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[发明专利]一种氮化铝复合缓冲层及制备方法及氮化镓基半导体器件-CN201710175415.6有效
发明人：邢琨;梁华国;欧阳一鸣 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化铝复合缓冲层及制备方法及氮化镓基半导体器件，所述氮化铝复合缓冲层包括：高温氮化铝成核层、高温氮化铝多孔层和脉冲供应高温氮化铝层，所述高温氮化铝成核层镀在蓝宝石衬底上，所述高温氮化铝多孔层镀在高温氮化铝成核层上，所述脉冲供应高温氮化铝层镀在所述高温氮化铝多孔层上，高温氮化铝成核层的厚度为15nm，高温氮化铝多孔层的厚度为100nm，脉冲供应高温氮化铝层的厚度为80nm。本发明提供了一种新型复合氮化铝缓冲层，使得利用MOCVD方法制备高晶体质量的氮化镓材料，进而大幅提升LED的发光效率。
一种氮化复合缓冲制备方法半导体器件

[实用新型]一种氮化铝复合缓冲层及氮化镓基半导体器件-CN201720283425.7有效
发明人：邢琨;梁华国;欧阳一鸣 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种氮化铝复合缓冲层及氮化镓基半导体器件，所述氮化铝复合缓冲层包括高温氮化铝成核层、高温氮化铝多孔层和脉冲供应高温氮化铝层，所述高温氮化铝成核层镀在蓝宝石衬底上，所述高温氮化铝多孔层镀在高温氮化铝成核层上，所述脉冲供应高温氮化铝层镀在所述高温氮化铝多孔层上，高温氮化铝成核层的厚度为15nm，高温氮化铝多孔层的厚度为100nm，脉冲供应高温氮化铝层的厚度为80nm。本实用新型提供了一种新型复合氮化铝缓冲层，使得利用MOCVD方法制备高晶体质量的氮化镓材料，进而大幅提升LED的发光效率。
一种氮化复合缓冲半导体器件

[发明专利]柔性氮化铝薄膜及其制造方法-CN201811604531.6有效
发明人：冯雪;王志建;陈颖 -专利权人：浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种柔性氮化铝薄膜及其制作方法，包括铝基底及氮化铝膜层，所述氮化铝膜层包括第一氮化铝膜层及第二氮化铝膜层，所述第一氮化铝膜层及所述第二氮化铝膜层依次形成于所述铝基底上，所述第一氮化铝膜层为由铝基底的表面经过氮化处理而形成的膜层该柔性氮化铝薄膜中的氮化铝膜层与基底之间的结合力较强。
柔性氮化薄膜及其制造方法

[发明专利]具有渐变的量子势垒层的发光二极管-CN201980039235.2在审
发明人：李晓航 -专利权人：阿卜杜拉国王科技大学
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：一种发光二极管包括：形成在衬底上的n型氮化铝层，形成在该n型氮化铝层上的多量子阱，以及与该多量子阱相邻地形成的p型氮化铝空穴注入层。该多量子阱包括：第一氮化铝量子阱层，其具有固定组分并且由第一氮化铝量子势垒层和第二氮化铝量子势垒层包围，和第二氮化铝量子阱层，其具有固定组分并且由第二氮化铝量子势垒层和第三氮化铝量子势垒层包围。该第一氮化铝量子势垒层、第二氮化铝量子势垒层和第三氮化铝量子势垒层中的至少一个具有渐变的铝组分。第一氮化铝量子势垒层与n型氮化铝层相邻，并且第三氮化铝量子势垒层与p型氮化铝空穴注入层相邻。
具有渐变量子势垒层发光二极管

[发明专利]氮化铝钪材料-CN201910970541.X在审
发明人：吴文斌;舒小敏 -专利权人：江西科泰新材料有限公司
申请日： 2019-10-13 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： C01B21/00 文献下载
摘要：本发明公开一种氮化铝钪材料，具体地说，是氮化铝钪靶材及氮化铝钪颗粒，氮化铝钪颗粒是由氮化铝钪靶材通过机械加工制备而成，用于蒸发镀膜制备氮化铝钪薄膜及器件。氮化铝钪材料化学表达式为：(Sc
氮化铝靶材薄膜可控制备薄膜过程材料化学磁控溅射反应溅射机械加工生产效率稳定现象蒸发镀膜直接制备晶粒镀膜可用

[发明专利]试样保持工具-CN202180047861.3在审
发明人：楢崎义悟 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： C04B35/582 文献下载
摘要：本发明的试样保持工具(10)具备：氮化铝基体(1)和设于该氮化铝基体(1)的内部电极(2)。所述氮化铝基体(1)具有：多个氮化铝粒子(11)、以及位于该氮化铝粒子(11)之间的晶界的氧氮化铝粒子(12)。所述氧氮化铝粒子(12)中固溶有钛(13)。
试样保持工具

[发明专利]一种氮化镓外延层的制备方法-CN202310751770.9在审
发明人：常娟雄;王一;黄永;杨林安;卢灏;邵语嫣;陈兴;吴勇;王东;陆俊;王亦飞;台运涛;何祺伟;张畅;解靖飞;龚子刚;薛荣宇 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓外延层的制备方法，该方法包括如下步骤：在衬底上生长第一氮化铝掩膜层，第一氮化铝掩膜层内包含若干第一氮化铝柱；在第一氮化铝掩膜层上生长第二氮化铝掩膜层，第二氮化铝掩膜层中的第二氮化铝柱为在第一氮化铝柱上成核生长，且相邻第二氮化铝柱之间的间距随着远离第一氮化铝柱逐渐减小；第二氮化铝掩膜层的生长温度高于第一氮化铝掩膜层的生长温度；在第二氮化铝掩膜层上生长氮化镓外延层；将氮化镓外延层自衬底上剥离。本发明中的方法，能够有效减少了衬底向外延层贯穿的穿透位错，缓解氮化镓外延冷却过程中的拉应力，且实现难度较低、时间较短、成本较低。
一种氮化外延制备方法

[发明专利]氮化铝半导体薄膜的制作方法及其结构-CN202010241854.4有效
发明人：林辉;刘锐森;蓝文新;刘召忠;杨小利 -专利权人：江西力特康光学有限公司
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种氮化铝半导体薄膜的制作方法及其结构，涉及半导体设备成膜领域，包括：提供蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底的一侧形成铝金属层；铝金属层进行氮化处理，生成第一氮化铝薄膜；在第一氮化铝薄膜远离蓝宝石衬底的一侧生成第二氮化铝薄膜；对具有第一氮化铝薄膜及第二氮化铝薄膜的蓝宝石衬底进行反应腔外的高温退火处理；在第二氮化铝薄膜远离蓝宝石衬底的一侧生成第三氮化铝薄膜。本申请在生成第二氮化铝薄膜之前，首先在蓝宝石衬底上生成第一氮化铝薄膜，通过第一氮化铝薄膜及第二氮化铝薄膜有效降低后续各层氮化铝薄膜造成的堆积应力，从而能够降低龟裂密度和孔洞缺陷密度，生成高质量的氮化铝半导体薄膜
氮化半导体薄膜制作方法及其结构

[发明专利]柔性声表面波传感器及其制作方法-CN201811605608.1有效
发明人：冯雪;王志建;陈颖 -专利权人：浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：一种柔性声表面波传感器及其制作方法，包括柔性氮化铝薄膜及设置于所述柔性氮化铝薄膜上的电极层，所述柔性氮化铝薄膜包括铝基底及氮化铝膜层，所述氮化铝膜层包括第一氮化铝膜层及第二氮化铝膜层，所述铝基底、所述第一氮化铝膜层及所述第二氮化铝膜层依次层叠设置，所述电极层包括输入电极及输出电极，所述输入电极及所述输出电极间隔设置于所述第二氮化铝膜层上，所述第一氮化铝膜层为由所述铝基底的表面经过氮化处理而形成的膜层。该柔性声表面波传感器中的氮化铝膜层与基底之间的结合力较强。
柔性表面波传感器及其制作方法

[发明专利]一种氮化铝纳米片阵列及其制作方法-CN202010303251.2有效
发明人：黄俊;徐科 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝纳米片阵列的制作方法，该方法包括：在衬底上形成氮化铝单晶材料层；对氮化铝单晶材料层进行刻蚀，以形成由多个氮化铝片组成的氮化铝片阵列，其中，氮化铝片所在的平面垂直于衬底的表面；在电场环境中对氮化铝片阵列进行腐蚀，以减薄氮化铝片的厚度，从而形成氮化铝纳米片阵列，其中，电场的电场方向垂直于氮化铝片所在的平面。本发明还公开了通过上述的方法来制作的氮化铝纳米片阵列。本发明解决了通过现有的普通光刻工艺来制作的氮化铝纳米片阵列的品质无法满足行业标准的问题。
一种氮化纳米阵列及其制作方法

[发明专利]一种氮化铝/氧化铝复相陶瓷及其制备方法-CN201910888372.5在审
发明人：伍尚华;黎业华;聂光临;盛鹏飞 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：本发明属于陶瓷材料制备技术领域，尤其涉及一种氮化铝/氧化铝复相陶瓷及其制备方法。本发明氮化铝/氧化铝复相陶瓷的制备方法中，通过在氧化铝陶瓷混合物中掺杂碳源再成型并进行真空碳化处理得到氧化铝陶瓷坯体，再将氧化铝陶瓷坯体进行碳热还原氮化处理后，在氧化铝坯体内原位引入氮化铝陶瓷，再依次进行脱碳处理和烧结处理，得到氮化铝/氧化铝复相陶瓷，可实现氮化铝二次相在氧化铝基体中的均匀分布，有利于提升氮化铝/氧化铝复相陶瓷的热导率，制备得到的氮化铝/氧化铝复相陶瓷具有优良的导热性能和致密性能；且通过碳热还原氮化处理原位引入氮化铝陶瓷，可以降低氮化铝/氧化铝复相陶瓷的制备成本。
氮化铝氧化铝复相陶瓷制备氧化铝陶瓷碳热还原氮化氮化铝陶瓷坯体陶瓷材料制备氧化铝基体导热性能烧结处理体内原位脱碳处理真空碳化致密性能二次相混合物热导率再成型引入掺杂

[发明专利]利用离子注入释放单晶氮化铝应力的方法-CN202210146662.4在审
发明人：姜文铮;母志强;朱宇波;陈玲丽;俞文杰;李卫民 -专利权人：上海集成电路材料研究院有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种利用离子注入释放单晶氮化铝应力的方法，包括步骤：1)于衬底上形成预铺铝层；2)在第一温度下于预铺铝层上形成第一氮化铝层；3)在第二温度下于第一氮化铝层上形成第二氮化铝层，其中，第二温度大于第一温度；4)于第一氮化铝层或第二氮化铝层中注入氢离子或氦离子，以在第一氮化铝层或第二氮化铝层中形成用于应力释放的缺陷层；5)通过热处理使第二氮化铝层的应力通过缺陷层释放并同时修复缺陷层中的缺陷，以获得低应力氮化铝层；6)于低应力氮化铝层上形成第三氮化铝层。本发明可以获得低应力、低缺陷、无裂纹的氮化铝薄膜，同时可依据不同的需求实现不同厚度的氮化铝薄膜的生长。
利用离子注入释放氮化应力方法

[实用新型]一种氮化铝模板-CN202123378500.3有效
发明人：蒋国文;徐广源;樊怡翔;常煜鹏;史文剑;李天华;李晋闽 -专利权人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本公开涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种氮化铝模板。所述氮化铝模板包括衬底，氮化铝缓冲层，所述氮化铝缓冲层设于所述衬底上；第一氮化铝外延层，设置在所述氮化铝缓冲层上，所述第一氮化铝外延层的上表面设置有多个孔洞；氮化铝覆盖外延单元，覆盖在所述第一氮化铝外延层上，所述氮化铝覆盖外延单元的下表面与所述孔洞贴合，并在所述孔洞处横向聚合。
一种氮化模板

[发明专利]一种氮化铝陶瓷基板及其制备方法和应用-CN202210612897.8在审
发明人：伍尚华;汪亮;盛鹏飞;聂光临;郭伟明 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C04B35/582 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝陶瓷基板及其制备方法和应用，涉及氮化铝陶瓷材料技术领域。氮化铝陶瓷基板的制备方法，包括：S1，通过真空无压烧结法制备氮化铝陶瓷材料；S2，将所述氮化铝陶瓷材料在空气气氛的条件下进行氧化，得到氮化铝陶瓷基板；其中，所述氮化铝陶瓷材料的原料包括氮化铝、氮化锆以及稀土氧化物本发明制备得到的氮化铝陶瓷基板具有高热导以及高抗弯强度，可应用于电子元器件基板中。
一种氮化陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]一种多孔钪氮化铝单晶材料、其制备方法及应用-CN202110751387.4有效
发明人：陈晨龙;蔡文汉;叶宁;颜涛;王俪霖;李俊谕;孙姝婧 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所;闽都创新实验室
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本申请公开了一种多孔钪氮化铝单晶材料及其制备方法、应用，所述多孔钪氮化铝单晶材料是多孔钪氮化铝单晶薄膜和/或多孔钪氮化铝单晶晶体；所述多孔钪氮化铝单晶晶体和所述多孔钪氮化铝单晶薄膜的尺寸为0.1cm～15cm本发明是基于气相生长原理制备多孔钪氮化铝，通过调控制试验参数，获得低应力的无开裂的高质量多孔氮化铝体单晶。若以多孔钪氮化铝单晶作为钪氮化铝基器件的外延衬底，可以起到应力释放和减少位错的作用，比无孔钪氮化铝单晶衬底相比较，更具优势。该方法成本低,容易操作，易于重复。
一种多孔氮化铝单晶材料制备方法应用

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