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[发明专利]一种快速恢复二极管及其制备方法-CN201611159750.9在审
发明人：宣传进;郝建勇;周炳 -专利权人：张家港意发功率半导体有限公司
申请日： 2016-12-15 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速恢复二极管，包括N+型氮化镓外延层和从下到上依次设置在N+型氮化镓外延层一侧上的N型氮化镓外延层、N‑型氮化镓基片层、P型氮化镓外延层、P+型氮化镓外延层和阳极层，所述N+型氮化镓外延层另一侧设置有阴极层本发明中快速恢复二极管采用氮化镓材料制备而成，且其反向恢复时间(tRR)、电流(IRR)、软化因子(S)都得到更加有效的控制，具有良好的应用前景。
一种快速恢复二极管及其制备方法

[发明专利]垂直氮化镓半导体器件和外延衬底-CN200680000348.4有效
发明人：桥本信;木山诚;田边达也;三浦广平;樱田隆 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2006-03-01 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：提供用于垂直氮化镓半导体器件的外延衬底，具有其中在n－型的氮化镓衬底上可以设置具有希望的低载流子浓度的n－型氮化镓层的结构。在氮化镓衬底(63)上设置氮化镓外延膜(65)。在氮化镓衬底(63)和氮化镓外延膜65中设置层区(67)。氮化镓衬底(43)和氮化镓外延膜(65)之间的界面位于层区(67)中。在层区(67)中，沿从氮化镓衬底(63)至氮化镓外延膜(65)的轴的施主杂质的峰值是1×10¹⁸cm^－3以上。该施主杂质是硅和锗中的至少一个。
垂直氮化半导体器件外延衬底

[发明专利]一种改善电流输运能力的发光二极管外延结构及其制备方法-CN202211726144.6在审
发明人：刘宝琴;朱剑峰;张蔚;任飞;袁林 -专利权人：南通同方半导体有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善电流输运能力的发光二极管外延结构及其制备方法，包括从底部往上依次在蓝宝石衬底上生长的外延层，具体包括：缓冲层、氮化镓成核层、外延层一、n型氮化镓层、外延层二、浅量子阱层、多量子阱发光层、电子阻挡层、p型氮化镓层。外延层一包括氮化铝/氮化铝镓/氮化镓组成的超晶格结构；外延层二包括氮化硅/n型氮化铝镓组成的超晶格结构。本发明的外延层一与外延层二分别在n型氮化镓层两侧，能够很好的改善正装发光二极管的电流输运能力。
一种改善电流输运能力发光二极管外延结构及其制备方法

[发明专利]硅基氮化镓射频器件射频损耗的抑制方法-CN202010039835.3在审
发明人：杨学林;沈波;魏来;马骋;吴珊;沈剑飞;刘丹烁;蔡子东;黄华洋;陈正昊 -专利权人：北京大学
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基氮化镓射频器件射频损耗的抑制方法，在高阻硅衬底上外延一层n型单晶硅，得到复合硅衬底，再在其上外延氮化铝和后续的氮化镓薄膜，通过复合硅衬底掺杂的n型电子与铝原子扩散带来的空穴流子复合，从而使硅衬底维持在高阻状态，降低硅基氮化镓射频器件的射频损耗。该方法在有效抑制器件射频损耗的同时，不会降低外延层的晶体质量，不影响器件的稳定性，而且操作简单快捷，成本可控。
氮化射频器件损耗抑制方法

[发明专利]将氮化镓外延层从衬底上剥离的方法-CN201811473218.3有效
发明人：陈辰;宋杰;崔周源 -专利权人：西安赛富乐斯半导体科技有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于将氮化镓外延层从衬底上剥离的方法，所述方法包括：通过MOCVD或MBE沉积方式在图案化蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层；将面积等于或大于所述氮化镓外延层的面积的支撑片通粘合剂粘附在所述氮化镓外延层的上表面并进行固化处理；通过向所述氮化镓外延层与图案化蓝宝石衬底之间的界面施加应力而使得所述氮化镓外延层和支撑片整体从图案化蓝宝石衬底上剥离；以及通过对所述氮化镓外延层和所述支撑片之间的界面的所述粘合剂加热，使得粘合剂融化而使得所述氮化镓外延层与所述支撑片分离
氮化外延衬底剥离方法

[实用新型]氮化镓基外延片及氮化镓基发光二极管-CN202221973703.9有效
发明人：曾家明;郑文杰;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种氮化镓基外延片及氮化镓基发光二极管，包括衬底基板以及依次生长于衬底基板上的缓冲过渡层、第一导电型GaN层、多量子阱层以及第二导电型GaN层；缓冲过渡层包括依次层叠的缓冲子层以及过渡子层，过渡子层包括依次层叠的第一过渡复合层、第一过渡插入层、第二过渡复合层以及第三过渡复合层；第一过渡复合层包括多组交替生长的AlGaN层和未掺杂GaN层，第二过渡复合层包括多组交替生长的InGaN层和未掺杂GaN层，第三过渡复合层包括多组交替生长的MgN层和未掺杂GaN层。本实用新型提出的氮化镓基外延片及氮化镓基发光二极管，能够改善衬底和外延层因晶格失配引起的位错缺陷密度大以及晶体质量差的问题。
氮化外延发光二极管

[发明专利]氮化镓系化合物半导体的外延结构及其制作方法-CN200410031469.8无效
发明人：洪详竣;赖穆人 -专利权人：炬鑫科技股份有限公司
申请日： 2004-03-29 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种氮化镓系化合物半导体的外延结构及其制作方法，该外延结构包括一基材；一第一氮化镓缓冲层，形成于该基材上；一第二氮化铟镓缓冲层，形成于第一氮化镓缓冲层上；及一氮化镓外延层，形成于第二氮化铟镓缓冲层上。该制作方法是在一基材上于第一温度下外延形成一氮化镓第一缓冲层，接着于第二温度下形成另一氮化铟镓第二缓冲层于该第一氮化镓缓冲层上，再将温度升至第三温度并于升温过程中维持前驱物三甲基铟及氨气于氮化铟镓第二缓冲层上做表面处理，最后于第三温度下成长一高温氮化镓外延层。本发明提供的缓冲层结构及成长方法使得后续外延成长的氮化镓系外延层具有较完美的晶体结构及较低的缺陷密度，故能有效地提升组件的效率及使用寿命。
氮化化合物半导体外延结构及其制作方法

[发明专利]一种氮化镓基Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件的电极-CN200610166563.3有效
发明人：张建宝;徐韬 -专利权人：武汉华灿光电有限公司
申请日： 2006-12-30 - 公布日： 2007-07-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种氮化镓基III－V族化合物半导体器件的电极，包括n电极6和p电极7，n电极6位于氮化镓基III－V族化合物半导体器件外延片的n型氮化镓(n－GaN)层2上，p电极7分别位于氮化镓基III－V族化合物半导体器件外延片的p型氮化镓(p－GaN)4和透明电极5上，n电极6由欧姆接触层6A、阻挡层6B和金属压焊层6C三层构成，p电极7由粘附导电层7A、阻挡层7B和金属压焊层7C三层构成，其特征在于：所述欧姆接触层6A和粘附导电层7A均为铬Cr，金属压焊层6C和7C均为金属铝Al。
一种氮化化合物半导体器件电极

[发明专利]基于石墨烯插入层结构的氮化镓基光电探测器的制备方法-CN201810691195.7在审
发明人：宁静;沈雪;王东;张进成;张弛;陈智斌;马佩军;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于石墨烯插入层的氮化镓基光电探测器的制备方法，主要用于解决现有技术在铜衬底上外延生长的氮化物材料质量较差与没有过渡层的问题，其制备步骤为：在α面蓝宝石衬底上磁控溅射氮化铝薄膜；将石墨烯转移到磁控溅射氮化铝薄膜上，得到覆盖石墨烯的蓝宝石基板，并对其进行热处理；在热处理后的蓝宝石基板上生长脉冲氮化铝过渡层；在该过渡层上生长低温氮化镓层，得到氮化镓基板；在氮化镓基板上光刻出窗口图形并制作电极。本发明采用磁控溅射氮化铝和脉冲氮化铝过渡层，并把石墨烯作为其中的插入层，使氮化镓能生长在具有较大晶格失配常数的衬底上，提高了氮化镓基光电探测器的质量，可用于制作氮化镓基光电器件。
石墨烯光电探测器磁控溅射氮化镓基插入层制备氮化铝过渡层氮化铝薄膜氮化镓基板蓝宝石基板热处理过渡层脉冲衬底生长氮化镓基光电器件低温氮化镓层氮化物材料窗口图形晶格失配外延生长蓝宝石电极氮化铝氮化镓上光可用铜衬制作覆盖

[实用新型]一种发光二极管外延片-CN201320358814.3有效
发明人：牛志宇 -专利权人：东莞市德颖光电有限公司
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：一种发光二极管外延片，其结构包括Si衬底层、氮化镓基缓冲层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓基层、多量子阱层、p型铝镓氮层、p型氮化镓层和接触层，其特征在于：还包括生长在所述Si衬底层上的Al2O3保护层；所述接触层包括低In组分的低掺杂n型In0.05Ga0.95N层和高In组分的高掺杂n型In0.1Ga0.9N层。本实用新型的ED外延片，可以阻止SixNy层的形成，并引入新的结构防止ESD对器件的损伤。
一种发光二极管外延

[发明专利]具有双反射层的氮化镓基垂直发光二极管及其制备方法-CN201010170915.9无效
发明人：林素慧;何安和;彭康伟;郑建森;林科闯 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2010-05-04 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开的具有双反射层的氮化镓基垂直发光二极管及其制备方法，在永久基板上形成第二焊接金属；在氮化镓基外延层上形成氧化铟锡导电层，呈网格状分布的分布布拉格反射层形成于氧化铟锡导电层上，在分布布拉格反射层及氧化铟锡导电层的表面暴露部分形成金属反射层，在金属反射层上形成第一焊接金属；氮化镓基外延层通过第一焊接金属、第二焊接金属与永久基板粘合；第一电极形成于氮化镓基外延层顶面，第二电极形成于永久基板底面。本发明采用分布布拉格反射层和金属反射层的双反射层结构，可充分发挥反射层的优异反射性，有效地提高发光二极管的发光效率，有效地避免传统垂直发光二极管中金属反射层与其他金属电极的扩散现象。
具有反射层氮化垂直发光二极管及其制备方法

[发明专利]氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法-CN202110558491.1有效
发明人：王群;郭炳磊;葛永晖;王江波;董彬忠;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本公开提供了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的缓冲层、未掺杂的氮化镓层、N型层、有源层、复合P型层以及P型接触层；复合P型层包括依次层叠在有源层上的第一复合层和第二复合层，第一复合层为氮化镓层，第二复合层为P型氮化镓层，有源层的与第一复合层接触的一面上具有多个凸起，且多个凸起穿过第一复合层，位于第二复合层内，多个凸起为氧化镓材料。该发光二极管外延片可以减少Mg的掺杂，改善小电流下空穴的扩展和有效注入，提高外延片的发光效率。
氮化发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种硅基氮化镓增强型HEMT器件及其制备方法-CN201811505251.X在审
发明人：陈珍海;鲍婕;宁仁霞;周德金;许媛;刘琦;黄伟 -专利权人：黄山学院
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种硅基氮化镓增强型HEMT器件，包括硅衬底、氮化镓外延层、氮化镓沟道层、铝镓氮势垒层、氮化铝插入层、漏极、P型GaN盖帽层、栅极和源极；其中，硅衬底、氮化镓外延层、氮化镓沟道层、铝镓氮势垒层、氮化铝插入层和P型GaN盖帽层的位置关系为自下向上依次排列；所述氮化镓沟道层和铝镓氮势垒层之间形成有二维电子气；栅极设置在P型GaN盖帽层上表面，与P型GaN盖帽层电性接触；源极和漏极通过刻蚀工艺，穿过所述P型GaN盖帽层沉积形成在氮化铝插入层的上表面。本发明的优点是：通过氮化镍薄膜层取代镍金属作为肖特基接触，解决了现有技术中二极管稳定性不够好，反向泄漏电流较大的技术问题。
一种氮化增强 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]氮化镓基垂直器件及其制备方法-CN201911163576.9有效
发明人：康玄武;孙跃;刘新宇;郑英奎;魏珂 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基垂直器件及其制备方法，该器件包括：氮化镓化合物缓冲层；氮化镓掺杂层，与该氮化镓化合物缓冲层相接触；第一电极，设置与该氮化镓掺杂层相接触；第二电极，设置与该氮化镓化合物缓冲层相接触；以及载板；钝化层，设置于载板上；载板互联线，贯穿钝化层，该载板互联线连接第一电极和载板；支撑层，设置于钝化层上，具有开孔结构，该开孔结构暴露钝化层中的载板互联线。本发明提供的该氮化镓基垂直器件及其制备方法，基于异质外延结构如蓝宝石衬底等制作实现，制备时通过激光剥离技术对该蓝宝石衬底进行剥离，结合半导体制造前端和后端工艺，减小了氮化镓基垂直器件的尺寸，提高了器件的散热效率
氮化垂直器件及其制备方法

[发明专利]改进的侧向外延法-CN200510125516.X无效
发明人：彭晖 -专利权人：金芃;彭晖
申请日： 2005-11-17 - 公布日： 2006-06-28 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：改进的ELO方法的一个具体实施实例的主要工艺步骤如下：在生长衬底上，生长第一氮化镓外延层。在第一氮化镓外延层上层叠掩膜层，蚀刻第一掩膜层形成第一氮化镓窗口和第一掩膜层条。生长第二氮化镓外延层，覆盖第一掩膜层条，在第二氮化镓外延层上层叠反射/欧姆/应力缓冲层或导电反射/欧姆/应力缓冲层，键合绝缘或导电支持衬底(导电支持衬底的暴露的一面上层叠电极)，剥离上述生长衬底、第一氮化镓外延层、第一掩膜层条、和第二氮化镓外延层中带有空洞的部分，没有空洞的第二氮化镓外延层暴露，进行热处理。生长氮化镓外延层并在其上层叠掩膜层和蚀刻掩膜层的工艺步骤可以重复多次。
改进侧向外延

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