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[发明专利]半导体装置-CN201810011510.7有效
发明人：廖文甲;刘滢溱;江承庭 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体装置包含主动层、源极电极、漏极电极、栅极电极、源极垫、漏极垫与至少一源极外部连接元件。源极电极、漏极电极与栅极电极置于主动层的主动区上。源极垫电性连接至源极电极，并包含本体部、多个分支部与至少一电流分散部。本体部至少部分置于主动区并沿着第一方向延伸。分支部沿着第二方向延伸，第二方向不同于第一方向。电流分散部连接本体部与分支部，并沿着第一方向延伸。电流分散部的宽度大于任一分支部的宽度且小于本体部的一半宽度。漏极垫电性连接至漏极电极。源极外部连接元件置于本体部上且与电流分散部分开。
半导体装置

[发明专利]半导体结构-CN201810449892.1有效
发明人：廖文甲;刘滢溱;江承庭 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体结构，包括：半导体装置、第一导电层以及栅极通路。半导体装置包括上表面、栅极端、源极端以及漏极端。第一导电层放置上表面且耦接至源极端。栅极通路与第一导电层相互重叠且耦接至栅极端，栅极通路以及第一导电层用以产生栅极端以及源极端之间的寄生电容。
半导体结构