“源极电极”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1360769个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体装置-CN201810011510.7有效
发明人：廖文甲;刘滢溱;江承庭 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体装置包含主动层、源极电极、漏极电极、栅极电极、源极垫、漏极垫与至少一源极外部连接元件。源极电极、漏极电极与栅极电极置于主动层的主动区上。源极垫电性连接至源极电极，并包含本体部、多个分支部与至少一电流分散部。本体部至少部分置于主动区并沿着第一方向延伸。分支部沿着第二方向延伸，第二方向不同于第一方向。漏极垫电性连接至漏极电极。源极外部连接元件置于本体部上且与电流分散部分开。
半导体装置

[实用新型]阵列基板及具有该阵列基板的液晶显示装置-CN201821155678.7有效
发明人：安藤爱美;棚原学 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：该阵列基板在基板之上具有：栅极配线；源极配线，其隔着绝缘膜与栅极配线正交；源极电极，其与源极配线连接；半导体层，其形成于源极电极的下层；漏极电极，其在半导体层之上与源极电极相对，具有延伸部；以及像素电极，其直接层叠于漏极电极的延伸部之上，漏极电极的延伸部的端边与像素电极的端边对齐。
阵列基板液晶显示装置漏极电极源极电极延伸部半导体层像素电极源极配线栅极配线端边本实用新型对齐绝缘膜开口率高清基板正交下层

[发明专利]宽带隙半导体装置-CN201410320367.1有效
发明人：末川英介;鹿口直斗;池上雅明 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-07-04 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明提供一种宽带隙半导体装置，其能够抑制栅极电极与源极电极之间的静电破坏，而不会增加芯片成本。本发明的宽带隙半导体装置具备第2源极层(n+源极层(4A))，其在p基极层(3A)的表层夹着场绝缘膜(11)形成，且与n+源极层(4)在同一工序中形成；第2栅极电极(栅极多晶硅(7A))，其至少形成于场绝缘膜(11)上，且与栅极多晶硅(7)为同一层；第3栅极电极(栅极电极(12))，其形成于一侧的第2源极层上，与第2栅极电极电连接；以及第2源极电极(源极电极(9A))，其形成于另一侧的第2源极层上。
宽带半导体装置

[发明专利]薄膜晶体管基板、具有它的显示装置和薄膜晶体管基板的制造方法-CN201180055568.8有效
发明人：富安一秀;木村知洋 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2011-11-10 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：TFT(20)包括：由氧化物半导体构成的半导体层(12sl)；在半导体层(12sl)上相互分离地设置的源极电极(13sd)和漏极电极(13dd)；覆盖源极电极(13sd)与漏极电极(13dd)之间的半导体层部分的栅极绝缘膜(15)；和隔着栅极绝缘膜(15)与半导体层(12sl)重叠的栅极电极(18gd)，其中，源极电极(13sd)与源极配线(13sl)形成为一体，栅极电极(18gd)与栅极配线(18gl)形成为一体，半导体层(12sl)还延伸至源极配线(13sl)的下层，源极配线(13sl)和源极电极(13sd)以及漏极电极(13dd)整体配置在半导体层(12sl)上。
薄膜晶体管具有显示装置制造方法

[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法-CN201010105379.4有效
发明人：李善律;铃木浩司 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2010-01-28 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本申请涉及有机发光二极管显示器及其制造方法。所述有机发光二极管显示器包括：基板；形成在所述基板上的半导体层，所述半导体层具有沟道区、源极区和漏极区；覆盖所述半导体层的栅极绝缘层；形成在所述沟道区上的栅极电极；和覆盖所述栅极电极的层间绝缘层。源极电极和漏极电极形成在所述层间绝缘层上，分别连接至所述源极区和漏极区。像素电极在与所述源极电极和漏极电极相同的平面上从所述漏极电极延伸。所述源极电极和漏极电极各具有由透明的导电材料形成的第一导电层和形成在所述第一导电层上的金属的第二导电层。所述像素电极由所述第一导电层形成。
有机发光二极管显示器及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管、接触结构、基板、显示装置和它们的制造方法-CN201180022718.5有效
发明人：中泽淳 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2011-04-27 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：TFT（17）具备栅极电极（31）、栅极绝缘膜（32）、半导体（33）、源极电极（34）、漏极电极（35）和保护膜（36）。半导体（33）包含金属氧化物半导体，具有与源极电极（34）连接的源极部（33a）、与漏极电极（35）连接的漏极部（33b）、从源极电极（34）和漏极电极（35）露出的沟道部（33c）。在源极部（33a）和漏极部（33b）分别形成有电阻相对较小的导电层（37）。沟道部（33c）中导电层（37）被除去。
薄膜晶体管接触结构基板显示装置它们制造方法

[发明专利]显示面板的垂直式薄膜晶体管结构及其制作方法-CN201210392837.6有效
发明人：张荣芳;张民杰;赖瑞麒 -专利权人：瀚宇彩晶股份有限公司
申请日： 2012-10-16 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直式薄膜晶体管结构，其包含有一基板、一源极电极、一绝缘层、一漏极电极、两个第一信道层、栅极绝缘层以及一栅极电极。源极电极、绝缘层以及漏极电极依序设置于基板上。第一信道层分别设置于漏极电极的两相对侧，并从漏极电极的上表面延伸至源极电极的上表面，且各第一信道层与源极电极以及漏极电极相接触。栅极绝缘层覆盖于源极电极、第一信道层以及漏极电极上。栅极电极设置于栅极绝缘层上，并覆盖第一信道层。借此，薄膜晶体管结构的大小可被缩小，且占像素结构大小的比例也随之下降。
显示面板垂直薄膜晶体管结构及其制作方法

[实用新型]包括HEMT结构、双向HEMT或双向HEMT结构的电子器件-CN201620382233.7有效
发明人： P·莫恩斯;B·帕德玛纳伯翰;H·德维利斯绸威尔;P·文卡特拉曼 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种包括HEMT结构的电子器件包括：漏极/源极电极；源极/漏极电极；第一栅极电极，所述第一栅极电极相比于所述源极/漏极电极更靠近所述漏极/源极电极；以及第一屏蔽结构，所述第一屏蔽结构电连接到所述漏极/源极电极并且包括第一部分，所述第一部分限定覆盖在所述第一栅极电极上面的第一开口。
包括 hemt 结构双向电子器件

[发明专利]有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法-CN201980088620.6在审
发明人：金明花;金宰范;孙暻锡;李承俊;李昇宪;林俊亨 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：一种有机发光显示装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；第一有源层，具有在所述第一区域中设置在所述基底上的源极区域和漏极区域；第一栅极电极，设置在所述第一有源层上；第一源极电极，设置在所述第一栅极电极上，所述第一源极电极连接到所述源极区域；牺牲层结构，设置为与所述第一源极电极间隔开，所述牺牲层结构具有开口；保护绝缘层，设置在所述第一源极电极和所述牺牲层结构上；第一漏极电极，设置在所述保护绝缘层上，所述第一漏极电极通过所述开口连接到所述漏极区域，所述第一漏极电极与所述第一有源层、所述第一栅极电极和所述第一源极电极一起被限定为第一晶体管；以及子像素结构，设置在所述第一晶体管上。
有机发光显示装置制造方法

[发明专利]薄膜晶体管、电路及其制造方法及显示装置-CN201310293757.X有效
发明人： K.M.奥尼尔;J.P.V.马斯 -专利权人：创造者科技有限公司
申请日： 2013-07-12 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种底部栅极底部接触式薄膜晶体管，包括栅极电极、源极电极、漏极电极、介电层及由半导体氧化物所构成的半导体氧化层。介电层设置于栅极电极与半导体层之间，且半导体层覆盖源极电极及漏极电极。源极电极及漏极电极至少包括由氧还原材料所构成的第一电极部，及由不同于氧还原材料的另外的材料所构成的第二电极部。漏极的第二电极部中面向源极的一侧将漏极的第一电极部中背向介电层的主要表面的至少一局部表面暴露于半导体层，且其中源极的第二电极部中面向漏极的一侧将源极的第一电极部中背向介电层的主要表面的至少一局部表面暴露于半导体层
薄膜晶体管电路及其制造方法显示装置

[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法、具备其的液晶显示装置-CN201911040109.7有效
发明人：美崎克纪 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明的薄膜晶体管基板具备基底基板和薄膜晶体管，上述薄膜晶体管具有：上述基底基板上的栅极电极；栅极绝缘层；源极电极和漏极电极；以及氧化物半导体层，其至少隔着上述栅极绝缘层与上述栅极电极相对，并且第1端部和第2端部分别重叠在上述源极电极和上述漏极电极上从而连接到上述源极电极和上述漏极电极，上述源极电极和上述漏极电极各自具有第1导电层和包覆上述第1导电层的第2导电层，上述第2导电层包含从包括钼、钽、钨以及镍的组中选择的至少1种元素，上述源极电极与上述漏极电极之间的区域下的上述栅极绝缘层的膜厚比上述源极电极下的上述栅极绝缘层的膜厚小，并且比上述漏极电极下的上述栅极绝缘层的膜厚小。
薄膜晶体管及其制造方法具备液晶显示装置

[发明专利]薄膜晶体管及显示面板-CN201580040872.3有效
发明人：野寺伸武;石田茂;高仓良平;松岛吉明;松本隆夫;小林和树;桶谷大亥 -专利权人：堺显示器制品株式会社
申请日： 2015-03-27 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：薄膜晶体管，包括：栅极电极(2)，形成于基板(1)的表面；多晶硅层(5)，形成于上述栅极电极的上侧；非晶硅层(4、6)，形成为覆盖上述多晶硅层；n+硅层(7)，形成于上述非晶硅层的上侧；以及源极电极(8)和漏极电极(9)，形成于上述n+硅层上；将上述多晶硅层、源极电极及漏极电极投影在上述基板表面的投影状态下，上述多晶硅层的一部分分别与上述源极电极和漏极电极的一部分重叠，且在上述投影状态下位于上述源极电极和漏极电极之间的上述多晶硅层中，与上述源极电极和漏极电极之间的长度方向正交的宽度方向上的最小尺寸小于上述源极电极和漏极电极的上述宽度方向上的尺寸。
薄膜晶体管显示面板

[实用新型]高电子迁移率晶体管-CN201922013785.7有效
发明人： F·尤克拉诺 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种高电子迁移率晶体管，包括：异质结构；异质结构上的电介质层；在贯穿电介质层的厚度上延伸的栅极电极；源极电极；以及漏极电极。电介质层在栅极电极和漏极电极之间延伸，而在栅极电极和源极电极之间不存在电介质层。以这样的方式，可以在没有由于朝向源极电极延伸的场板所导致的约束下，设计栅极电极和源极电极之间的距离。
电子迁移率晶体管

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202110325355.8在审
发明人：王参群;刘书豪;陈亮吟;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体装置的形成方法，包括形成源极/漏极区以及与源极/漏极区相邻的栅极电极，形成硬遮罩于栅极电极上，形成底部遮罩于源极/漏极区上，其中栅极电极露出，并且对栅极电极上的硬遮罩执行氮化制程。在氮化制程期间，底部遮罩保留于源极/漏极区上，并且在氮化制程之后被移除。此方法还包括在移除底部遮罩之后形成硅化物于源极/漏极区上。
半导体装置形成方法

[发明专利]一种薄膜晶体管及其控制方法-CN201710393405.X有效
发明人：谌伟;赵永亮;吴旭;周厚峰;宁智勇 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：所述薄膜晶体管包括:基板；栅极，设置于基板上；栅极绝缘层，覆盖于栅极和基板的表面；有源层，设置于栅极绝缘层上；源极与漏极，设置于有源层上，源极包括为两个源极电极，漏极包括两个漏极电极，两个漏极电极平行设置在两个源极电极之间，源极电极与相邻的漏极电极之间形成主沟道，两个漏极电极之间形成副沟道；当任一主沟道出现短路时，切断出现短路的主沟道对应的漏极电极，切断的漏极电极作为出现短路的主沟道对应的源极电极的一部分使用，将两个漏极电极之间形成的副沟道作为新主沟道使用
一种薄膜晶体管及其控制方法