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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]存储器装置及其制备方法-CN202210352891.1在审
发明人： 赖二琨;龙翔澜;杨志祥 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10B63/10 文献下载
摘要：本公开提供了一种存储器装置，包括：基板、第一导电条、第二导电条、第一柱元件以及间隙壁。第一导电条设置在基板上且沿着第一方向延伸。第二导电条设置在第一导电条上且沿着第二方向延伸，其中第一方向与第二方向平行于基板的上表面，且第二方向交叉于第一方向，其中第二导电条的厚度大于第一导电条的厚度，且第二导电条为整体的结构。第一柱元件设置于第一导电条与第二导电条之间的交叉位置上，且由第一导电条的顶面沿着第三方向往第二导电条的底面延伸，第三方向交叉于第一方向与第二方向。第一柱元件包括对应第一阶层的转换层及存储层。本公开还提供了一种存储器装置的制备方法。
存储器装置及其制备方法

[发明专利]存储器结构及其制造方法-CN202210262178.8在审
发明人： 赖二琨;龙翔澜;叶巧雯 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本公开提供一种存储器结构及其制造方法。存储器结构包括一存储元件、一间隙壁结构以及一上元件结构。存储元件包括一下存储层与一上存储层在下存储层上。间隙壁结构在下存储层的一侧壁表面上。上元件结构电性连接在上存储层上。上元件结构的一下表面、下存储层的一上表面与上存储层的一侧壁表面定义为一凹口。
存储器结构及其制造方法

[发明专利]具有垂直栅极结构的存储装置-CN201910654285.3有效
发明人： 赖二琨;龙翔澜 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H10B43/40 文献下载
摘要：一种存储装置，包含基板上的绝缘层上方的多个位线叠层与多个垂直栅极结构，位线叠层与多个绝缘条带交错，垂直栅极结构设置于位线叠层之间。垂直通道结构与存储器元件设置于垂直栅极结构的外表面与位线叠层中的绝缘条带的侧壁之间。垂直通道结构提供介于位线叠层中的相邻位线之间的通道。多个字线晶体管分别设置于多个垂直栅极结构上方且连接至多个垂直栅极结构。多条字线设置于多个字线晶体管上方且连接至多个字线晶体管。存储装置包含连接至位线的电路，以施加位线电压与源极线电压于位线。该存储装置具有更高的密度、随机存取性质以及更高的运作速度。
具有垂直栅极结构存储装置

[发明专利]具有存储器结构的半导体元件-CN201710946219.4有效
发明人：李岱萤;赖二琨;李峰旻 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体元件，包括一基板和一存储器结构，该存储器结构设置于基板上。该存储器结构包括：一底电极，设置于基板上方；一势垒层，设置于底电极上；一电阻转换层，设置于底电极上且位于势垒层上方；以及一顶电极，设置于电阻转换层上，并覆盖电阻转换层。其中电阻转换层的一底表面与势垒层的一最上表面相隔开一距离。
具有存储器结构半导体元件

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202111625695.9在审
发明人： 赖二琨 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本发明提供的是一种半导体结构。该半导体结构包括一基板和一底部介电层，底部介电层连续地设置在基板上。该半导体结构还包括多个堆叠，设置在底部介电层上。堆叠的每一者包括交替设置的多个栅极结构和多个半导体层。该半导体结构还包括多个源极/漏极结构，设置在底部介电层上，并位于堆叠之间。该半导体结构还包括多个导体，落在堆叠最上层的这些栅极结构上。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]存储器元件及其制作方法-CN201910448466.0有效
发明人： 赖二琨;龙翔澜 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2019-05-27 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10B43/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器元件及其制作方法，该存储器元件可以配置来作为立体NAND快闪存储器，包括多个导电条带堆叠结构。这些导电条带堆叠结构包括配置来作为字线的多个中间阶层导电条带，以及配置来作为串列选择线的上方阶层导电条带；多个第一图案化导体设置在多个导电条带堆叠结构上方；多个链接单元，将多个中间阶层导电条带中的多个对应导电条带连接到多个第一图案化导体中的多个第一图案化导体。多个链接单元中的多个链接单元包括多个开关，可以响应上方阶层导电条带中的多个导电条中的信号。
存储器元件及其制作方法

[发明专利]存储器装置及其制造方法-CN202110978655.6在审
发明人：李峯旻;赖二琨;李岱萤;林榆瑄;曾柏皓;李明修 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本公开提供一种存储器装置及其制造方法。该存储装置，包括叠层及多个存储器串列。叠层设置于基板上，叠层包括交替叠层的多个导电层及多个绝缘层。存储器串列沿着第一方向穿过叠层，其中存储器串列中的一第一存储器串列包括第一导电柱及第二导电柱、沟道层以及存储器结构。第一导电柱及第二导电柱分别沿着第一方向延伸且彼此分开。沟道层设置于第一导电柱与第二导电柱之间。存储器结构环绕第二导电柱，其中存储器结构包括一电阻式存储器材料。
存储器装置及其制造方法

[发明专利]电感结构及其制造方法-CN202110513947.2在审
发明人： 赖二琨;龙翔澜 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种电感结构及其制造方法。其中，该电感结构包括多个导电层与多个导电元件。导电层重叠在垂直方向上。导电元件各耦接在导电层其中二个导电层之间。
电感结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202110445497.8在审
发明人： 赖二琨 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。其中，该半导体结构包括通道元件。通道元件包括衬底部分以及垂直通道部分。垂直通道部分邻接在衬底部分上。衬底部分与垂直通道部分皆包括单晶硅。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]垂直存储结构-CN202110811285.7在审
发明人： 赖二琨;龙翔澜 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本公开有关于一种垂直存储结构，存储装置实现于垂直存储结构中，包含交替的绝缘材料层与字线材料层的叠层，具有设置为通过叠层的包含交替的导电柱与绝缘柱的柱体组。数据存储结构设置于绝缘柱与字线材料层的交叉点上的字线材料层的内表面上。半导体通道材料设置于绝缘柱与数据存储结构之间且位于绝缘柱与字线材料层的交叉点上。半导体通道材料绕着绝缘柱的外表面延伸，在两侧接触相邻导电柱以提供源极/漏极端子。
垂直存储结构

[发明专利]半导体结构-CN202110429338.9在审
发明人： 赖二琨 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构。其中，该半导体结构包含下硅化物元件、上硅化物元件以及垂直硅通道结构。垂直硅通道结构连接于下硅化物元件与上硅化物元件之间，其中垂直硅通道结构包含类单晶硅。
半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN202110331105.5在审
发明人： 赖二琨 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构。其中，半导体结构包含阶梯结构，阶梯结构包含第一阶梯层与在第一阶梯层上的第二阶梯层。第一阶梯层包含第一导电膜。半导体结构包含设置于第一导电膜上的着陆接垫。着陆接垫具有面朝第二阶梯层的第一接垫侧壁，介于第一接垫侧壁的上部与第二阶梯层之间的第一横向间距小于介于第一接垫侧壁的下部与第二阶梯层之间的第二横向间距。
半导体结构

[发明专利]存储器元件及其制作方法-CN202110288294.2在审
发明人： 赖二琨 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器元件及其制作方法，存储器元件包括基板、叠层、通道层以及存储层。基板具有一上表面。叠层设置于基板上，其中叠层包括沿着一第一方向依序堆叠于基板的上表面上的一第一绝缘层、一第一导电层、一第二绝缘层、一第二导电层及一第三绝缘层。通道层沿着第一方向穿过叠层，其中在沿着垂直于第一方向的平面的横截面中，通道层为环状。存储层设置于通道层与第二导电层之间。
存储器元件及其制作方法

[发明专利]三维叠层半导体元件-CN201811016907.1有效
发明人： 赖二琨;龙翔澜 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维叠层半导体元件，包括一基板和多个叠层结构形成于基板上方。各叠层结构包括：多个第一导电层和多个绝缘层交替叠置于该基板上方，以及一第二导电层。其中第一导电层为第一导电型多晶硅层且在第一方向上具有第一宽度。第二导电层形成于这些绝缘层的上方，第二导电层为第二导电型多晶硅层且在第一方向上具有第二宽度，其中，第二宽度等于第一宽度。
三维半导体元件

[发明专利]存储器装置及应用其的集成电路的制造方法-CN201910336270.2有效
发明人：龙翔澜;赖二琨;叶巧雯 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器装置及应用其的集成电路的制造方法，该三维存储器包括多个第一存取线阶层、多个第二存取线阶层及多个存储单元阶层。存储单元阶层配置于对应的第一存取线阶层及第二存取线阶层之间。第一存取线阶层包括沿第一方向延伸的多个第一存取线以及配置于第一存取线之间的第一牺牲材料的多个剩余部分。第二存取线阶层包括沿第二方向延伸的多个第二存取线以及配置于第二存取线之间的第二牺牲材料的多个剩余部分。存储单元阶层包括在相邻的第一存取线阶层与第二存取线阶层中配置于第一存取线与第二存取线之间的交叉点中的存储柱的阵列。
存储器装置应用集成电路制造方法

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