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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]底部介电隔离及其在场效应晶体管中的形成方法-CN202310196130.6在审
发明人：陈佳政;邓运桢;陈亮吟;杨育佳;何彩蓉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开涉及底部介电隔离及其在场效应晶体管中的形成方法。半导体结构包括衬底和堆叠结构，该堆叠结构包括与金属栅极结构交错的沟道层。半导体结构还包括设置在堆叠结构和衬底之间的隔离特征，其中金属栅极结构的最底部直接接触隔离特征。半导体结构进一步包括邻近堆叠结构设置的源极/漏极特征以及设置在金属栅极结构和源极/漏极特征之间的内部间隔物。
底部隔离及其在场效应晶体管中的形成方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202310080937.3在审
发明人：林育樟;吴濬宏;陈亮吟;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，半导体装置的制造方法包含：沉积多层堆叠于半导体基材上，多层堆叠包含交替的多个牺牲层及多个通道层；形成虚设栅极于多层堆叠上；形成第一间隙壁于虚设栅极的侧壁上；进行第一布植工艺，以形成第一掺杂区域，第一布植工艺具有第一布植能量及第一布植剂量；进行第二布植工艺，以形成第二掺杂区域，其中第一掺杂区域及第二掺杂区域是在通道层中，未被第一间隙壁及虚设栅极覆盖的部分，第二布植工艺具有第二布植能量及第二布植剂量，第二布植能量是大于第一布植能量，且第一布植剂量是不同于第二布植剂量。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]栅极间隔件结构及其形成方法-CN201910491908.X有效
发明人：简薇庭;陈亮吟;柳依秀;李宗霖;张惠政 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及栅极间隔件结构及其形成方法。提供了一种半导体器件及其形成方法。该方法包括在有源区域上方形成牺牲栅极结构。沿着牺牲栅极结构的侧壁和顶表面形成第一间隔层。在第一间隔层上方形成第一保护层。在第一保护层上方形成第二间隔层。在第二间隔层上方形成第三间隔层。用替换栅极结构替换牺牲栅极结构。移除第二间隔层以在第一保护层和第三间隔层之间形成气隙。
栅极间隔结构及其形成方法

[发明专利]掺杂具有导电部件的半导体器件-CN201810392917.9有效
发明人：刘书豪;张惠政;陈佳政;陈亮吟;陈国儒;吴浚宏;刘昌淼;杨怀德;谭伦光;游伟明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明通常涉及半导体器件中的导电部件的掺杂。在实例中，结构包括晶体管的有源区域。有源区域包括源极/漏极区域，并且源极/漏极区域至少部分地由具有第一掺杂剂浓度的第一掺杂剂限定。源极/漏极区域还包括第二掺杂剂，其中，第二掺杂剂的浓度分布具有从源极/漏极区域的表面至源极/漏极区域的深度的一致浓度。一致浓度大于第一掺杂剂浓度。该结构还包括在源极/漏极区域的表面处接触源极/漏极区域的导电部件。本发明的实施例还涉及掺杂具有导电部件的半导体器件。
掺杂具有导电部件半导体器件

[发明专利]制造半导体结构的方法-CN202310079141.6在审
发明人：陈佳政;陈亮吟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供了制造半导体结构的方法。在实施例中，一种制造半导体结构的方法，包括：形成半导体区域，该半导体区域具有第一掺杂浓度的第一导电类型的第一掺杂剂；在半导体区域的上方形成电介质层；形成穿过电介质层的开口，该开口暴露半导体区域；在形成开口之后，在半导体区域中进行第一导电类型的第二掺杂剂的等离子体掺杂以形成表面掺杂区域，该表面掺杂区域中的第一导电类型的掺杂剂的第二浓度大于第一掺杂浓度；在进行第一导电类型的第二掺杂剂的等离子掺杂之后，对表面掺杂区域进行非晶化注入；以及在开口中形成导电特征，该导电特征与表面掺杂区域电接触。
制造半导体结构方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201710368881.6有效
发明人：詹佳玲;王参群;陈亮吟;张惠政 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种等离子体掺杂制程，其对鳍状物中的淡掺杂源极/漏极区提供共形的掺杂轮廓，并减少由等离子体掺杂引起的鳍状物高度减损。上述等离子体掺杂制程克服了在鳍状物结构的传统的等离子体掺杂制程造成的限制，例如结构的具挑战性的高宽比及紧密的节距。已证实，具有共形的淡掺杂源极/漏极区及减少鳍状物高度损失的半导体装置的并联电阻较低且晶体管效能得到改善。
半导体装置形成方法

[发明专利]形成半导体装置的方法-CN202210683784.7在审
发明人：陈佳政;吴濬宏;陈亮吟;张惠政;杨育佳;张钧彦;杨智凯;沈育佃;张雅惠 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：提供一种形成半导体装置的方法。在一些实施例中，方法包括形成靶层在半导体基板上方、形成富碳硬遮蔽层在靶层上方，通过蚀刻工艺图案化数个特征在富碳硬遮蔽层中、对被图案化在富碳硬遮蔽层中的这些特征执行定向离子束修整工艺、以及使用富碳硬遮蔽层作为遮罩来图案化靶层。
形成半导体装置方法

[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法-CN202210926119.6在审
发明人：林育樟;吴濬宏;陈亮吟;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种制造半导体装置的方法包括在半导体基板上方沉积多层堆叠，多层堆叠包括与多个通道层交替的多个牺牲层；在多层堆叠中形成第一凹陷处；在第一凹陷处中的这些牺牲层的侧壁上形成多个第一间隔物；在第一凹陷处中沉积第一半导体材料，其中第一半导体材料是未掺杂的，其中第一半导体材料与第一间隔物中的至少一者的侧壁和底表面物理性接触。在第一半导体材料内布植掺质，其中在布植掺质之后，第一半导体材料具有梯度掺杂的分布；以及在第一半导体材料上方在第一凹陷处中形成外延的源极/漏极区域，其中外延的源极/漏极区域的材料不同于第一半导体材料。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201910511115.X有效
发明人：刘书豪;陈文彦;陈国儒;王立廷;陈亮吟;张惠政;王英郎 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构的制造方法以及一种半导体结构。在此公开的实施例关于使用在纳秒级下进行的布植工艺和熔融退火工艺，以同时达到高表面浓度(表面堆积)掺质轮廓和逆行掺质轮廓。在一实施例中，此方法包含在基底上的主动区中形成源极/漏极结构，源极/漏极结构包含第一区，第一区包含锗，将第一掺质布植至源极/漏极结构的第一区中以在源极/漏极结构的至少第一区中形成非晶区，将第二掺质布植至包含第一掺质的非晶区中，以及加热源极/漏极结构以至少将非晶区液化并转换成结晶区，结晶区包含第一掺质和第二掺质。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]集成电路器件及其制造方法-CN201910700892.9有效
发明人：刘书豪;陈文彦;陈利恒;王立廷;陈亮吟;张惠政;杨育佳;王英郎 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开涉及集成电路器件及其制造方法。一种方法，包括：在半导体衬底的第一部分上形成栅极堆叠；移除半导体衬底的位于栅极堆叠的一侧上的第二部分以形成凹槽；从凹槽开始生长半导体区域；用杂质注入半导体区域；以及在半导体区域上执行熔化退火，其中，半导体区域的至少一部分在熔化退火期间熔化。
集成电路器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置与其形成方法-CN201910234384.6有效
发明人：詹佳玲;陈亮吟;简薇庭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明实施例涉及半导体装置与其形成方法。在一实施例中，装置包括鳍状物于基板上，且鳍状物具有靠近基板的硅部分与远离基板的硅锗部分；栅极堆叠，位于鳍状物的通道区上；源极/漏极区，与栅极堆叠相邻；第一掺杂区，位于鳍状物的硅锗部分中，第一掺杂区位于通道区与源极/漏极区之间，且第一掺杂区具有一致的掺质浓度；以及第二掺杂区，位于鳍状物的硅锗部分中，第二掺杂区位于源极/漏极区下，而第二掺杂区具有梯度的掺质浓度，且掺质浓度随着自鳍状物顶部朝鳍状物底部延伸的方向增加。
半导体装置与其形成方法

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN202210530003.0在审
发明人：林育樟;王宝明;陈亮吟;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本揭露提供一种半导体装置及其形成方法。掺杂井可利用平行植入技术及倾斜植入技术来形成具有较少侧向扩散及较少垂直掺杂的井。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]晶圆定位方法及离子暴露装置-CN202210722582.9在审
发明人：陈佳政;陈俊良;陈亮吟;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：一种晶圆定位方法及离子暴露装置，晶圆定位方法包括放置晶圆于布植机压板上，晶圆包括多个集成电路晶粒；通过用相机测量集成电路晶粒的外边缘的位置，测量晶圆的位置；确定晶圆的位置与晶圆的参考位置之间的角位移；以及将布植机压板旋转角位移。
定位方法离子暴露装置

[发明专利]晶圆对准方法及设备-CN202210115811.0在审
发明人：陈佳政;杨智凯;陈亮吟;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：一种晶圆对准方法及设备，在一实施方式中，一种方法包含：放置晶圆于布植机台板上，晶圆包含对准标记；通过使用一或多个相机测量对准标记的位置来测量晶圆的位置；确定晶圆的位置与晶圆的参考位置之间的角位移；以及以角位移旋转布植机台板。
对准方法设备

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN202210474737.1在审
发明人：陈国儒;邱士翔;周孟翰;刘书豪;陈亮吟;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本公开提供制造半导体装置的方法。方法包括将中性元素布植进介电层、蚀刻停止层和金属特征，其中介电层设置在蚀刻停止层上方，且金属特征设置穿过介电层和蚀刻停止层。方法进一步包括使用锗气体作为中性元素的来源，且使用高于6.75mA的射束电流布植中性元素。
制造半导体装置方法

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