专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]显示装置-CN201580022812.9有效
  • 西山隆之;田中耕平;野间健史;米林谅 - 夏普株式会社
  • 2015-04-27 - 2019-03-12 - G09G3/36
  • 显示装置(10)具备多个信号线(SL)、多个栅极线(GL)以及驱动部。多个栅极线与多个信号线交叉。驱动部连接到多个栅极线,控制多个栅极线的电位。驱动部包括多个栅极驱动器(11)和多个线。多个栅极驱动器配置于显示区域内,多个栅极线各自连接有至少1个栅极驱动器。对多个线提供用于使多个栅极驱动器中的任意一个动作的电位。多个线与多个信号线中的任意一个交叉,包括第1线(17A)和第2线(17B)。驱动部在规定的定时切换第1线的电位。驱动部在切换第1线的电位的定时,向与切换第1线的电位的方向相反的方向切换第2线的电位。
  • 显示装置
  • [发明专利]线基板和显示装置-CN201080052256.7无效
  • 森纯一 - 夏普株式会社
  • 2010-07-01 - 2012-09-12 - G09F9/30
  • 本发明提供降低了多个迂回线的各线间的电阻差的线基板。本发明的线基板具有控制区域和周边区域,上述控制区域包含在行方向上延伸的多个栅极线和在列方向上延伸的多个源极线,上述周边区域包含与上述多个栅极线连接的栅极驱动器、与上述多个源极线连接的源极驱动器以及沿着上述控制区域的外周迂回并将上述栅极驱动器和上述多个栅极线相连的多个迂回线,上述多个迂回线分别具有包含上述栅极线的材料的栅极金属部和包含上述源极线的材料的源极金属部,在上述栅极金属部和上述源极金属部之间配置有绝缘层,上述栅极金属部和上述源极金属部通过贯通上述绝缘层的接触部连接
  • 配线基板显示装置
  • [发明专利]有源矩阵基板、显示面板以及它们的检查方法-CN201080003604.1有效
  • 白水博 - 松下电器产业株式会社
  • 2010-01-06 - 2011-11-23 - G09F9/30
  • 一种有源矩阵基板,包括:多条栅极线(11),其配置在基板上;多条源极线(12),其配置在与多条栅极线(11)垂直的方向上;栅极侧短路环(13),其配置在基板的周缘区域,作为多条栅极线(11)的短路目的地;源极侧短路环(14),其配置在基板的周缘区域,作为多条源极线(12)的短路目的地;栅极线侧TFT(15),其漏极与多条栅极线(11)的一条连接、源极与栅极侧短路环(13)连接;以及源极线侧TFT(16),其漏极与多条源极线(12)的一条连接、源极与源极侧短路环(14)连接;所有的栅极线侧TFT(15)和所有的源极线侧TFT(16)为耗尽型,所有的源极线侧TFT(16)的栅电极与栅极侧短路环
  • 有源矩阵显示面板以及它们检查方法
  • [发明专利]有源矩阵基板和显示装置-CN200880127985.7无效
  • 佐佐木崇 - 夏普株式会社
  • 2008-11-06 - 2011-02-09 - G09G3/36
  • 在具备:以矩阵状排列的多个源极线(数据线)(S)和多个栅极线(扫描线)(G);和设置在源极线(S)与栅极线(G)的交叉部的附近的多个像素(P),并被作为液晶面板(显示面板)(2)的基板使用的有源矩阵基板(5)中,将对多个栅极线(G)按照规定的扫描方向依次输出扫描信号的多个栅极驱动器(扫描线驱动电路)(24-1~24-6)沿着该扫描方向设置。进一步,将不连接到栅极线(G)的空端子设置在栅极驱动器(24-1~24-6)。
  • 有源矩阵显示装置
  • [发明专利]线基板和显示装置-CN201910289852.X有效
  • 吉田昌弘 - 夏普株式会社
  • 2019-04-11 - 2023-06-16 - H01L27/12
  • 一种线基板和显示装置,降低第2线线电阻。阵列基板(线基板)具备:栅极线(第1线),其包括第1金属膜;源极线(第2线),其包括第2金属膜,以与栅极线交叉的方式延伸,第2金属膜配置为与第1金属膜之间隔着栅极绝缘膜(第1绝缘膜);辅助线部,其包括第1金属膜,以夹着栅极线的方式配置有多个,以与源极线并行的方式延伸,并且各自的至少一部分与源极线重叠;以及桥接线部,其包括第3金属膜,以跨越栅极线的方式配置,将源极线与多个辅助线部电连接,第3金属膜配置为与第2金属膜之间隔着第1层间绝缘膜(第2绝缘膜),第1层间绝缘膜配置在与栅极绝缘膜相反的一侧。
  • 配线基板显示装置
  • [发明专利]半导体装置-CN202110756311.0在审
  • 西康一 - 三菱电机株式会社
  • 2021-07-05 - 2022-01-11 - H01L29/739
  • 提供沟槽栅极栅极绝缘膜的可靠性提高的半导体装置。半导体装置包含半导体基板、栅极电极和多个沟槽栅极。半导体基板包含有源区域和线区域。沟槽栅极从有源区域延伸至线区域。该沟槽栅极在有源区域形成晶体管的一部分。栅极电极设置于线区域,与沟槽栅极电连接。沟槽栅极的端部位于线区域。栅极电极以将在沟槽栅极的端部形成的栅极接触部覆盖的方式设置。栅极电极经由栅极接触部而与沟槽栅极电连接。多个沟槽栅极仅沿一个方向延伸。
  • 半导体装置
  • [发明专利]碳化硅半导体装置-CN201811116887.5有效
  • 富永贵亮;高木保志;樽井阳一郎;日野史郎 - 三菱电机株式会社
  • 2018-09-21 - 2022-02-25 - H01L29/16
  • 本发明的目的在于提供能够抑制栅极和源极的短路的碳化硅半导体装置。特征在于具备:碳化硅半导体基板,其具有在漂移层的一部分表层部形成的p型阱区域;绝缘膜,其设置于该阱区域之上;栅极内置电阻,其是由在该绝缘膜之上与该绝缘膜接触的多晶硅形成的;层间绝缘膜,其形成于该栅极内置电阻之上;栅极接触线,其与栅极焊盘连接,形成于该层间绝缘膜之上;栅极线,其在该层间绝缘膜之上,与该栅极接触线分离地设置;第1栅极接触部,其将该栅极接触线和该栅极内置电阻电连接;以及第2栅极接触部,其将该栅极线和该栅极内置电阻电连接
  • 碳化硅半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN202110843290.6在审
  • 竹田骏 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2021-07-26 - 2022-10-21 - H01L23/498
  • 实施方式的半导体装置具有第1基板、第2基板、第1金属层、第2金属层、第1半导体元件、第2半导体元件、第1端子、第2端子、第3端子、第1栅极端子和第2栅极端子。第2基板在第1方向上与第1基板分离而设置,具有主线和信号线。主线具有第1线层、第2线层、第3线层和第4线层。信号线具有设置在与主线不同的层的第1栅极线层、以及设置在与主线不同的层的第2栅极线层。第1半导体元件设置在第1金属层上,具有第1电极、第2电极和第1栅极电极。第2半导体元件设置在第2金属层上,具有第3电极、第4电极和第2栅极电极。
  • 半导体装置
  • [发明专利]绝缘栅极型半导体装置-CN201280008087.6有效
  • 八木晴好;矢岛学 - 半导体元件工业有限责任公司
  • 2012-02-09 - 2013-10-23 - H01L29/78
  • 在基板的周围引出MOSFET的栅极电极的栅极引出线的引出部成为不能配置以与元件区域内同等的效率发挥作用的MOSFET的晶体管单元C的非工作区域。也就是说,如果将栅极引出线例如沿着芯片的四个边配置,则非工作区域增加,从而在元件区域面积的扩大及芯片面积的缩小方面存在局限性。将栅极引出线与连接栅极引出线和保护二极管的导电体沿着芯片的同一边配置成不弯曲的一直线状。并且,在栅极引出线和导电体上重叠而延伸并且使保护二极管与这些栅极引出线和导电体连接的第一栅极电极层的弯曲部在一个以下。此外,将保护二极管与导电体或者栅极引出线邻接配置,将保护二极管的一部分接近栅极焊盘部配置。
  • 绝缘栅极半导体装置
  • [其他]显示装置-CN201390000780.9有效
  • 西修司;村上祐一郎;佐佐木宁 - 夏普株式会社
  • 2013-09-27 - 2015-08-19 - G09G3/20
  • 本实用新型的目的在于:提供通过减小栅极时钟信号用干线的负载能抑制在栅极时钟信号用干线中流动的消耗电流的显示装置。在将多个栅极时钟信号(CK1~CK3)的电压通过缓冲电路(BF)写入栅极总线(GL)的移位寄存器中,与清除信号用干线等分开地将多条栅极时钟信号用干线(51a~54a)与多个缓冲电路(BF)相邻地形成在设于显示部由此,能消除清除信号用分支配线(61b)与栅极时钟信号用干线(51a~54a)以及双稳态电路(SR)内的线交叉的区域。因此,能消除由于这些线交叉而产生的层间电容、在线间产生的边缘电容。
  • 显示装置

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