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[发明专利]具备语音和视频识别功能的智能车顶控制系统-CN202310385136.8在审
发明人： 陈珍海;侯丽;汪伟;何千道;黄正能 -专利权人：黄山市瑞兴汽车电子有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： B60Q3/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种具备语音和视频识别功能的智能车顶控制系统，具体包括图像识别控制模块、语音识别控制模块、车顶灯光控制模块、开关按键控制模块、高速总线通信模块、综合控制模块和电源供电模块。本发明基于深度学习和注意力机制，对驾驶员的驾驶行为和语音进行识别，提高了驾驶行为识别和语音识别精度；并在电源电路模块采用负载自适应调整技术，降低供电电路的损耗，具有高可靠性和高智能化优势。
具备语音视频识别功能智能车顶控制系统

[发明专利]一种判别电平自适应的高精度输入信号接收电路-CN202210041449.7有效
发明人：许媛;何宁业;申福伟;宁仁霞;汪礼;陈珍海;鲍婕 -专利权人：黄山学院
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种判别电平自适应的高精度输入信号接收电路，包括：偏置和滤波模块连接输入信号，输入信号经过滤波连接比较器模块第一信号输入端，偏置和滤波模块还向比较器模块提供两个偏置电压；比较器模块的输出信号连接输出整形模块的输入端；输出整形模块的数据输出端为整体电路输出，输出整形模块还向判别电平自适应产生模块输出3路控制信号；判别电平自适应产生模块根据控制信号产生判别电平到比较器模块第二信号输入端，判别电平自适应产生模块还向偏置和滤波模块提供两个偏置电压。本发明通过输出信号反馈产生波动的判别电平，可以有效提高电路进行电平判别的抗干扰噪声容限；同时比较器模块采用动态偏置，瞬间电流增大，加快响应速度。
一种判别电平自适应高精度输入信号接收电路

[发明专利]低延时高速输出驱动电路-CN202310477715.5在审
发明人：申福伟;许媛;铁瑞芳;何宁业;陈珍海;宁仁霞 -专利权人：黄山学院
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：本发明公开了一种低延时高速输出驱动电路，该电路包括：k个尺寸逐级放大的高侧反相器链、k个尺寸逐级放大的低侧反相器链、高侧驱动PMOS管、低侧驱动NMOS管、电平移位电路、高侧浮动电源产生电路以及低侧电源产生电路。本发明所述高速输出驱动电路采用高速电平移位电路、高侧浮动和低侧降压电源产生电路，通过减小内部电路高低电平信号幅度的方式实现速度提升。本发明对于不同的电源电压，其内部大尺寸输出驱动LDMOS管的栅压控制信号摆幅均为固定值，不受输出驱动电源电压的变化影响。
延时高速输出驱动电路

[发明专利]基于深度学习和自注意机制的车顶控制系统-CN202310385137.2在审
发明人：侯丽;陈珍海;汪伟;何千道;黄正能 -专利权人：黄山市瑞兴汽车电子有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B60Q3/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于深度学习和自注意机制的车顶控制系统，具体包括：开关按键及灯光控制模块、高速总线通信模块、电源供电模块、摄像头、图像预处理模块、图像存储器、综合控制模块和应急安全响应模块。本发明在车顶控制模块中集成摄像头、图像存储和处理系统，基于深度学习和自注意力机制，实现驾驶员驾驶行为识别，并与现有的汽车紧急情况的预警和求救系统进行融合设计，提升车内安全控制能力，具有高可靠性和高智能化优势。
基于深度学习注意机制车顶控制系统

[发明专利]具备高频干扰抑制能力的电平移位电路-CN202310384944.2在审
发明人：何宁业;铁瑞芳;申福伟;许媛;宁仁霞;陈珍海 -专利权人：黄山学院
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H02M1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种具备高频干扰抑制能力的电平移位电路，其结构包括依次连接的输入接收电路模块、电平移位电路模块以及整形滤波电路模块。本发明为增强对高频干扰的抑制，在输入接收电路模块采用了控制信号调制，采用控制信号对电平移位电路模块输入信号有效状态进行控制，在控制信号无效时避免外部干扰输入信号的输入；电平移位电路模块采用了延迟反馈技术，限制高频干扰进一步输出；整形滤波电路模块则进一步采用了RC低通滤波和施密特触发器组合滤波，最终实现高频干扰的滤除。
具备高频干扰抑制能力电平移位电路

[发明专利]高效率栅驱动电路-CN202310144528.5在审
发明人： 陈珍海 -专利权人：江苏中科汉韵半导体有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效率栅驱动电路，用于功率开关SiC MOSFET的驱动。该电路包括：输入接收电路、高压带隙基准、内部电源产生电路、高效率输出驱动电路、过流保护电路、过温保护电路、欠压保护电路、振荡器OSC、波形调制电路、控制逻辑和误差放大器。还包括5个对外引脚，分别是：芯片电源引脚VDD，外部输入脉冲引脚INX，电流检测引脚CS，输出驱动开关引脚VO，地引脚GND。本发明所提供的高效率栅驱动通过采用多种芯片异常状态监测保护电路，提高整体芯片功能可靠性；本发明还采用了高输出效率的输出驱动电路，通过自适应识别负载大小和输入控制脉冲的频率，实时自适应调整提供最优的输出驱动电流，实现提高效率的目标。
高效率驱动电路

[发明专利]具备退饱和保护功能的SiC MOSFET栅驱动电路-CN202211593678.6在审
发明人： 陈珍海;何宁业;袁述;王家琪 -专利权人：江苏中科汉韵半导体有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种具备退饱和保护功能的SiC MOSFET栅驱动电路，包括输入接收电路、第一调制发送电路、高压隔离电路、第一接收放大电路、第一OOK解调电路、输出缓冲电路、第二OOK解调电路、第二接收放大电路、第二调制发送电路、高精度退饱和保护电路、第一OSC振荡器和第二OSC振荡器。本发明采用的高精度接收放大电路，采用多级级联结构提高小信号放大能力，另外可以调整共模电压大小，提高接收信号的识别精度和共模工作范围；OOK解调电路采用了多级比较器结构，以提高OOK信号解调精度；通过检测SiC MOSFET的VDS的电压变化斜率来判断VDS电压的状态是否在安全区间，可以动态监测VDS所有异常变化，提高Desat保护精度，最终大幅提高了栅驱动芯片的精度和可靠性。
具备饱和保护功能 sic mosfet 驱动电路

[发明专利]低寄生电感高可靠级联增强型GaN HEMT器件-CN201910790251.7有效
发明人： 陈珍海;许媛;闫大为;占林松;鲍婕;宁仁霞;黄伟;吕海江 -专利权人：黄山学院
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于电力电子技术领域，具体为低寄生电感高可靠级联增强型GaN HEMT器件，包括：封装外壳、绝缘胶、导电焊料、高压耗尽型晶体管、低压增强型晶体管、电压调整电路、第一导电基板、第二导电基板、第三导电基板、第四导电基板、第一绑定线、第二绑定线和第三绑定线。本发明所提供的级联增强型GaN HEMT器件通过将绑定线长度最小化实现寄身电感的优化；另外，增加了电压调整电路，保证高压耗尽型GaN器件工作在安全区域状态。
寄生电感可靠级联增强 gan hemt 器件

[发明专利]SiC MOSFET高精度短路保护电路-CN202211593635.8有效
发明人： 陈珍海;何宁业;袁述;王家琪 -专利权人：江苏中科汉韵半导体有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H02H7/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种SiC MOSFET高精度短路保护电路，包括外部接口电路、时钟产生电路、电压跟随检测电路、综合控制逻辑电路、电压检测电路、输出驱动电路、检测电阻Rd1、检测电阻Rd2和检测电容Cd1。电压检测电路用于检测Desat信号经检测电阻Rd1、检测电阻Rd2和检测电容Cd1分压滤波产生的退饱和输入信号Vdes，并在退饱和控制时钟的控制下输出退饱和采样信号Vdesin。电压跟随检测电路依据退饱和采样信号Vdesin输出退饱和量化信号Ddes给综合控制逻辑电路。综合控制逻辑电路用于产生功率开关驱动信号Dout、错误信号Error和控制信号。本发明通过检测漏源极电压（VDS）变化斜率来判断VDS电压的状态是否在安全区间，可以动态监测VDS的所有异常变化，大幅提高了短路保护电路的保护精度。
sic mosfet 高精度短路保护电路

[发明专利]一种高功率密度IGBT模块的双面水冷散热结构及加工工艺-CN201910191204.0有效
发明人：许媛;张燕飞;鲍婕;宁仁霞;陈珍海;周斌;张俊武 -专利权人：黄山谷捷股份有限公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明涉及一种高功率密度IGBT模块的双面水冷散热封装结构及加工工艺，其结构包括IGBT子单元、二极管子单元、覆铜陶瓷基板、缓冲垫片、焊料层、导热硅脂层、石墨烯散热层以及上下水冷板散热器。所述的石墨烯散热层将转移至指定位置的芯片表面作为快速横向散热层，将芯片的局部热量迅速横向铺开，实现局部热点快速降温。本发明制作简单，灵活性高，可有效缓解水冷散热器散热不均匀，从而提升器件可靠性及使用寿命。
一种功率密度 igbt 模块双面水冷散热结构加工工艺

[发明专利]一种自注意力深度学习端到端的行人再识别方法-CN202010016162.X有效
发明人：侯丽;刘琦;陈珍海;汪伟;曹俊呈 -专利权人：黄山学院
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G06V40/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种自注意力深度学习端到端的行人再识别方法，涉及机器学习与模式识别技术领域，用于提升行人再识别的性能，包括以下步骤：1)以三元组图像作为深度学习网络的输入数据，采用预先训练的Resnet50深度网络去除最后一层分类层提取图像的深度特征；2)在深度特征的基础上，通过自注意力网络，进一步获取自注意力特征；3)融合自注意力特征与深度特征，产生更具辨识力的图像特征；4)以多分类任务和验证任务的损失函数共同监督网络的训练，经过多次迭代不断地优化网络模型参数，从而获取用于行人再识别的优选模型。
一种注意力深度学习端到端行人识别方法

[发明专利]适用于GaN器件的低延时高侧驱动电路-CN202010314887.7有效
发明人： 陈珍海;吴勇;何宁业;汪礼;许媛;宁仁霞;王东;鲍婕;吕海江 -专利权人：黄山学院;西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于GaN器件的低延时高侧驱动电路，该电路包括低延时高压电平移位电路和输出驱动电路；低压输入数据首先进入低延时高压电平移位电路，得到低电位浮动的驱动数据Din进入输出驱动电路，经驱动放大得到具有较大驱动能力的输出信号HO；所述低延时高压电平移位电路，需要使用低压地VSS和浮动地SW两组地电位，所述输出驱动电路只需要使用浮动地SW。本发明所提供用于GaN器件的低延时高侧驱动电路通过正反馈驱动电流增强技术减小电平移位电路的延迟，并可以根据负载大小和输入控制脉冲的频率自适应调整驱动电流最大程度上提高效率，可以广泛应用于各类栅驱动芯片中。
适用于 gan 器件延时驱动电路

[发明专利]用于高压栅驱动芯片的高精度带隙基准电压产生电路-CN202110349641.8有效
发明人：何宁业;汪礼;侯丽;许媛;陈珍海;宁仁霞;鲍婕;吕海江 -专利权人：黄山学院
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于高压栅驱动芯片的高精度带隙基准电压产生电路结构，包括带有补偿网络的带隙基准电压产生电路。为了避免运放失调对基准电路的精度产生影响，本发明所提供的高精度带隙基准电压产生电路，一方面没有采用运放结构，而将与电源无关的偏置电路与晶体管结合，用以产生基准电压；另一方面，利用高阶曲率补偿技术，解决了一阶补偿所固有的温度曲率问题，有效提高了带隙基准的温度稳定性。
用于高压驱动芯片高精度基准电压产生电路

[发明专利]一种IGBT散热装置-CN202211293859.7在审
发明人：周德金;徐宏;陈珍海;葛荣;黄金荣 -专利权人：无锡英诺赛思科技有限公司
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT散热装置，涉及IGBT散热领域，解决了现有IGBT散热装置使用时内部液冷需要单独安装循环电机等元器件进行电路控制，增加自身产热量的同时增加了生产使用成本和损坏风险的问题，包括芯片、封装壳体、循环装置和降温装置，封装壳体内固定连接有液冷管，此IGBT散热装置，便于利用芯片运行时自身的发热量带动液冷管内的制冷液进行不断单向循环流动，并通过降温装置散发到外界，大大提升了散热效率的同时无需额外增加驱动电机和电路，减少内部器件的产热量，结构整体通过热力驱动，消耗内能产生机械能进行驱动，使得热量得以合理利用，节约了使用成本。
一种 igbt 散热装置

[发明专利]低寄生电感高可靠级联增强型GaN全桥功率模块-CN201910790227.3有效
发明人： 陈珍海;许媛;顾晓峰;占林松;鲍婕;宁仁霞;黄伟;吕海江 -专利权人：黄山学院
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明属于电力电子技术领域，具体为低寄生电感高可靠级联增强型GaN全桥功率模块，包括第一级联增强型GaN HEMT器件351、第二级联增强型GaN HEMT器件352、第三级联增强型GaN HEMT器件353、第四级联增强型GaN HEMT器件354和一个全桥栅驱动电路350。本发明所提供的模块中任一级联增强型GaN HEMT器件都通过将绑定线长度最小化实现寄身电感的优化；另外，还增加了电压调整电路，保证其内部的高压耗尽型GaN器件工作在安全区域状态,进一步提高其可靠性。
寄生电感可靠级联增强 gan 功率模块

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