与暴露出的基层电连接,连接部位于介质层上,端部位于介质层上;位于集电层上的若干集电极。基电极的端部位于集电层上方,可以有效减小基层的面积,进而减小基层与集电层之间形成的PN结的面积,减小形成的寄生电容,提升器件结构的性能。另外,由于基层中去除了为基电极的端部提供放置且不能够贡献电流的部分,能够有效提升器件结构的利用效率。
  • 异质结双极晶体管结构及其形成方法
  • [发明专利]异质结双极晶体管结构及其形成方法-CN202310538718.5在审
  • 邹道华;高谷信一郎;刘昱玮;陈俊奇 - 常州承芯半导体有限公司
  • 2023-05-12 - 2023-08-22 - H01L23/538
  • 一种异质结双极晶体管结构及其形成方法,其中结构包括:基底;位于基底上的集电层、基层和若干发射层;位于发射层上的发射电极;位于集电层上的集电极;钝化结构,钝化结构暴露出发射电极的部分表面、集电极的部分表面、基层的部分表面;互连金属层,互连金属层分别与发射电极、基层和集电极电连接。互连金属层直接将基层引出,省去了基层电极,可以有效减小基层的面积,进而减小基层与集电层之间形成的PN结的面积,减小形成的寄生电容,提升器件结构的性能及有效提升器件结构的利用效率。由于互连金属层的金属厚度较大,能够有效减小所述基层的接触电阻。省去了基层电极,能够有效简化工艺制程,提高制程效率。
  • 异质结双极晶体管结构及其形成方法
  • [发明专利]一种数据资产存放管理平台-CN202310682137.9在审
  • 高昂;李柏晨;刘昱玮;程越;王双;万利 - 中国标准化研究院
  • 2023-06-09 - 2023-08-22 - G11B33/02
  • 本发明涉及数据资产存放管理平台技术领域,公开了一种数据资产存放管理平台,包括管理设备,所述管理设备包括箱体、防护门、操作组件、取放组件、驱动组件、滑轨、滑动组件、放置组件和存放组件,所述管理设备前端面底部开设有拿取孔,该拿取孔前侧设有所述防护门,所述防护门后端面与所述箱体滑动连接,该拿取孔右侧设有所述操作组件,所述操作组件安装在所述箱体的前端面,通过设置的操作组件、滑轨、滑动组件和存放组件,方便资产管理,用户保密性高,安全性强,属于用户的物品仅用户可以打开,管理员需要三重验证才可以操作操作面板,且自动进行匹配作业,提高资产管理的效率,操作简单。
  • 一种数据资产存放管理平台
  • [发明专利]一种海量数据文本信息提取方法及系统-CN202310705998.4有效
  • 程越;王双;高昂;万利;李柏晨;刘昱玮 - 中国标准化研究院
  • 2023-06-15 - 2023-08-11 - G06F16/335
  • 本申请公开了一种海量数据文本信息提取方法及系统,本说明书中的方法是基于文本实现的,文本作为一种易于存储、识别的信息表达方式,为较为准确的获取语义提供了基础。本说明书中的方法以指定地理范围为界,以指定地理范围生成的待处理文本作为处理对象,能够将地域特色、地域用户的喜好纳入信息处理过程的考察范围,使得文本处理的结果中能够体现出地域特点,使得本说明书中的方法更适于需要突出地域特点的场景中,例如生鲜配送、外卖配送的场景中。将待处理的文本分为第一文本和第二文本,第二文本用于对第一文本进行筛选,而文本的信息提取是基于筛选的结果进行的,能够有效地减少需要信息提取的文本的量。
  • 一种海量数据文本信息提取方法系统
  • [发明专利]异质结双极晶体管结构及其形成方法-CN202310503408.X在审
  • 邹道华;高谷信一郎;刘昱玮;陈俊奇 - 常州承芯半导体有限公司
  • 2023-05-06 - 2023-06-06 - H01L29/737
  • 一种异质结双极晶体管结构及其形成方法,涉及半导体制造技术领域,其中结构包括:基底;位于基底上的集电层、基层及若干发射层;位于发射层上的发射层电极;位于集电层部分表面、基层部分表面、发射层表面和发射层电极部分表面的钝化结构;基层电极,包括端部、若干指部和若干连接部,端部位于集电层上的钝化结构上;位于集电层上的若干集电层电极,集电层电极与集电层电连接。基层电极的端部位于集电层上方,可以有效减小基层的面积,进而减小基层与集电层之间形成的PN结的面积,减小形成的寄生电容,提升器件结构的性能。另外,由于基层中去除了为基层电极的端部提供放置且不能够贡献电流的部分,能够有效提升器件结构的利用效率。
  • 异质结双极晶体管结构及其形成方法
  • [发明专利]电容结构及其形成方法、半导体结构及其形成方法-CN202310502553.6在审
  • 邹道华;高谷信一郎;刘昱玮;朱晓洁 - 常州承芯半导体有限公司
  • 2023-05-06 - 2023-06-02 - H10N97/00
  • 一种电容结构及其形成方法、半导体结构及其形成方法,涉及半导体制造技术领域,其中电容结构包括:第一电容金属层;第一电容钝化层,覆盖第一电容金属层;第二电容金属层,位于第一电容钝化层上;第二电容钝化层,覆盖第二电容金属层;第三电容金属层,位于第二电容钝化层上;第一电容介质层,位于第三电容金属层上,第一电容介质层具有若干第一通孔,若干第一通孔暴露出第三电容金属层的部分表面,第一通孔侧壁倾斜;位于第一电容介质层上的第四电容金属层。利用第一通孔倾斜的侧壁能够将打线时施加的一部分压力进行反弹,进而减小压力对电容金属层的冲击,减小对电容结构造成的损伤。另外将电容结构制作在打线区域上,可以有效降低芯片的尺寸。
  • 电容结构及其形成方法半导体

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