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[发明专利]半导体存储器装置-CN202211419129.7在审
发明人：金范书;具宝蓝;具滋玟;金成吉;金宗赫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：基底，包括由器件分离层限定的有源区域，有源区域包括第一部分和限定在第一部分的两侧上的第二部分；位线，与有源区域交叉并在基底上沿第一方向延伸；以及位线接触件，设置在基底与位线之间并直接连接到有源区域的第一部分。位线接触件包括凹入到基底中的凹进区域和在凹进区域上的上部区域，凹进区域的宽度随着距位线的距离增大而减小，凹进区域包括与基底形成边界并具有直线形状的斜面，并且凹进区域的斜面的起点低于器件分离层的上表面。
半导体存储器装置

[发明专利]图像感测装置及其操作方法及图像处理装置-CN202111596117.7在审
发明人：任宰炫;具滋玟;金泰贤;田在桓;郑祐永;赵昶勋 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H04N9/73 文献下载
摘要：本申请公开了图像感测装置及其操作方法以及图像处理装置。该图像感测装置包括：图像传感器，其包括包括多个颜色通道的至少一个像素；以及基于多个颜色通道的亮度强度值来处理输入图像的图像处理器。该图像处理器包括：透射图生成器，其：生成包括通过将多个颜色通道的亮度强度值分别转换成预定范围内的值而获得的透射值的颜色通道透射图；以及生成包括通过将透射值中的与相同像素中所包括的颜色通道相对应的透射值相乘而获得的目标透射值的目标透射图；白色像素检测器，其基于目标透射图来确定图像中所包括的像素中的白色区域中所包括的目标像素；以及白平衡调整器，其基于目标像素中所包括的各个颜色通道的平均亮度强度值来调整白平衡。
图像装置及其操作方法处理

[发明专利]集成电路装置-CN202111196041.9在审
发明人：马振源;郑天炯;具滋玟;金奎完;文大荣;柳原锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：字线，在第一方向上横跨基底延伸并且在与第一方向不同的第二方向上分隔开；位线，在字线上沿第二方向延伸并且在第一方向上分隔开；第一接触插塞，布置在位线之间，接触基底的第一有源区，具有第一宽度，并且具有第一掺杂剂浓度；以及第二接触插塞，布置在位线之间，接触基底的第二有源区，具有第二宽度，并且具有比第一掺杂剂浓度小的第二掺杂剂浓度。
集成电路装置

[发明专利]半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法-CN202111455592.2在审
发明人：文大荣;具滋玟;金奎完;朴奇洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置包括：器件隔离图案，其位于衬底上以限定有源区域；字线，其位于衬底中以与有源区域相交；第一掺杂区域，其位于有源区域中并且在字线的第一侧；第二掺杂区域，其位于有源区域中并且在字线的第二侧；位线，其连接到第一掺杂区域并且与字线相交；位线接触件，其将位线连接到第一掺杂区域；着陆焊盘，其位于第二掺杂区域上；以及存储节点接触件，其将着陆焊盘连接到第二掺杂区域，存储节点接触件包括：第一部分，其与第二掺杂区域接触，第一部分包括单晶硅；以及第二部分，其位于第一部分上，并且包括多晶硅。
半导体存储器装置制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202111305601.X在审
发明人：李埈圭;安志荣;金铉用;具滋玟;安容奭;严敏燮;李相昊;崔允荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括在衬底上的有源图案、掩埋在有源图案的上部处的栅极结构、在有源图案上的位线结构、覆盖位线结构的下侧壁的下间隔物结构、在有源图案上且与位线结构相邻的接触插塞结构、以及在接触插塞结构上的电容器。下间隔物结构包括从位线结构的下侧壁在基本平行于衬底的上表面的水平方向上顺序堆叠的第一和第二下间隔物，第一下间隔物包括氧化物，并接触位线结构的下侧壁，但不接触接触插塞结构，并且第二下间隔物包括与第一下间隔物的任何材料不同的材料。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN202110859281.6在审
发明人：金孝敬;具滋玟;金宗赫;文大荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底包括隔离层图案和有源图案；缓冲绝缘层图案，所述缓冲绝缘层图案在所述衬底上；多晶硅结构，所述多晶硅结构在所述有源图案和所述缓冲绝缘层图案上，所述多晶硅结构接触所述有源图案的一部分，并且所述多晶硅结构在平行于所述衬底的上表面的方向上延伸；第一扩散阻挡层图案，所述第一扩散阻挡层图案在所述多晶硅结构的上表面上，所述第一扩散阻挡层图案包括至少掺杂有碳的多晶硅；第二扩散阻挡层图案，所述第二扩散阻挡层图案在所述第一扩散阻挡层图案上，所述第二扩散阻挡层图案至少包括金属；以及第一金属图案和第一覆盖层图案，所述第一金属图案和所述第一覆盖层图案堆叠在所述第二扩散阻挡层图案上。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110778357.2在审
发明人：马振源;具滋玟;文大荣;金奎完;金奉炫;金永锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：衬底，所述衬底包括元件分隔膜和由所述元件分隔膜限定的有源区；位线结构，所述位线结构位于所述衬底上；沟槽，所述沟槽位于所述元件分隔膜和所述有源区中，所述沟槽位于所述位线结构的至少一侧，并且包括位于所述元件分隔膜中的第一部分和位于所述有源区中的第二部分，所述第一部分的底表面布设为高于所述第二部分的底表面；单晶存储接触，所述单晶存储接触填充所述沟槽；和信息存储元件，所述信息存储元件电连接到所述单晶存储接触。
半导体器件及其制造方法