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[发明专利]在PSS衬底上沿半极性面外延生长GaN基片的方法-CN201811472350.2有效
发明人：陈辰;宋杰;崔周源 -专利权人：西安赛富乐斯半导体科技有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开涉及一种在PSS衬底上沿半极性面外延生长GaN基片的方法，包括：在PSS衬底上在处理腔室内的第一温度环境下沿着半极性面外延生长成平坦的第一GaN半导体层；停止施加Ga载气，在处理腔室内第三温度环境下施加Si载气，从而采用MOCVD方式在第一GaN半导体层表面生成第三厚度的氮化硅层；停止施加硅载气，并将处理腔室内温度升高到第四温度从而使得氮化硅层部分熔化而形成氮化硅岛体；在第一温度下，在之前生成的第一GaN半导体层的表面以及氮化硅岛体的侧壁上继续外延生长形成第一GaN半导体层，直到最后包裹并覆盖氮化硅岛体后到第一厚度为止；以及在处理腔室内第二温度环境下沿着半极性面继续外延生长第二GaN半导体层到第二厚度为止。
pss 衬底上沿半极性外延生长 gan 方法

[发明专利]形成半极性氮化镓单量子阱蓝光发光器件的方法-CN201811472347.0有效
发明人：陈辰;宋杰;崔周源 -专利权人：西安赛富乐斯半导体科技有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本公开涉及一种半极性氮化镓单量子阱蓝光发光器件，其包括：N型氮化镓层；P型氮化镓层；以及单量子阱有源层，位于N型氮化镓层和P型氮化镓层之间，所述单量子阱材料为InxGayN1‑x‑y，所述x值为0.1‑0.2之间，其厚度为
形成极性氮化量子阱蓝光发光器件方法

[发明专利]将氮化镓外延层从衬底上剥离的方法-CN201811473218.3有效
发明人：陈辰;宋杰;崔周源 -专利权人：西安赛富乐斯半导体科技有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于将氮化镓外延层从衬底上剥离的方法，所述方法包括：通过MOCVD或MBE沉积方式在图案化蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层；将面积等于或大于所述氮化镓外延层的面积的支撑片通粘合剂粘附在所述氮化镓外延层的上表面并进行固化处理；通过向所述氮化镓外延层与图案化蓝宝石衬底之间的界面施加应力而使得所述氮化镓外延层和支撑片整体从图案化蓝宝石衬底上剥离；以及通过对所述氮化镓外延层和所述支撑片之间的界面的所述粘合剂加热，使得粘合剂融化而使得所述氮化镓外延层与所述支撑片分离。
氮化外延衬底剥离方法

[实用新型]半极性氮化镓半导体构件-CN201822029597.9有效
发明人：陈辰;宋杰;崔周源 -专利权人：西安赛富乐斯半导体科技有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本公开涉及一种半极性氮化镓半导体构件，其包括：N型氮化镓层；P型氮化镓层；有源层，位于N型氮化镓层和P型氮化镓层之间，包括最多三个量子阱层；以及第一静电保护层，位于N型氮化镓层与有源层之间；以及第二静电保护层，位于有源层与P型氮化镓层之间。
源层氮化镓半导体静电保护层半极性量子阱层

[实用新型]具有(20-2-1)面的半极性氮化镓的外延层-CN201822021967.4有效
发明人：陈辰;宋杰;崔周源 -专利权人：西安赛富乐斯半导体科技有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L33/16 文献下载
摘要：本公开涉及一种具有(20‑2‑1)面的半极性氮化镓的外延层，包括：第一半极性氮化镓外延层以及第二半极性氮化镓外延层，其中第一半极性氮化镓外延层生长于图案化蓝宝石衬底上，而第二半极性氮化镓外延层采用氢化物气相外延(HVPE)方法生长在第一半极性氮化镓外延层的背向图案化蓝宝石衬底的表面上，第一半极性氮化镓外延层以及第二半极性氮化镓外延层背向图案化蓝宝石衬底的一面都具有(20‑21)取向；以及第一半极性氮化镓外延层的面向图案化蓝宝石衬底的通过化学‑机械抛光法(CMP)进行平坦化处理的表面具有(20‑2‑1)取向。
氮化镓外延层半极性蓝宝石图案化衬底氮化镓外延层取向氢化物气相外延平坦化处理机械抛光生长

[实用新型]半导体晶片-CN201822029819.7有效
发明人：陈辰;宋杰;崔周源 -专利权人：西安赛富乐斯半导体科技有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体晶片，其包括：含有半极性面的PSS衬底；第一GaN半导体层，外延生长在PSS衬底的半极性面上，并具有第一厚度第二GaN半导体层，外延生长在第一GaN半导体层表面上，具有第二厚度，其中所述第二GaN半导体层与第一GaN半导体层之间有阻断第一GaN半导体层内的穿透位错的氮化硅岛体。
半导体晶片外延生长半极性衬底穿透位错氮化硅岛

[实用新型]在无层错半极性(20-21)GaN基板上制备的发光器件-CN201822021971.0有效
发明人：陈辰;宋杰;崔周源 -专利权人：西安赛富乐斯半导体科技有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本公开提供一种在无层错半极性(20‑21)GaN基板上制备的发光器件，其中包括：无层错半极性面(20‑21)GaN基板；位于无层错半极性(20‑21)GaN基板上的掺杂Si的N型GaN层；在N型GaN层上有源层，包括单量子阱层或多量子阱层，每个量子阱层包括InGaN量子阱和GaN量子垒；在有源层上的掺杂Mg的P型GaN层；以及位于P型GaN层外表面的P型电极和位于N型GaN层的外露表面上的N型电极。
半极性发光器件制备掺杂多量子阱层半极性面单量子阱量子阱层上有源层外露表面量子垒量子阱源层

[实用新型]半极性氮化镓单量子阱蓝光发光器件-CN201822027653.5有效
发明人：陈辰;宋杰;崔周源 -专利权人：西安赛富乐斯半导体科技有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本公开涉及一种半极性氮化镓单量子阱蓝光发光器件，其包括：N型氮化镓层；P型氮化镓层；以及单量子阱有源层，位于N型氮化镓层和P型氮化镓层之间，所述单量子阱材料为In_xGa_yN_1‑x‑y，所述x值为0.1‑0.2之间，其厚度为
单量子阱蓝光发光器件半极性氮化镓源层

[实用新型]半极性氮化镓单量子阱层发光器件-CN201822027731.1有效
发明人：陈辰;宋杰;崔周源 -专利权人：西安赛富乐斯半导体科技有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本公开涉及一种半极性氮化镓单量子阱层发光器件，其包括：N型氮化镓层；P型氮化镓层；以及单量子阱激活层，位于N型氮化镓层和P型氮化镓层之间，所述单量子阱材料为In_xGa_yN_1‑x‑y，其中沿着从N型氮化镓层到P型氮化镓层的厚度方向，所述单量子阱激活层单量子阱材料为In_xGa_yN_1‑x‑y中的x逐渐增大。
单量子阱发光器件半极性氮化镓激活层逐渐增大

[实用新型]半极性氮化镓半导体构件-CN201822027655.4有效
发明人：陈辰;宋杰;崔周源 -专利权人：西安赛富乐斯半导体科技有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本公开涉及一种半极性氮化镓半导体构件，其包括：N型氮化镓层；P型氮化镓层；有源层，位于N型氮化镓层和P型氮化镓层之间，包括最多两个量子阱层；以及第一泄漏电流防护层，位于N型氮化镓层与有源层之间；以及第二泄漏电流防护层，位于有源层与P型氮化镓层之间。
源层氮化镓半导体泄漏电流半极性防护层量子阱层

[实用新型]半导体构件-CN201822021968.9有效
发明人：陈辰;宋杰;崔周源 -专利权人：西安赛富乐斯半导体科技有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体构件，其包括：含有半极性面的PSS衬底；第一GaN半导体层，外延生长在PSS衬底的半极性面，具有第一厚度，所述第一GaN半导体层中具有在其穿透位错处通过刻蚀而形成的空腔，并且所述空腔的深度小于第一厚度；以及第二GaN半导体层，外延生长在第一GaN半导体层表面上，具有第二厚度，所述第二GaN半导体层封闭第一GaN半导体层内的刻蚀空腔。
空腔半导体构件外延生长衬底刻蚀半极性面半极性穿透封闭

[发明专利]基于无层错(20-21)面GaN基板制备发光器件的方法及其发光器件-CN201811472335.8在审
发明人：陈辰;宋杰;崔周源 -专利权人：西安赛富乐斯半导体科技有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本公开提供一种基于无层错(2021)面GaN基板制备发光器件的方法，其中包括：在氮气载气环境中在蓝宝石衬底上外延生长无层错半极性面(2021)GaN基板；在氮气载气环境中在无层错的半极性面(2021)GaN基板上外延生长掺杂Si的N型GaN层；在氮气载气环境中在N型GaN层上周期性地交替生长InGaN量子阱和GaN量子垒从而构成单量子阱层或多量子阱层的有源层；以及在氮气载气环境中生长掺杂Mg的P型GaN层。
氮气载气制备发光器件半极性面外延生长掺杂多量子阱层蓝宝石单量子阱发光器件交替生长量子垒量子阱衬底源层生长

[发明专利]半极性氮化镓单量子阱层发光器件及其制造方法-CN201811472354.0在审
发明人：陈辰;宋杰;崔周源 -专利权人：西安赛富乐斯半导体科技有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本公开涉及一种半极性氮化镓单量子阱层发光器件，其包括：N型氮化镓层；P型氮化镓层；以及单量子阱激活层，位于N型氮化镓层和P型氮化镓层之间，所述单量子阱材料为In_xGa_yN_1‑x‑y，其中沿着从N型氮化镓层到P型氮化镓层的厚度方向，所述单量子阱激活层单量子阱材料为In_xGa_yN_1‑x‑y中的x逐渐增大。
单量子阱发光器件半极性氮化镓激活层逐渐增大制造

[发明专利]具有(20-2-1)面的半极性氮化镓的外延层及其制造方法-CN201811472366.3在审
发明人：陈辰;宋杰;崔周源 -专利权人：西安赛富乐斯半导体科技有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于在衬底上形成具有(2021)取向的半极性氮化镓的外延层的方法，包括：在PSS的晶体生长表面生长平行于所述衬底的加工表面的具有(2021)取向的第一半极性氮化镓外延层；在第一半极性氮化镓外延层的表面采用氢化物气相外延(HVPE)方法生长具有(2021)取向的厚度不小于0.1mm的第二半极性氮化镓外延层；整体剥离所述第一半极性氮化镓外延层和第二半极性氮化镓外延层；以及通过化学‑机械抛光法(CMP)对所剥离下来的所述第一半极性氮化镓外延层的面向图案化蓝宝石衬底的表面进行平坦化处理，从而获得具有(2021)取向表面的半极性氮化镓外延层。
半极性氮化镓外延层衬底取向氮化镓外延层剥离氢化物气相外延晶体生长表面平坦化处理机械抛光加工表面取向表面蓝宝石图案化生长平行制造

[发明专利]半极性氮化镓半导体构件及其制造方法-CN201811472351.7在审
发明人：陈辰;宋杰;崔周源 -专利权人：西安赛富乐斯半导体科技有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本公开涉及一种半极性氮化镓半导体构件，其包括：N型氮化镓层；P型氮化镓层；有源层，位于N型氮化镓层和P型氮化镓层之间，包括最多三个量子阱层；以及第一静电保护层，位于N型氮化镓层与有源层之间；以及第二静电保护层，位于有源层与P型氮化镓层之间。本公开还涉及一种形成所述半极性氮化镓半导体构件的方法。
氮化镓半导体半极性源层静电保护层量子阱层制造

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