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[发明专利]一种阶梯台面结构的氮化镓PiN二极管及其制备方法-CN202310093111.0在审
发明人：王冠宇;向盈聪;孔森林;凌鹏;郭川;石松 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明涉及一种阶梯台面结构的氮化镓PiN二极管及其制备方法，属于二极管功率器件技术领域。本发明采用阶梯型台面结构，以降低暴露在台面侧壁的pn结处的电场峰值，这些改善是由于pn结的峰值电场从干蚀损伤的外层台面转移到薄p‑GaN层覆盖的内部台面所带来的；同时该二极管使用多个轻Si掺杂n‑GaN漂移层，其中顶部n‑GaN漂移层Si掺杂浓度最低，提高击穿电压的同时增强导通电阻；另外使用Si3N4覆盖的自旋玻璃薄膜的钝化层和场板结构，有效地降低反向泄漏电流和提高击穿电压，SOG薄膜溅射沉积过程中并未引起p‑GaN接触层等离子体损伤，从而与p‑GaN层具有良好的欧姆接触。本发明的二极管在功率转换应用中具有良好的潜力。
一种阶梯台面结构氮化 pin 二极管及其制备方法

[发明专利]一种硅基硅锗异质结双极晶体管及其制造方法-CN202310073716.3在审
发明人：王冠宇;凌鹏;孔森林;向盈聪;周春宇;王巍 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基硅锗异质结双极晶体管及其制造方法，属于电子技术领域。在衬底上离子注入形成N+BL埋层；在N+BL埋层上形成四氮化三硅应力层；离子注入形成N‑集电区；通过氧化形成二氧化硅掩蔽层，刻蚀出集电区窗口后进行硼离子注入，并执行快速退火操作以消除晶格损伤；离子注入形成N+BL埋层连通区；在应变基区选择性外延Si1‑xGex基区；在Si1‑xGex基区上方淀积硅帽层；淀积N型多晶硅作为发射极；刻蚀Si并淀积SiGe材料与四氮化三硅应力层形成集电区应力区；光刻集电极、发射极和基极以外的金属，形成电极引线。本发明能够增强载流子的迁移率、减小载流子总渡越时间，提高晶体管工作速度。
一种硅基硅锗异质结双极晶体管及其制造方法

[发明专利]一种硅锗异质结光电晶体管及其制造方法-CN202210015492.6在审
发明人：王冠宇;魏进希;孔森林;凌鹏;向盈聪;宋琦;王巍 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L31/11 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅锗异质结光电晶体管及其制造方法，属于电子技术领域。在N型Si衬底上进行热氧化处理形成二氧化硅作为埋氧层；通过离子注入形成N+亚集电区和N‑集电区；通过氮化形成四氮化三硅牺牲保护层；在基极窗口所对应的集电区的位置进行硼离子注入，并执行快速热退火操作以消除晶格损伤；在N‑集电区边缘通过离子注入形成N+区域连接N+亚集电区；在硅锗基区的Ge组分采用阶梯型分布；在单晶Si包层上淀积N+多晶硅作为发射极；在集电区刻蚀Si并淀积Ge组分为20％的SiGe材料作为SiGe应力源。本发明中在集电区引入了单轴压应力，提高了载流子的迁移率和器件的频率特性。
一种硅锗异质结光电晶体管及其制造方法

[发明专利]一种基于上下文信息与联合嵌入的人体关键点检测方法-CN202110838489.X在审
发明人：张辉;李晨;赵晨阳;陈瑞博;孔森林;曹意宏;王耀南 -专利权人：湖南大学
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于上下文信息与联合嵌入的人体关键点检测方法，该方法包含以下步骤：S1：获取训练数据；S2：搭建人体关键点检测模型；S3：构建人体关键点真实标签热图和联合嵌入值标签热图；S4：使用训练数据对人体关键点检测模型进行训练，得到训练后的人体关键点检测模型；S5：使用验证数据对人体关键点检测模型进行评估，选取最优模型；S6：重复步骤S4至S5，至全部训练数据被训练完成，得到最优模型；S7：利用最优模型进行人体关键点预测。该方法通过上下文融合模块对特征图中的像素内在相关性进行建模，提高了对关键点像素位置的预测进度，同时通过构造联合嵌入损失，降低训练难度加快收敛速度，保证不同人体关键点之间的正确匹配。
一种基于上下文信息联合嵌入人体关键检测方法