“李京桦”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果16个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]电极结构以及影像感测器-CN202210937644.8在审
发明人：张开昊;李京桦;张育淇 -专利权人：采钰科技股份有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种电极结构以及影像感测器，该电极结构包含上电极和位于上电极下方的下电极。上电极包含多个内部电极和与内部电极相连的外部电极。内部电极配置以根据波长范围过滤光线以及过滤光线以产生偏极化的光线。内部电极中的每一者包含延伸于第一方向的金属结构和介电结构。金属结构包含第一部分以及第二部分。介电结构位于金属结构的第一部分与第二部分之间。第一部分、介电结构以及第二部分沿着第二方向排列。上电极以及下电极在垂直于第一方向与第二方向的第三方向上重叠。本发明的内部电极为复合结构，且内部电极的间距与宽度可根据光波波长以及占空比而定义。上电极可同时具有滤光片与偏光片的功能，可作为电极、滤光片以及偏光片的整合式结构。
电极结构以及影像感测器

[发明专利]制造半导体结构的方法-CN201910898439.3有效
发明人：蔡俊雄;彭成毅;李京桦;吴忠政;幸仁·万 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明实施例提供制造半导体结构的方法。所述方法的一者包括：接收包括第一晶体管的第一导电区域及第二晶体管的第二导电区域的衬底，其中所述第一晶体管及所述第二晶体管具有不同导电类型；对所述第一导电区域及所述第二导电区域执行非晶化；在所述第一晶体管的所述第一导电区域上执行植入；使接触材料层形成于所述第一导电区域及所述第二导电区域上；对所述第一导电区域及所述第二导电区域执行热退火；及对所述第一导电区域及所述第二导电区域执行激光退火。
制造半导体结构方法

[发明专利]固态图像感测器-CN202210306511.0在审
发明人： 李京桦;林正轩;涂宗儒;张育淇;吴翰林 -专利权人：采钰科技股份有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种固态图像感测器，包含多个光电转换元件以及彩色滤光层，彩色滤光层设置于光电转换元件的上方。光电转换元件与彩色滤光层形成多个正规像素与多个自动对焦像素，对应于正规像素的彩色滤光层被区分为多个第一彩色滤光区段及多个第二彩色滤光区段，第一彩色滤光区段设置于较靠近入射光的至少一侧，且第一彩色滤光区段的宽度大于第二彩色滤光区段的宽度。
固态图像感测器

[发明专利]固态图像感测器-CN202210344634.3在审
发明人： 李京桦;涂宗儒;张育淇 -专利权人：采钰科技股份有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H10K39/32 文献下载
摘要：一种固态图像感测器，包含半导体基板，半导体基板具有多个光电转换元件。固态图像感测器也包含隔离结构，隔离结构设置于光电转换元件之间。固态图像感测器还包含彩色滤光层，彩色滤光层设置于半导体基板的上方且具有多个彩色滤光区段，彩色滤光区段对应于光电转换元件。此外，固态图像感测器包含有机膜，有机膜设置于彩色滤光层的上方。固态图像感测器也包含上电极与下电极，上电极与下电极分别设置于有机膜的上侧与下侧之上。固态图像感测器还包含多个纳米结构，纳米结构设置于有机膜的上侧或下侧之上。
固态图像感测器

[发明专利]半导体元件及其形成方法-CN202210344586.8在审
发明人： 李京桦;范妙璇;龚达翔;李荣伟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：一种半导体元件及其形成方法，半导体元件包括：一基板；一半导体结构，该半导体结构悬浮在该基板上方且包含一源极区域、一漏极区域及设置于该源极区域与该漏极区域之间的一通道区域。该通道区域包括一掺杂二维(2D)材料层，该掺杂2D材料层包含在该通道区域的一上表面上的一第一部分。该半导体元件亦包括：一界面层，该界面层围绕包括该掺杂2D材料层的该第一部分的该通道区域；及及一栅极电极，该栅极电极围绕该界面层。
半导体元件及其形成方法

[发明专利]一种基于D-LinkNet的遥感图像道路提取方法-CN202010558654.1有效
发明人：兰海燕;李京桦;孙建国;孙鹤玲 -专利权人：哈尔滨工程大学
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G06V20/13 文献下载
摘要：本发明提供一种基于D‑LinkNet的遥感图像道路提取方法，包括如下步骤：S1：将特征图输入D‑LinkNet网络后，在基于残差网络与迁移学习的编码器子网络中完成处理；S2：将步骤S1输出的特征图输入到基于扩张卷积与卷积块注意力模块的特征提取子网络中进行特征提取；S3：经过前两个子网络的处理后得到的特征图进入基于转置卷积的解码器子网络中实现图像的恢复。本发明能够对遥感图像中的道路特征下采样，很好地避免了网络的退化问题，同时加强道路特征的提取；能够使用扩张卷积扩增感受野，在不增加下采样的同时，感知更大范围内的道路特征，并进行特征提取，能够很好地应对遥感图像中道路部分占幅比例过小的问题。
一种基于 linknet 遥感图像道路提取方法

[发明专利]固态图像感测器-CN202110870746.8在审
发明人： 李京桦;张育淇;涂宗儒 -专利权人：采钰科技股份有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种固态图像感测器。固态图像感测器包含多个光电转换元件。固态图像感测器也包含第一彩色滤光片层与第二彩色滤光片层，第一彩色滤光片层设置于光电转换元件的上方，第二彩色滤光片层与第一彩色滤光片层相邻，其分别具有多个第一彩色滤光片区段与第二彩色滤光片区段。此外，固态图像感测器包含第一金属网格结构，第一金属网格结构设置于第一彩色滤光片层与第二彩色滤光片层之间。固态图像感测器也包含第二金属网格结构，第二金属网格结构设置于第一彩色滤光片区段之间与第二彩色滤光片区段之间。第一金属网格结构的底部具有第一网格宽度，第二金属网格结构的底部具有小于第一网格宽度的第二网格宽度。
固态图像感测器

[发明专利]固态成像装置-CN202110441582.7在审
发明人： 李京桦;张育淇;涂宗儒 -专利权人：采钰科技股份有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供一种固态成像装置。固态成像装置包含多个光电转换元件。固态成像装置也包含一彩色滤光片层，彩色滤光片层设置于光电转换元件的上方。彩色滤光片层具有多个彩色滤光片区段。固态成像装置还包含一分隔网格，分隔网格设置于彩色滤光片区段之间。此外，固态成像装置包含一图案化结构，图案化结构设置于彩色滤光片层之上。图案化结构具有多个图案化区段。固态成像装置也包含一透明层，透明层设置于彩色滤光片层与分隔网格之上。透明层围绕图案化区段。图案化区段中的至少一个设置于分隔网格之上。
固态成像装置

[发明专利]固态成像装置-CN202010542124.8在审
发明人： 李京桦;张育淇;林正轩;吴翰林 -专利权人：采钰科技股份有限公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种固态成像装置。固态成像装置包含多个光电转换元件。固态成像装置也包含一第一彩色滤光片层，其设置于光电转换元件上方并具有多个第一彩色滤光片区段。固态成像装置还包含一第二彩色滤光片层，其设置于光电转换元件上方并与第一彩色滤光片层相邻，且具有多个第二彩色滤光片区段。固态成像装置包含一第一网格结构，其设置于第一彩色滤光片层与第二彩色滤光片层之间且具有一第一网格高度。固态成像装置也包含一第二网格结构，其设置于第一彩色滤光片区段之间与第二彩色滤光片区段之间且具有一第二网格高度，第二网格高度低于或等于第一网格高度。
固态成像装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202011276968.9在审
发明人：彭成毅;李京桦;李松柏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：公开了在FET器件的有源区域上具有钝化层的半导体器件的结构以及制造该半导体器件的方法。半导体器件包括衬底、设置在衬底上的第一和第二源极/漏极(S/D)区域、设置在第一和第二S/D区域之间的纳米结构的沟道区域、钝化层和包裹纳米结构的沟道区域的纳米片(NS)结构。每个S/D区域具有以交替配置布置的第一和第二半导体层的堆叠件以及设置在第一和第二半导体层的堆叠件上的外延区域。钝化层的第一部分设置在外延区域与第一和第二半导体层的堆叠件之间，并且钝化层的第二部分设置在纳米结构的沟道区域的侧壁上。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202110021866.0在审
发明人：范妙璇;李培炜;李京桦;李荣伟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本揭露是关于一种半导体装置，包括掺杂有第一掺杂剂浓度的铅(Pb)的第一及第二源极/漏极(S/D)区域。半导体装置亦包括在第一S/D区域与第二S/D区域之间的通道区域，其中通道区域经掺杂具有第二掺杂剂浓度的铅，第二掺杂剂浓度低于第一掺杂剂浓度。半导体装置进一步包括分别与第一及第二S/D区域接触的第一及第二S/D触点。半导体装置亦包括在通道区域上方的栅电极。
半导体装置

[发明专利]发光模块结构-CN201810354383.0有效
发明人：蔡培崧;赖隆宽;叶时有;陈冠志;刘弘智;张国彦;李京桦 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：一种发光模块结构，包含基板、设置于基板上的多个发光二极管以及覆盖上述多个发光二极管的导光层。导光层具有上表面，此上表面具有多个凹槽，且上述多个凹槽位于上述多个发光二极管的上方或位于上述多个发光二极管之间。此发光模块结构可提升发光模块的亮度及均匀性。
发光模块结构

[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件-CN202010266691.5在审
发明人：范妙璇;李京桦;陈明德;李荣伟;李培炜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：半导体器件包括设置在沟道区域上方的栅极结构、设置在源极/漏极区域处的源极/漏极外延层、设置在源极/漏极外延层上的含氮层、设置在含氮层上的硅化物层以及设置在硅化物层上的导电接触件。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法。
制造半导体器件方法

[发明专利]固态成像装置-CN201910476448.3在审
发明人：林正轩;涂宗儒;张育淇;李京桦 -专利权人：采钰科技股份有限公司
申请日： 2019-06-03 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：固态成像装置包含多个光电转换元件排列在像素阵列中，以及具有多个彩色滤光片区段的彩色滤光片层在光电转换元件上方，每个彩色滤光片区段设置在像素阵列的个别像素中。此固态成像装置还包含在彩色滤光片层上方的光波导层，光波导层包含波导分隔网格和在波导分隔网格的空隙中的波导材料，波导材料的折射率高于波导分隔网格的折射率，且波导材料能为像素阵列的每个像素提供相同的折射率。
固态成像装置

[发明专利]半导体结构的制造方法-CN201910912777.8在审
发明人：蔡俊雄;彭成毅;李京桦;幸仁·万;林佑明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请涉及半导体结构的制造方法。所述方法的一者包含以下操作。接收衬底，且所述衬底包含具有第一导电区域的第一晶体管及具有第二导电区域的第二晶体管，其中所述第一晶体管及所述第二晶体管具有不同导电类型。对所述第一导电区域执行第一激光退火以修复晶格损坏。对所述第一导电区域及所述第二导电区域执行非晶化以促进关于后续操作中的所要相变的硅化物形成。在所述非晶化之后使预硅化物层形成于所述衬底上。对所述衬底执行热退火以由所述预硅化物层形成硅化物层。在形成所述预硅化物层之后对所述第一导电区域及所述第二导电区域执行第二激光退火。
半导体结构制造方法

1
2
下一页»
尾页
共 16 条