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[发明专利]具有低接触电阻率的晶体管及其制作方法-CN202111538504.5有效
发明人：刘胜厚;林科闯;孙希国;请求不公布姓名 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本申请提供一种具有低接触电阻的晶体管及其制作方法，该晶体管包括依次形成的衬底、缓冲层、沟道层和势垒层，在势垒层的源极区域和漏极区域分别形成有离子注入区，在离子注入区形成有多个间隔设置的凹槽。在离子注入区表面以及各凹槽内沉积形成有欧姆金属，欧姆金属与各凹槽的底部和侧壁相接触。本方案中，通过形成于离子注入区的凹槽，可以使得欧姆金属不仅可以与离子注入区的表面接触，还可以与凹槽的侧壁接触，从而增加了欧姆金属与半导体的接触面积，进而降低欧姆接触电阻率，并且结合离子注入区可以进一步地达到降低欧姆接触电阻率的效果，且无需进行退火工艺进而避免产生在器件表面产生毛刺进而影响器件性能的问题。
具有接触电阻率晶体管及其制作方法

[发明专利]一种高电子迁移率晶体管及制备方法-CN202310530111.2在审
发明人： 林科闯;请求不公布姓名;孙希国;蔡仙清;卢益锋;谷鹏;张辉;王哲力 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明提供一种高电子迁移率晶体管及制备方法，涉及半导体技术领域，包括：在衬底上依次形成漂移层和磁性介质层；刻蚀磁性介质层，分别形成源极开口和漏极开口，在源极开口和漏极开口内的漂移层上蒸镀金属以分别形成源极金属和漏极金属，源极金属和漏极金属分别与漂移层欧姆接触。在源极金属和漏极金属之间的磁性介质层上形成栅极金属，即磁性介质层位于栅极金属之下，使得磁性介质层能够受栅极金属的电压调控，产生感应电流，形成微导电通道，来调控陷阱态造成的电流降低现象，有效的缩短了栅延迟时间，改善射频应用中的功率压缩和高频散射，提升HEMT器件的性能和稳定性。
一种电子迁移率晶体管制备方法

[发明专利]一种氮化镓增强型器件及其制备方法-CN202111001242.9有效
发明人：何俊蕾;林科闯;刘成;林育赐;叶念慈;徐宁 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓增强型器件及其制备方法，衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、过渡层和P‑GaN栅为自下而上依次层叠，栅极设置在P‑GaN栅上，源极和漏极形成于AlGaN势垒层上，过渡层位于源极和漏极之间，过渡层的Mg掺杂浓度小于P‑GaN栅的Mg掺杂浓度；过渡层具有被P‑GaN栅覆盖的第一区域和未被P‑GaN栅覆盖的第二区域，第一区域的空穴浓度大于第二区域的空穴浓度；P‑GaN栅具有自下而上依次层叠的第一P型层和第二P型层，第一P型层的空穴浓度大于或等于第二P型层的空穴浓度。本发明避免在外延生长中Mg扩散及刻蚀P‑GaN栅的损伤，实现低导通电阻、高可靠性的GaN增强型功率器件。
一种氮化增强器件及其制备方法

[发明专利]一种高电子迁移率晶体管及制备方法-CN202110729642.5有效
发明人： 林科闯;请求不公布姓名;孙希国;蔡仙清;卢益锋;谷鹏;张辉;王哲力 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种高电子迁移率晶体管及制备方法，涉及半导体技术领域，包括：在衬底上依次形成漂移层和磁性介质层；刻蚀磁性介质层，分别形成源极开口和漏极开口，在源极开口和漏极开口内的漂移层上蒸镀金属以分别形成源极金属和漏极金属，源极金属和漏极金属分别与漂移层欧姆接触。在源极金属和漏极金属之间的磁性介质层上形成栅极金属，即磁性介质层位于栅极金属之下，使得磁性介质层能够受栅极金属的电压调控，产生感应电流，形成微导电通道，来调控陷阱态造成的电流降低现象，有效的缩短了栅延迟时间，改善射频应用中的功率压缩和高频散射，提升HEMT器件的性能和稳定性。
一种电子迁移率晶体管制备方法

[发明专利]碳化硅半导体器件及其制备方法-CN202310348085.1在审
发明人：杨程;林科闯;陶永洪 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化硅半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，本申请的碳化硅半导体器件，包括衬底；外延层，设置于衬底上；p型碳化硅区和n型碳化硅区，分别设置在外延层内，p型碳化硅区和n型碳化硅区均从外延层远离衬底的一侧的表面延伸至外延层内；p型欧姆合金层，设置在p型碳化硅区上；n型欧姆合金层，设置在n型碳化硅区上，其中，p型欧姆合金层为镍钛铝合金，n型欧姆合金层为镍合金。本申请提供的碳化硅半导体器件及其制备方法，其在高温退火后，并不会降低n型与p型中一者的接触性能。
碳化硅半导体器件及其制备方法

[发明专利]GaAs HBT器件的平台制作方法及GaAs HBT器件-CN202310410842.3在审
发明人： 林科闯;郭佳衢;魏鸿基;王勇 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本申请是中国申请2020107850125的分案申请。本申请提供一种GaAs HBT器件的平台制作方法及GaAs HBT器件，于衬底形成底层、发射极层、第一接触层、第二接触层、发射极金属层，以发射极金属层为掩膜版，用第一刻蚀方式对第二接触层进行第一次刻蚀并保留预设厚度的第一接触层，用第二刻蚀方式对第一次刻蚀后的层级进行刻蚀，在第一接触层、第二接触层的侧面形成缺口，得到发射极平台。利用第二次刻蚀消除残留的第一接触层的边缘，有效制作发射极平台的基础上，消除第一次刻蚀时产生的金属粉屑。由于第一次刻蚀已对第一接触层、第二接触层进行了一定厚度的刻蚀，再从竖直、水平方向进行刻蚀时，不易造成较大的底切现象。
gaas hbt 器件平台制作方法

[发明专利]发光装置-CN202310352322.1在审
发明人：何安和;刘鹏;曾明俊;黄少华;蔡吉明;张中英;林科闯 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光装置，其包括基板、至少二个发光结构、绝缘层、第二电极、反射结构和垂直电互连结构，至少二个发光结构间隔设置在基板的上表面上，各发光结构包括外延结构和第一电极，外延结构包括在基板上依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一电极连接第一半导体层，绝缘层覆盖基板和发光结构，并于各发光结构的上表面形成开口，第二电极覆盖绝缘层，并通过绝缘层的开口电连接第二半导体层，反射结构设置在相邻二个发光结构之间，垂直电互连结构连接第一电极和基板。借此，可以有效避免光串扰现象的发生，提升发光装置的发光性能。
发光装置

[发明专利]显示装置-CN202310348744.1在审
发明人： 林科闯;刘鹏;何安和;黄少华;曾明俊;黎小蒙;王鸿伟 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：显示装置包括驱动基板、多个微型发光元件以及共电极。微型发光元件分散地配置于驱动基板上，微型发光元件之间的驱动基板上设置有凹槽，且每一微型发光元件包括磊晶结构层及配置于磊晶结构层相对两侧上的第一电极与第二电极，共电极配置于驱动基板上，且位于微型发光元件的第一电极之间，共电极暴露出第一型电极的一上表面，微型发光元件侧壁覆盖有绝缘层，并延伸至凹槽内，用以提升器件可靠性。
显示装置

[发明专利]一种微发光二极管及其显示装置-CN202211735303.9在审
发明人：夏德玲;詹伯祺;叶雪萍;李佳恩;林科闯 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种微发光二极管及其显示装置，具有半导体层序列，半导体层序列包括背侧和正侧，从正侧开始依次包括第一类型半导体层、第二类型半导体层，有源层位于两者之间，半导体层序列的背侧具有凹槽，凹槽贯穿第二类型半导体层、有源层，露出第一类型半导体层，半导体层序列的背侧包括有凹槽内的第一台面、第二类型半导体层上的第二台面和位于两者之间的凹槽侧壁，半导体层序列的背侧设置有与第一类型半导体层电连接的第一金属电极以及与第二类型半导体层电连接的第二金属电极，第一金属电极和第二金属电极用于与外部电源键合，第二金属电极的电极洞设置在表面远离芯片短边的一侧，增加电极的键合面连续性，提升产品良率。
一种发光二极管及其显示装置

[发明专利]GaAs HBT器件的平台制作方法及GaAs HBT器件-CN202010785012.5有效
发明人： 林科闯;郭佳衢;魏鸿基;王勇 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本申请提供一种GaAs HBT器件的平台制作方法及GaAs HBT器件，在衬底上形成底层、发射极层、第一接触层、第二接触层及发射极金属层，以发射极金属层为掩膜版，采用第一刻蚀方式对第二接触层的、未被发射极金属层覆盖的区域进行第一次刻蚀并保留预设厚度的第一接触层，再采用第二刻蚀方式对第一次刻蚀后的层级进行刻蚀，在第一接触层、第二接触层的侧面形成缺口，得到发射极平台。利用第二次刻蚀消除残留的第一接触层的边缘，有效制作发射极平台的基础上，可消除第一次刻蚀时产生的金属粉屑。并且，由于第一次刻蚀已对第一接触层、第二接触层进行了一定厚度的刻蚀，后续在从竖直方向、水平方向进行刻蚀时，不易造成较大的底切现象。
gaas hbt 器件平台制作方法

[发明专利]一种微发光二极管及其显示装置-CN202211732401.7在审
发明人：夏德玲;詹伯祺;叶雪萍;李佳恩;林科闯 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种微发光二极管及其显示装置，具有半导体层序列，半导体层序列包括背侧和正侧，从正侧开始依次包括第一类型半导体层、第二类型半导体层，有源层位于两者之间，半导体层序列的背侧具有凹槽，凹槽贯穿第二类型半导体层、有源层，露出第一类型半导体层，半导体层序列的背侧包括有凹槽内的第一台面、第二类型半导体层上的第二台面和位于两者之间的凹槽侧壁，半导体层序列的背侧设置有与第一类型半导体层电连接的第一金属电极以及与第二类型半导体层电连接的第二金属电极，第一金属电极和第二金属电极用于与外部电源键合，第一金属电极完全设置在凹槽内，避免第一金属电极跨接到第二台面上，导致第一金属电极与外部电源键合面积大幅下降。
一种发光二极管及其显示装置

[发明专利]一种微发光二极管、微发光元件及其显示装置-CN202211682816.8在审
发明人：王志远;吴政;林科闯;秦志磊;李佳恩 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种微发光二极管、微发光元件及其显示装置，对双绝缘层材料、绝缘层开口和电极堆叠的匹配位置进行组合设计，第二电极下的绝缘层开口处不设置第一绝缘层，从而兼顾有源区尺寸和芯片制程良率。
一种发光二极管发光元件及其显示装置

[发明专利]一种PIN抗静电结构及其制备方法-CN202011064899.5有效
发明人：李云燕;林科闯;何先良;魏鸿基 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种PIN抗静电结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。该PIN抗静电结构包括N型半导体层、形成于所述N型半导体层一侧且呈间隔设置的两个PIN结构，以及形成于所述PIN结构上且与所述PIN结构欧姆接触的第一金属层，其中，两个所述PIN结构之间具有第二金属层，所述第二金属层与所述N型半导体层欧姆接触，且所述第二金属层分别与两个所述PIN结构之间具有间隙。该PIN抗静电结构能够有效提升半导体芯片的抗静电能力，以提高半导体芯片的品质。
一种 pin 抗静电结构及其制备方法

[发明专利]一种电子束光刻辅助工艺制造方法-CN202110466453.3有效
发明人：杨宇;林科闯;何知逸;李云燕 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子束光刻辅助工艺制造方法，其是在半导体基底上形成第一光阻层和第二光阻层的叠层，对光阻叠层进行电子束曝光和显影，得到T型图形和位于T型图形两侧的辅助图形，其中T型图形的曝光深度为第一光阻层和第二光阻层的厚度，辅助图形的曝光深度为第二光阻层的厚度，然后沉积金属并剥离光阻，得到T型栅金属。本发明通过辅助图形的设置，减少了金属沉积过程中T型图形周围的光阻的形变量，降低了光阻形变导致的对T型栅形貌的影响，提升了T型栅金属形貌的稳定性。
一种电子束光刻辅助工艺制造方法

[发明专利]声表面波滤波器及其制作方法-CN202111256436.3在审
发明人：朱庆芳;林科闯;罗捷 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种声表面波滤波器及其制作方法，首先在钽酸锂或铌酸锂衬底上覆盖一层不透光金属层，之后利用黄光流程定义出IDT图形，再通沉积金属，采用剥离工艺去除光刻胶及其上方的金属后，再将多余的不透光金属层去除。其中不透光金属层为粘合层时，通过蒸镀工艺沉积金属，再利用RIE或ICP工艺去除粘合层；不透光金属层为种子层时，采用电镀工艺沉积金属，再利用湿法刻蚀工艺去除种子层。即可完成叉指状金属电极的制作工艺。本发明可避免因衬底黑化不均导致透光率不同，从而影响光刻结果，并且可以避免金属残留等问题。
表面波滤波器及其制作方法

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