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[发明专利]一种含硅氧纳米晶层的多晶硅薄膜及其制备方法和应用-CN202110428229.5有效
发明人：曾俞衡;刘尊珂;叶继春;廖明墩;闫宝杰;刘伟 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L31/0368 文献下载
摘要：本发明公开了一种含硅氧纳米晶层的多晶硅薄膜，包括位于衬底背面的隧穿层、位于隧穿层背面的掺杂多晶硅层、位于掺杂多晶硅层背面的烧结电极，还包括位于掺杂多晶硅层和烧结电极之间的第一硅氧纳米晶层。本发明提供一种含硅氧纳米晶层的多晶硅薄膜，增加掺杂的硅氧纳米晶层作为电极金属扩散的势垒层，防止金属浆料烧结时烧穿多晶硅层与晶体硅直接接触，阻挡电极金属向衬底扩散；本发明还提供了一种含硅氧纳米晶层的多晶硅薄膜的制备方法和应用，其将制备隧穿层与掺杂多晶硅层中的退火晶化过程与制备烧结电极中的高温烧结过程合二为一，降低成本；将含硅氧纳米晶层的多晶硅薄膜应用于太阳能电池，提高电池效率。
一种含硅氧纳米多晶薄膜及其制备方法应用

[发明专利]太阳能电池、太阳能电池板及其制造方法-CN202080099559.8在审
发明人：河廷珉;郑珠和;梁荣成;李卿东 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L31/0368 文献下载
摘要：本实施例的太阳能电池可以通过在由多晶半导体层构成的导电型区域形成包括金属和粘合物质的电极，提高太阳能电池的电特性，简化制造工艺。更具体地，太阳能电池包括半导体基板，由多晶半导体层构成的导电型区域位于半导体基板的一面上。
太阳能电池太阳能电池板及其制造方法

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN202080099646.3在审
发明人：李京洙;李基源;沈玖奂 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L31/0368 文献下载
摘要：本实施例的太阳能电池可以具有包括光电转换部的叠层结构，所述光电转换部包括第一光电转换部和第二光电转换部，所述第一光电转换部包括由钙钛矿化合物构成的光电转换层，所述第二光电转换部包括半导体基板。其中，在第二光电转换部中，在半导体基板的一面和另一面与半导体基板分开形成的第一半导体层和第二半导体层可以具有彼此不同的结构。
太阳能电池及其制造方法

[实用新型]太阳能叠层电池和太阳能组件-CN202120880285.8有效
发明人：陈刚;林海;杨新强 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L31/0368 文献下载
摘要：本发明适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能叠层电池和太阳能组件。太阳能叠层电池依次设有钙钛矿顶电池、P型微晶硅结合层和N型晶硅底层电池，P型微晶硅结合层用于导通钙钛矿顶电池和N型晶硅底层电池。如此，利用P型微晶硅结合层当作隧穿层，由于P型微晶硅结合层比起N型掺杂多晶硅层有着较低的结晶性，且缺陷态密度较多，载流子复合中心也较多，可使开路电压迭加，故可以提高太阳能叠层电池的转换效率。
太阳能电池组件

[发明专利]太阳能叠层电池、太阳能组件和太阳能电池制作方法-CN202110455198.2在审
发明人：陈刚;林海;杨新强 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L31/0368 文献下载
摘要：本发明适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能叠层电池、太阳能组件和太阳能电池制作方法。太阳能叠层电池依次设有钙钛矿顶电池、P型微晶硅结合层和N型晶硅底层电池，P型微晶硅结合层用于导通钙钛矿顶电池和N型晶硅底层电池。如此，利用P型微晶硅结合层当作隧穿层，由于P型微晶硅结合层比起N型掺杂多晶硅层有着较低的结晶性，且缺陷态密度较多，载流子复合中心也较多，可使开路电压迭加，故可以提高太阳能叠层电池的转换效率。
太阳能电池组件太阳能电池制作方法

[发明专利]一种太阳能薄膜-CN201811454218.9在审
发明人：邬恒果 -专利权人：余姚市牧晟光伏发电有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L31/0368 文献下载
摘要：本发明主要公开了一种太阳能薄膜，涉及一种液相外延技术。该方法包括以下步骤：首先将In溶解，然后将装有衬底硅片的衬底夹具置入In中，升温，通过控制升温速度和时间控制硅片在溶剂中的溶解量，溶解30μm‑40μm左右后开始降温，溶解于In中的硅原子由于溶解度的下降而外延生长于硅片上；10‑20h后，将硅片载体缓慢提升出液面，冷却后将硅片取出。采用本发明的方法可由4‑5N衬底硅片外延生长得到6N硅片。
一种太阳能薄膜

[发明专利]用于制造具有背侧多晶硅钝化接触的光伏电池的方法-CN201780079743.4在审
发明人：兰伯特·约翰·吉林斯;马丁恩·科普斯;吴宇;马切伊·克日什托夫·斯杜德林;马基恩·莱恩斯 -专利权人：荷兰应用自然科学研究组织TNO
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L31/0368 文献下载
摘要：一种用于从具有前侧(4)、后侧(6)和边缘(8)的衬底(2)制造光伏电池的方法。在前侧(4)的至少一部分上设置第一类型的载流子选择性接触结构(4a)。施加具有由多晶硅层覆盖的薄氧化层的堆栈(10)，其中，堆栈(10)施加至衬底(2)的后侧(6)和前侧(4)，并且也可施加在边缘(8)上。然后，去除前侧(4)上的薄氧化层和多晶硅层的堆栈(10)。
堆栈薄氧化层多晶硅层光伏电池施加衬底载流子选择性接触结构多晶硅钝化去除制造覆盖

[实用新型]一种多晶硅太阳能电池板-CN201821732766.9有效
发明人：陈勇刚 -专利权人：湖南筱豪新能源有限公司
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L31/0368 文献下载
摘要：一种多晶硅太阳能电池板，包括壳体，所述壳体在外缘外包，且在壳体内侧成型有基板，而在基板表面衬有一层碳纳米管膜层，且在该碳纳米管膜层表面依次成型有EVA共聚物层、微晶硅层、栅电极、多晶硅内层、减反膜、多晶硅面层以及TCO玻璃面板，且在EVA共聚物层与微晶硅层之间以及多晶硅内层与减反膜之间均设置有一层石墨烯层。本实用新型质量轻，整体强度高，装配方便，且转换能效高。
多晶硅壳体多晶硅太阳能电池板碳纳米管膜层共聚物层微晶硅层内层成型本实用新型基板表面石墨烯层装配方便栅电极基板面层能效转换

[发明专利]一种非晶硅退火太阳能电池板-CN201811098309.3在审
发明人：李雍;李艳;张仪 -专利权人：广州腾岛绿电力技术开发有限公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L31/0368 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶硅退火太阳能电池板，包括基板，基板上安装有太阳能电池板，太阳能电池板呈矩阵安装在基板上，并通过连接电线连接形成电路，太阳能电池板的材质为非晶硅薄膜，非晶硅薄膜用PECVD或APCVD沉积制备，厚度为1‑50μ。退火炉中充满N2，在600℃下，高温退火10h，在硅片的上表面生长一层多晶硅薄膜完成热退火，基板的一对竖直侧壁上固定连接有滑板，滑板的一竖直侧壁上固定连接有挡板，挡板的一侧与两个滑板的同一端固定连接，两块滑板的相向侧壁上对称开设有滑动槽。本发明适用于常规丝网印刷全铝背场电池和背钝化点接触电池，提高了太阳能电池板的使用寿命，而且对太阳能电池板上的灰尘和脏污进行有效了擦除。
太阳能电池板滑板基板退火非晶硅薄膜挡板竖直侧壁非晶硅电池多晶硅薄膜太阳能电池对称开设高温退火矩阵安装连接电线使用寿命丝网印刷点接触滑动槽热退火上表面同一端退火炉硅片背场擦除侧壁沉积钝化全铝相向脏污制备电路生长

[实用新型]一种复合型多晶硅片-CN201820297734.4有效
发明人：朱运权 -专利权人：扬州市万达光电有限公司
申请日： 2018-03-05 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L31/0368 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种复合型多晶硅片，包括多晶硅片单体，所述多晶硅片单体的侧边通过胶水与金属框体粘结，所述金属框体的内部焊接有凸边，所述凸边的上部通过胶水粘附有钢化玻璃片，所述金属框体的相邻两侧壁均焊接有连接凸块，所述金属框体与连接凸块相对的另外两个侧壁开设有连接凹槽，所述多晶硅片单体的底部通过胶水粘附有绝缘片，所述绝缘片对应连接凹槽所在侧边位置开设有矩形缺口。本实用新型中，在多晶硅片单体的外部通过胶水粘附有金属框体，金属框体的上部通过胶水粘附有钢化玻璃片，在多晶硅片的下部通过胶水粘附有绝缘片，这样相比与单一的多晶硅片单体，不易出现断裂现象。
多晶硅片金属框体胶水绝缘片本实用新型钢化玻璃片连接凹槽连接凸块凸边侧边位置断裂现象矩形缺口内部焊接两侧壁侧壁侧边粘结焊接外部

[发明专利]一种多晶硅片及其表面蚯蚓状腐蚀坑形成的方法-CN201810213335.X在审
发明人：乔芬;梁启超;杨健 -专利权人：江苏大学
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L31/0368 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶硅片及其表面蚯蚓状腐蚀坑形成的方法，具体包括如下步骤：清洗和去除多晶硅片表面损伤层；酸液的配置以及多晶硅片的刻蚀；清洗和干燥。本发明采用最为简单的酸刻蚀，在低温条件下在多晶硅表面刻蚀出蚯蚓状的腐蚀坑，所述多晶硅表面的蚯蚓状的腐蚀坑呈现细窄且长的坑状状结构，且腐蚀坑取得了很好的减反射效果。相比与其他酸碱或者干法刻蚀方法，本发明仅采用酸液为刻蚀液，无任何添加剂、工艺简单、操作方便，可控性好且无污染，适应于商业化模式生产。
腐蚀坑多晶硅片蚯蚓多晶硅表面刻蚀酸液清洗表面损伤层减反射效果低温条件干法刻蚀可控性刻蚀液酸刻蚀坑状去除酸碱添加剂配置生产

[发明专利]一种柔性CIGS多晶薄膜太阳电池-CN201710091577.1在审
发明人：李辉;屈飞;古宏伟;王文静 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2017-02-20 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： H01L31/0368 文献下载
摘要：一种柔性CIGS多晶薄膜太阳电池，其结构中各层依次为柔性云母衬底、金属Mo电极、CIGS光学吸收层、窗口层、高阻层、透明导电氧化物层；也可以为柔性云母衬底、透明导电氧化物层、高阻层、窗口层、CIGS光学吸收层、Mo背接触层、金属导电层或者透明导电氧化物层。本发明的光学吸收层可以通过高温共蒸发也可以通过低温磁控溅射后硒化工艺制备，能与目前玻璃衬底上的刚性CIGS多晶薄膜太阳电池制备工艺兼容。本发明还可以制备成双面透光的柔性CIGS多晶薄膜太阳电池。
一种柔性 cigs 多晶薄膜太阳电池

[发明专利]一种c‑Si/a‑Si/mc‑Si太阳电池结构及其制备方法-CN201611003948.8在审
发明人：李文佳;邵剑波;王振交;李果华;朱益清;王晓 -专利权人：江南大学
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L31/0368 文献下载
摘要：本发明公开了一种c‑Si/a‑Si/mc‑Si太阳电池结构及其制备方法，该结构包括N型单晶硅片，设在N型单晶硅片受光面和背光面的本征a‑Si层，设在受光面本征a‑Si层上的掺杂P型mc‑Si层，设在背光面本征a‑Si层上的掺杂N型mc‑Si层，分别设在掺杂P型mc‑Si层和掺杂N型mc‑Si层上的ITO透明导电膜层及设在ITO透明导电膜层上的金属栅线电极。本发明的掺杂mc‑Si层由本征a‑Si层通过瞬间辐照退火形成。瞬间辐照退火技术把杂质掺杂和a‑Si晶化两个过程合并在10～20ms之间同时完成，不仅简化了制造步骤，还使此种结构电池适用于大规模生产。更重要的是，本发明使得本征a‑Si层和掺杂mc‑Si层并存，发挥本征a‑Si层钝化优势的同时，使用掺杂mc‑Si作为发射层和背场层材料，有效地减小复合、降低串联电阻，有利于提升电池性能。
一种 si mc 太阳电池结构及其制备方法

[实用新型]一种太阳电池-CN201420271193.X有效
发明人：徐伟;沈启群 -专利权人：无锡中能晶科新能源科技有限公司
申请日： 2014-05-26 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H01L31/0368 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种太阳电池，该太阳电池包括玻璃衬底（1），在衬底上依次叠加的n+/p+型a-Si：H发射层（2）、p-/n-型多晶Si吸收层（3）和p+/n+型a-Si：H被表面场（4）；p-/n-型多晶Si吸收层（3）和p+/n+型a-Si：H被表面场（4）覆盖n+/p+型a-Si：H发射层（2）部分表面，留有发射槽（5）。该太阳电池具有廉价玻璃衬底，能量转化率高，制备工艺简单，薄膜厚度进一步降低，适于大规模商业化生产和应用。
一种太阳电池

[发明专利]薄膜太阳能电池中的中间反射结构-CN201280065857.0无效
发明人：玛丽安娜·费乔鲁-莫拉留 -专利权人： TEL太阳能公司
申请日： 2012-12-20 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L31/0368 文献下载
摘要：本发明涉及高效率和低生产成本的多结薄膜太阳能电池(70)。多结薄膜太阳能电池的组成电池之一(61)的n层(64，65，66，67)具有沿入射光的预期的方向包括非晶氢化硅n层(64)、第一微晶氢化硅n层(65)、中间反射层(66)和第二微晶氢化硅n层(67)的序列的结构，其中中间反射层为如下中之一：单个微晶的基本为硅氧化物的层；或多个层序列，每个层序列均沿入射光的预期的方向包括微晶的基本为硅氧化物的层和微晶硅n层。本发明还涉及制造以上n层(64，65，66，67)的方法，以及涉及制造上述多结薄膜太阳能电池(70)的方法。
薄膜太阳能电池中的中间反射结构

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