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[发明专利]高压紫外发光二极管及发光装置-CN202210351829.0在审
发明人：曾明俊;彭康伟;林素慧;江宾;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种高压紫外发光二极管，其包括衬底和多个发光结构，多个发光结构设置在衬底上且相互之间电性连接，各发光结构包括第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一接触电极和第二接触电极，第一半导体层位于衬底与发光层之间，发光层位于第一半导体层与第二半导体层之间，第一接触电极位于第一半导体层之上，第二接触电极位于第二半导体层之上，其中，俯视来看，各发光结构的第二接触电极具有四个边，四个边在一个环绕方向上依次定义为第一边、第二边、第三边和第四边，第一接触电极至少围住四个边中的三个边。借此设置，可以改善高压紫外发光二极管的光衰特性和电光转换效率，提升紫外发光二极管的可靠性，加强杀菌消毒能力。
高压紫外发光二极管发光装置

[发明专利]倒装发光二极管及其制备方法-CN202110831415.3有效
发明人： 林素慧;黄敏;张中英;彭康伟;江宾;曾明俊;曾炜竣 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种倒装发光二极管及其制备方法，包括外延主体层、挡墙和保护层；外延主体层包括在第一表面和第二表面之间依次排列的第一半导体层、有源层和第二半导体层；位于有源层和第二半导体层侧壁处的挡墙与外延主体层之间存在第一间隙；第一间隙的深度大于有源层和第二半导体层的总厚度；保护层至少覆盖外延主体层的第二表面和第一间隙的内表面；保护层包括第一绝缘层、第二绝缘层和金属层，金属层位于由第一绝缘层和第二绝缘层所围合成的封闭空间内。挡墙位于切割处与外延主体层之间，其能够在切割时减小外延主体层侧壁处的保护层所产生的应力，避免外延主体层侧壁处的保护层在应力作用下断裂，提高倒装发光二极管的可靠性。
倒装发光二极管及其制备方法

[发明专利]倒装发光二极管-CN202111057539.7有效
发明人：黄敏;詹宇;夏章艮;洪灵愿;林素慧;张中英 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本申请公开了一种倒装发光二极管，包括半导体堆叠层，以及位于半导体堆叠层上的第一金属电极和第二金属电极，第一金属电极和第二金属电极均为无金叠层结构；无金叠层结构包括铝反射层、以及位于铝反射层上表面的至少一层铂金属层。本申请通过将第一金属电极和第二金属电极设置成无金叠层结构，能够避免第一金属电极和第二金属电极中的金层所导致的异常现象，且厚度较小，能够提升在电极表面上方的绝缘层的覆盖连续性以及焊盘的覆盖连续性，提高倒装发光二极管的可靠性。
倒装发光二极管

[发明专利]一种倒装半导体发光元件、半导体发光器件及显示装置-CN202310712334.0在审
发明人：黄敏;夏章艮;詹宇;林素慧;何安和;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种倒装半导体发光元件、半导体发光器件及显示装置，半导体发光元件包括衬底以及形成在衬底上的发光外延层，在发光外延层上方形成电极结构时，省略发光外延层上方局部覆盖发光外延层的第一电极层，使得发光外延层的表面较高的平整度。后续形成绝缘反射层以及绝缘保护层时，能够保证绝缘反射层和绝缘保护层的平整度。并且在本发明中，绝缘反射层和绝缘保护层的整体厚度不大于3μm，这样在绝缘反射层和绝缘保护层中形成电极通孔时不会出现异常突起，电极通孔具有良好的形貌，后续形成的电极焊盘在电极通孔内的粘附性以及在绝缘保护层上方的粘附性增强，电极焊盘不会出现裂缝或者断裂等缺陷，由此增强器件的稳定性和可靠性。
一种倒装半导体发光元件器件显示装置

[发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN202310675281.X在审
发明人：曾炜竣;彭康伟;林素慧;江宾;曾明俊;黄敏 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-02-20 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体发光元件及其制造方法。该发光元件包含：发光叠层，包含相对设置的第一表面以及第二表面，其具备：第一半导体层，其具备第一导电性，第二半导体层，其具备与第一导电性不同的第二导电性，及有源层，其介于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；接触电极，形成于所述发光叠层第一表面上，与所述发光叠层接触；以及绝缘层，位于所述发光叠层上，覆盖所述发光叠层和接触电极；其中，所述接触电极包含多种金属元素，所述多种金属元素至少包含一种功函数为不小于5 eV的第二金属，所述第二金属接触于第一表面上。
半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]DBR结构、LED芯片、半导体发光器件及制造方法及显示面板-CN202310611638.8在审
发明人：王庆;栗伟;何敏游;刘士伟;洪灵愿;林素慧;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种DBR结构、LED芯片、半导体发光器件及其制造方法及显示面板。本发明的DBR结构包括多个反射膜组，反射膜组包括依次叠置的折射率不同的第一材料层和第二材料层；其中，沿所述反射膜组的堆叠方向，DBR结构包含：第一区域及第二区域，第一材料层在第一区域和第二区域的光学厚度范围不同，第二材料层在第一区域和第二区域的光学厚度范围不同。该DBR结构还可以包括设置在反射膜组下方的第二材料层。上述第一材料层的折射率小于第二材料层的折射率。通过设置材料层不同的光学厚度，上述DBR结构的第一区域对芯片内部的反射最大化，第二区域对35°~45°及50°~55°的光具有较低的透射率，从而降低芯片的正面透光率。
dbr 结构 led 芯片半导体发光器件制造方法显示面板

[发明专利]一种发光二极管-CN201980006009.4有效
发明人：王庆;马全扬;陈大钟;洪灵愿;彭康伟;林素慧 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供如下发光二极管，其包括：透明衬底，该透明衬底具备第一表面；半导体垒晶叠层，包括在透明衬底的第一表面依次堆叠的第一导电型半导体层、活性层和第二导电型半导体层；DBR反射层，覆盖所述半导体垒晶叠层的顶表面以及侧壁，具有第一开口和第二开口；第一电极和第二电极，分别通过所述第一开口和第二开口与所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层电连接；DBR反射层中含有空洞。本发明通过在DBR反射层中引入空洞使DBR叠层之间具有更大的折射率差，使反射率得到了提升，从而提高发光效率。
一种发光二极管

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202280006115.4在审
发明人：陈思河;臧雅姝;曾炜竣;黄少华;蔡吉明;张中英;林素慧;龙思怡 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括半导体叠层，半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，半导体叠层具有多个通孔，各通孔是自第二半导体层向下延伸至第一半导体层，各通孔裸露出第一半导体层的部分表面；其中，发光二极管具有额定电流，通孔具有第一半径，第一半径与额定电流的比值范围为0.1～0.4。借此，增强载子传导能力，使得局域电流密度的均等化，避免集中区电流带来的热效应，发光层烧出熔洞或烧穿，避免直下的电损伤，直接击穿PN结，进而提升发光二极管的抗ESD性能。
发光二极管发光装置

[发明专利]一种发光二极管、光电模块及显示装置-CN202310495292.X在审
发明人：何安和;林素慧;曾江斌;卢超;黄敏;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及发光二极管制造技术领域，特别涉及一种发光二极管、光电模块及显示装置，该发光二极管，包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，具有相对的第一表面和第二表面，其中所述第二表面具有至少一顶针作业区域；所述第二接触电极自第二焊盘电极绕开顶针作业区域，并向第一焊盘电极方向延伸。本发明提供的发光二极管通过将第二接触电极设置在芯片的顶针作业区域外以及在第二接触电极设置弯曲点使得接触电极形状发生改变，既扩大顶针作业窗口以避免顶针顶破接触电极凸起而容易顶破导致芯片异常的问题，又可避免因接触电极外移导致的电流变化而引起的发光不均匀的问题。
一种发光二极管光电模块显示装置

[发明专利]发光二极管芯片及其制备方法-CN202310056275.6在审
发明人：曾江斌;何安和;彭康伟;林素慧;张中英;刘鹏;詹宇;卢超;王庆;洪灵愿 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本公开涉及一种LED芯片及其制备方法。所述LED芯片包括：衬底、外延结构、电极金属层和共晶金属层；其中，共晶金属层的延伸率大于电极金属层的延伸率，共晶金属层的硬度小于电极金属层的硬度。所述LED芯片能够提升LED芯片的柔韧性，以降低LED芯片中共晶金属层剥离的风险，提高LED芯片的使用可靠性；并且，还能增强LED芯片中电极金属层的抗电迁移能力，以避免电极金属层因长期工作发热而出现功能退化或失效的问题。
发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]一种倒装半导体发光元件、半导体发光器件及显示装置-CN202110804410.1有效
发明人：黄敏;夏章艮;詹宇;林素慧;何安和;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明提供一种倒装半导体发光元件、半导体发光器件及显示装置，半导体发光元件包括衬底以及形成在衬底上的发光外延层，在发光外延层上方形成电极结构时，省略发光外延层上方局部覆盖发光外延层的第一电极层，使得发光外延层的表面较高的平整度。后续形成绝缘反射层以及绝缘保护层时，能够保证绝缘反射层和绝缘保护层的平整度。并且在本发明中，绝缘反射层和绝缘保护层的整体厚度不大于3μm，这样在绝缘反射层和绝缘保护层中形成电极通孔时不会出现异常突起，电极通孔具有良好的形貌，后续形成的电极焊盘在电极通孔内的粘附性以及在绝缘保护层上方的粘附性增强，电极焊盘不会出现裂缝或者断裂等缺陷，由此增强器件的稳定性和可靠性。
一种倒装半导体发光元件器件显示装置

[发明专利]一种半导体发光元件和发光装置-CN202110643648.0有效
发明人：刘鹏;卢超;曾江斌;何安和;洪灵愿;林素慧;黄敏;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体发光元件和发光装置，其中所述的半导体发光元件包括：半导体层和焊盘；半导体层包括：第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和两者之间的发光层；焊盘，包括第一焊盘、第二焊盘，位于半导体层上，第一焊盘、第二焊盘分别与第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层连接；焊盘包括含锡银层，含锡银层具有相对的第一表面和第二表面，第一表面相对第二表面更靠近半导体层，自第一表面开始计算或者自第二表面开始计算，D1厚度内银原子数相对于锡和银的总原子数的原子百分比具有一个峰值，所述的D1厚度为大于0微米。通过在含锡银层第一表面或者第二表面附近设置一层高银含量的含锡银层，减少锡与其它金属扩散形成的空洞，增强结合力。
一种半导体发光元件装置

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN201980004676.9有效
发明人： 林素慧;彭康伟;黄苡叡;张中英;何安和;黄禹杰;王锋 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种显示装置的制造方法，包括步骤：提供N个LED芯片集合，N个LED芯片集合由N个晶圆切割而来，没有重新排列，其中第一个LED芯片集合产自第一个晶圆，第二个LED芯片集合产自第二个晶圆，……第N个LED芯片集合产自第N个晶圆，其中N为大于2的整数；提供电路板（200），电路板（200）的上表面有一系列的LED芯片安装区（210）；从N个LED芯片集合选取LED并转移到电路板（200），直至芯片安装区（210）排满LED芯片，来自不同LED芯片集合的芯片混合排列；对LED芯片进行封装，形成显示装置。还提供一种显示装置。
显示装置及其制造方法

[发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN202180001695.3有效
发明人：曾炜竣;彭康伟;林素慧;江宾;曾明俊;黄敏 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-02-20 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体发光元件及其制造方法。该发光元件包含：发光叠层，包含相对设置的第一表面以及第二表面，其具备：第一半导体层，其具备第一导电性，第二半导体层，其具备与第一导电性不同的第二导电性，及有源层，其介于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；接触电极，形成于所述发光叠层第一表面上，与所述发光叠层接触；以及绝缘层，位于所述发光叠层上，覆盖所述发光叠层和接触电极；其中，所述接触电极包含多种金属元素，所述多种金属元素至少包含一种功函数为不小于5 eV的第二金属，所述第二金属接触于第一表面上。
半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]DBR结构、LED芯片、半导体发光器件及制造方法及显示面板-CN202080007443.7有效
发明人：王庆;栗伟;何敏游;刘士伟;洪灵愿;林素慧;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：一种DBR结构、LED芯片、半导体发光器件及其制造方法及显示面板。DBR结构包括多个反射膜组(1001)，反射膜组(1001)包括依次叠置的折射率不同的第一材料层(1011)和第二材料层(1012)；其中，沿所述反射膜组(1001)的堆叠方向，DBR结构包含：第一区域(101)及第二区域(102)，第一材料层(1011)在第一区域(101)和第二区域(102)的光学厚度范围不同，第二材料层(1012)在第一区域(101)和第二区域(102)的光学厚度范围不同。该DBR结构还可以包括设置在反射膜组(1001)下方的第二材料层(1012)。上述第一材料层(1011)的折射率小于第二材料层(1012)的折射率。通过设置材料层不同的光学厚度，上述DBR结构的第一区域(101)对芯片内部的反射最大化，第二区域(102)对35°‑45°及50°‑55°的光具有较低的透射率，从而降低芯片的正面透光率。
dbr 结构 led 芯片半导体发光器件制造方法显示面板

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