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[发明专利]隧道FET及其形成方法-CN201210193105.4有效
发明人：克里希纳·库马尔·布瓦尔卡;戈本·多恩伯斯;马提亚斯·帕斯拉克 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-06-12 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：隧道场效应晶体管（TFET）包括栅电极、源极区域和漏极区域。源极区域和漏极区域具有相反的导电类型。沟道区域设置在源极区域和漏极区域之间。源极扩散势垒设置在沟道区域和源极区域之间。源极扩散势垒和源极区域位于栅电极下方并与栅电极重叠。源极扩散势垒的第一个带隙大于源极区域、漏极区域和沟道区域的第二带隙。本发明还提供了隧道FET及其形成方法。
隧道 fet 及其形成方法

[发明专利]液晶显示装置及其制造方法-CN200610081917.4有效
发明人：永野慎吾;升谷雄一 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2006-05-09 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：在源极布线(2)下层隔着栅极绝缘膜(8)，沿源极布线(2)配置第一电极图案(11)，在源极布线(2)上层隔着层间绝缘膜(9)，沿源极布线(2)，且在基本不与所述源极布线(2)重叠的位置配置第二电极图案(12)，通过配置在上下层的电极图案(11、12)有效屏蔽来自源极布线(2)的泄漏电场。另外，第一电极图案(11)与栅极布线(1)以及第二电极图案(12)与对置电极(6)，由同一层导电膜形成。从而，得到减少来自源极布线(2)的泄漏电场导致液晶(300)取向的散乱，同时增大开口率且不增加制造工序而使源极布线(2)与对置电极(6)之间不易发生短路的液晶显示装置及其制造方法。
液晶显示装置及其制造方法

[发明专利]气压传感器及制备方法-CN202110989154.8在审
发明人：田野;程传同 -专利权人：苏州微光电子融合技术研究院有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： G01L9/12 文献下载
摘要：本发明公开了气压传感器及制备方法，其中气压传感器包括高阻衬底；形成于高阻衬底上的源极电极、漏极电极和栅极电极，源极电极以及漏极电极限定于高阻衬底同一侧，栅极电极限定于高阻衬底上与源极电极同一侧或栅极电极限定于高阻衬底上相对于源极电极的另一侧；设置到源极电极和漏极电极的石墨烯薄层结构；高阻衬底与石墨烯薄层结构之间形成有腔室。
气压传感器制备方法

[发明专利]柔性显示装置-CN202110923391.4在审
发明人：梁熙星;姜胜培 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了柔性显示装置，柔性显示装置包括：有源层；源极电极，配置于所述有源层上，并通过第一接触孔与所述有源层连接；漏极电极，在与所述源极电极相同的层中与所述源极电极向第一方向隔开配置，并通过第二接触孔与所述有源层连接；第一像素电极，配置于所述漏极电极上，并包括与所述漏极电极的上面接触而与所述漏极电极电连接的下面；以及通孔绝缘层，配置于源极电极与第一像素电极之间，漏极电极贯通通孔绝缘层而与第一像素电极电连接。
柔性显示装置

[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法-CN201711443872.5在审
发明人：铃木和贵;是成贵弘 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-05-29 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：半导体器件包括具有背表面和在平面图中为矩形的前表面的半导体衬底；第一MOSFET，具有第一栅电极、第一源极区和第一漏极区；第二MOSFET，具有第二栅电极、第二源极区和第二漏极区；前表面上方的耦合到第一源极区的第一源电极；前表面上方的耦合到第二源极区的第二源电极；前表面上方的耦合到第一栅电极的第一栅极线；前表面上方的耦合到第二栅电极的第二栅极线；背表面上方的耦合到第一漏极区和第二漏极区的公共漏电极，第一源电极在前表面的第一边、第二边、第三边和第四边处，平面图中，第二源电极被第一源电极围绕，第一源电极与第一MOSFET重叠，第二源电极与第二MOSFET重叠。
源电极前表面半导体器件耦合到漏极区源极区栅电极背表面栅极线漏电极衬底半导体制造

[发明专利]薄膜晶体管、制造薄膜晶体管的方法、显示器和电子设备-CN201310002100.3有效
发明人：岛山努;藤井宣年;藤森隆成 -专利权人：株式会社日本有机雷特显示器
申请日： 2013-01-04 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：薄膜晶体管包括栅极电极、源极电极和漏极电极；氧化物半导体层，设置在栅极电极的一侧，在该氧化物半导体层与该栅极电极之间具有绝缘膜，该氧化物半导体层设置在不面对源极电极和漏极电极的区域中，并且该氧化物半导体层电连接到源极电极和漏极电极；以及低电阻氧化物层，设置在面对源极电极的区域中以及面对漏极电极的区域中，该面对源极电极的区域和该面对漏极电极的区域相邻于氧化物半导体层，并且低电阻氧化物层的电阻率低于氧化物半导体层的电阻率。
薄膜晶体管制造方法显示器电子设备

[发明专利]像素结构-CN200810201207.X无效
发明人：高孝裕 -专利权人：上海广电光电子有限公司
申请日： 2008-10-15 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种像素结构，包括形成在栅极电极层上的一栅极线和第一浮接金属电极；形成在半导体层上的第一半导体电极和第二半导体电极；以及形成在源极/漏极电极层上的一源极电极、一漏极电极、数据线以及第二浮接金属电极，该源极电极和该数据线相连，该数据线上形成有一源极凸起部，该漏极电极上形成有一漏极凸起部；其中，该源极凸起部与漏极凸起部分别与该第二半导体电极部分重叠，该第一浮接金属电极与该第二浮接金属电极部分重叠。
像素结构

[实用新型]像素结构-CN200820154051.X有效
发明人：高孝裕 -专利权人：上海广电光电子有限公司
申请日： 2008-10-15 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种像素结构，包括形成在栅极电极层上的一栅极线和第一浮接金属电极；形成在半导体层上的第一半导体电极和第二半导体电极；以及形成在源极/漏极电极层上的一源极电极、一漏极电极、数据线以及第二浮接金属电极，该源极电极和该数据线相连，该数据线上形成有一源极凸起部，该漏极电极上形成有一漏极凸起部；其中，该源极凸起部与漏极凸起部分别与该第二半导体电极部分重叠，该第一浮接金属电极与该第二浮接金属电极部分重叠。
像素结构

[发明专利]半导体装置及其操作方法-CN201910680511.5在审
发明人：陈志谚;黄嘉庆 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其操作方法，装置包括一半导体层、一栅极电极、一第一介电层、一源极场板、一第二介电层、一源极电极、一第三介电层以及一漏极结构。栅极电极设置于半导体层上，且栅极电极具有一第一侧壁与一第二侧壁。第一侧壁与第二侧壁分别位于栅极电极的一第一侧与一第二侧。第一介电层设置于半导体层与栅极电极上。源极场板设置于半导体层与第一介电层上。源极场板自栅极电极的第一侧延伸至第二侧，且部分源极场板与第二侧壁对应设置。第二介电层设置于源极场板上。源极电极设置于第二介电层上且与源极场板电连接。第三介电层设置于源极电极上。漏极结构设置于栅极电极的第二侧。有效屏蔽电场减少电磁干扰，改善电荷捕捉问题。
半导体装置及其操作方法

[发明专利]阵列基板及其制造方法-CN201210528046.1有效
发明人：刘容雨;裵相绚;金主延 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2012-12-10 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板及其制造方法，所述阵列基板包括：基板，具有像素区域；栅极线，位于基板上；栅极电极，位于基板上并且与栅极线相连；栅极绝缘层，位于栅极线和栅极电极上；数据线，位于栅极绝缘层上并且与栅极线相交以限定像素区域；源极电极和漏极电极，位于栅极绝缘层上并且与栅极电极相对应，所述源极电极与数据线相连，所述漏极电极与源极电极间隔开；氧化物半导体层，位于源极和漏极电极的顶部。
阵列及其制造方法

[发明专利]显示器及其像素电路-CN200810087232.X有效
发明人：邱郁文 -专利权人：奇景光电股份有限公司
申请日： 2008-03-24 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：该像素进一步包含一数据晶体管，其具有一第一源极/漏极电极连接至该数据线，一栅极电极连接至该扫描线，以及一第二源极/漏极电极，一驱动晶体管，其具有一第一源极/漏极电极，经由一第一开关连接至该第一电压，一栅极电极，经由该第二开关连接至该第二电压，以及一第二源极/漏极电极，一储存电容器，其具有一第一电极连接至该驱动晶体管的该栅极，以及一第二电极连接至该驱动晶体管的该第一源极/漏极电极，以及至该数据晶体管的该第二源极/漏极电极，以及一发光装置，其具有一阳极电极连接至该驱动晶体管的该第二源极/漏极电极，以及一阴极电极连接至一第三电压。
显示器及其像素电路

[实用新型]像素结构及显示装置-CN201420360282.1有效
发明人：高会朝 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2014-07-01 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：本实用新型属于显示技术领域，公开了一种像素结构及显示装置，像素结构包括：像素开关，包括栅电极、上层源极、上层漏极、上层有源层、下层源极、下层漏极和下层有源层，上层源极、上层有源层、上层漏极和栅电极形成底栅TFT结构，下层源极、下层有源层、下层漏极和栅电极形成顶栅TFT结构；触摸单元，输出端分别与上层源极、下层源极连接；像素电极，包括第一子像素电极和第二子像素电极，第一子像素电极与上层漏极连接，接收第一信号，第二子像素电极与下层漏极连接，接收底栅TFT传输的与第一信号不同步的第二信号。
像素结构显示装置

[发明专利]TFT基板、具备TFT基板的扫描天线以及TFT基板的制造方法-CN201880022591.9有效
发明人：美崎克纪 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：多个天线单位区域各自具有TFT(10)和电连接到TFT的漏极电极(7D)的贴片电极(7PE)。TFT基板具有：源极金属层(7)，其包含TFT的源极电极(7S)、漏极电极、连接到源极电极的源极总线(SL)、以及贴片电极；栅极金属层(3)，其形成在源极金属层上，包含TFT的栅极电极(3G)和连接到栅极电极的栅极总线(GL)；栅极绝缘层(4)，其形成在源极金属层与栅极金属层；以及导电层(19)，其形成在栅极金属层上，在栅极金属层与导电层之间不具有绝缘层。
tft 基板具备扫描天线以及制造方法

[发明专利]TFT基板、具备TFT基板的扫描天线以及TFT基板的制造方法-CN201780076001.6有效
发明人：美崎克纪 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：TFT基板(105)具有电介质基板(1)和在电介质基板上排列的多个天线单位区域(U)，多个天线单位区域各自具有TFT(10)和连接到TFT的漏极电极(7D)的贴片电极(7PE)。TFT基板具有：源极金属层(7)，其支撑于电介质基板，包含TFT的源极电极(7S)、漏极电极、连接到源极电极的源极总线(SL)、以及贴片电极；栅极金属层(3)，其形成在源极金属层上，包含TFT的栅极电极(3G)和连接到栅极电极的栅极总线(GL)；栅极绝缘层(4)，其形成在源极金属层与栅极金属层之间；以及层间绝缘层(11)，其形成在栅极金属层上。
tft 基板具备扫描天线以及制造方法

[发明专利]显示装置和制造显示装置的方法-CN202110167819.7在审
发明人：全景辰;具素英;金亿洙;金亨俊;朴晙晳;林俊亨 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：所述显示装置包括：基底；第一导电层，位于基底上并且包括第一信号线；绝缘层图案，位于述第一导电层上；半导体图案，位于绝缘层图案上；栅极绝缘层，位于半导体图案上；以及第二导电层，包括位于栅极绝缘层上的栅极电极、以及第一源极/漏极电极和第二源极/漏极电极，第一源极/漏极电极和第二源极/漏极电极各自位于半导体图案的至少一部分上，其中，绝缘层图案和半导体图案具有相同的平面形状，半导体图案包括与栅极电极重叠的沟道区、位于沟道区的第一侧上的第一源极/漏极区和位于沟道区的第二侧上的第二源极/漏极区，并且第一源极/漏极电极电连接第一源极/漏极区和第一信号线。
显示装置制造方法