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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种针刺手法练习装置-CN202320219524.4有效
发明人： 黄泓文;邸嘉玮;叶旸真;杜宇征;杨沙;李昱萱 -专利权人：天津中医药大学第一附属医院
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G09B9/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种针刺手法练习装置，包括针刺桶、模拟针和限位组件针刺桶，设置有第一孔位；所述模拟针的一端穿过所述第一孔位，以及限位组件设置有预设角度，用于精确控制所述模拟针的捻转角度；其中，所述限位组件还设置有预设高度，用于精确控制所述模拟针的提插高度；通过限位组件形成的预设角度和预设高度，从而实现了对模拟针的捻转角度和提插高度进行限位，达到对模拟针的精确控制，极大的提高了使用者练习过程的体验和练习效率。
一种针刺手法练习装置

[发明专利]非扩散型光电二极管-CN202110576421.9在审
发明人：潘皇纬;黄泓文;陈勇超;王奕翔 -专利权人：联亚光电工业股份有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明公开一种非扩散型光电二极管，包含：一基板、一缓冲层、一光吸收层、一中间层以及一倍增/窗层。所述缓冲层设置在所述基板上。所述光吸收层，设置在所述缓冲层上。所述中间层设置在所述光吸收层上且具有一第一边界，其中所述中间层是一I型半导体层或一渐变层。所述倍增/窗层设置在所述中间层上且具有一第二边界，其中在俯视图中，所述第一边界环绕所述第二边界，以及所述第一边界与所述第二边界之间的距离大于或等于1微米。所述非扩散型光电二极管可降低暗电流的产生。
扩散光电二极管

[实用新型]一种多功能针灸治疗椅-CN202120990793.1有效
发明人： 黄泓文;邸嘉玮;叶旸真;李夏禹;杜宇征;杨沙 -专利权人：天津中医药大学第一附属医院
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： A61G15/04 文献下载
摘要：本公开涉及一种多功能针灸治疗椅，包括椅身以及位于椅身一侧的靠垫；多功能针灸治疗椅还包括承托组件，承托组件包括用于承托头部的第一承托件以及用于承托上肢的第二承托件；第一承托件呈“U”形，设置在靠垫的上方，且与靠垫的上端相连接；第二承托件包括两块承托板，两块承托板分别设置在靠垫的左右两侧，且均与靠垫相连接。本公开在接受针刺治疗时面朝或背对靠垫坐时都能承托患者的头部和上肢，能有效缓解肌肉紧张，可充分暴露相应部位的穴位，可有效提高患者治疗过程的舒适度，提高临床疗效和患者的治疗体验。
一种多功能针灸治疗

[其他]发光装置-CN201990001113.X有效
发明人：洪裕萍;黄泓文;刘建男 -专利权人：亿光电子工业股份有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： F21S43/14 文献下载
摘要：本实用新型提供一种发光装置，其包括支架结构、封装结构、控制元件、多个LED芯片及多个胶体。封装结构设置于支架结构上，包括外围墙及内隔墙，以构成多个容置腔。控制元件及多个LED芯片位于不同的容置腔中，且通过内隔墙而相阻隔。多个胶体分别设置于多个容置腔中，覆盖控制元件及多个LED芯片。由此，本实用新型的发光装置可具备多种用途并且结构紧凑，而且控制元件不易被LED芯片的光线照射而损坏。
发光装置

[发明专利]具伸张应力鳍状结构的制作方法与互补式鳍状晶体管结构-CN201710584810.X有效
发明人：李凯霖;李志成;陈威任;康庭绚;何仁愉;黄泓文;陈纪孝;杨皓翔;石安石;谢宗翰 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-07-18 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开一种具有伸张应力的鳍状结构的制作方法与互补式鳍状晶体管结构，其具有伸张应力的鳍状结构的制作方法，包含提供一基底包含一N型晶体管区和一P型晶体管区，接着形成二第一沟槽和二第二沟槽于基底中，第一沟槽定义出一鳍状结构，第二沟槽截断第一沟槽，然后进行一流动型化学气相沉积步骤，以形成一氧化硅层填入第一沟槽和第二沟槽，之后形成一图案化掩模只位于N型晶体管区，图案化掩模只重叠位于第二沟槽内的氧化硅层，然后以图案化掩模为掩模，去除部分的氧化硅层直至曝露出的氧化硅层的上表面低于鳍状结构的上表面。
伸张应力结构制作方法互补式鳍状晶体管

[发明专利]隧穿场效晶体管结构与其制作方法-CN201710442176.6在审
发明人： 黄泓文;李凯霖;何仁愉;陈纪孝;康庭绚;杨皓翔;石安石;谢宗翰 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-06-13 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开一种隧穿场效晶体管结构与其制作方法。该隧穿场效晶体管的制作方法，包含提供一基底，其上包含有一鳍状结构，其中该鳍状结构包含有一第一导电型态，接着形成一介电层位于该基底以及该鳍状结构上，并形成一栅极凹槽于该介电层中，然后在该栅极凹槽内形成一第一功函数金属层，该第一功函数金属层至少定义有一左部分、一右部分以及一中央部分，之后进行一蚀刻步骤，以移除该第一功函数金属层的该中央部分，并形成一凹槽于该第一功函数金属层的该左部分以及该右部分之间，以及形成一第二功函数金属层，至少填入该凹槽。
功函数金属层鳍状结构隧穿场效晶体管结构栅极凹槽基底制作蚀刻场效晶体管导电型态介电层电层填入移除

[发明专利]半导体元件的制造方法-CN201610104400.6在审
发明人： 黄泓文;夏兴国;邱清华 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2011-09-13 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种半导体元件的制造方法，包括：提供一基板；形成一半导体叠层结构于该基板上，该半导体叠层结构包括有源层；研磨该基板的一背面，以移除该基板的一部；以及通过蚀刻以移除该基板的一剩余部。本发明可改善制造工艺，制作出高效率与机械上耐用的半导体元件。
半导体元件制造方法

[发明专利]万向动态脊椎固定器-CN201410733575.4在审
发明人：郭荣富;苏芳庆;杨政融;黄泓文 -专利权人：郭荣富;苏芳庆;杨政融;黄泓文
申请日： 2014-12-04 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： A61B17/70 文献下载
摘要：本发明为一种万向动态脊椎固定器，第一支撑单元具第一支撑杆、第一罩体与第一弹簧悬体，第一支撑杆穿设第一罩体，第一支撑杆一端具第一弧形槽部抵触压迫第一弹簧悬体；第二支撑单元具第二支撑杆、第二罩体与第二弹簧悬体，第二支撑杆穿设第二罩体，第二支撑杆一端具第二弧形槽部抵触压迫第二弹簧悬体，第二罩体与第一罩体相互锁合形成容置空间，包覆第一弹簧悬体与第二弹簧悬体；至少两弹性体沿第一弹簧悬体与第二弹簧悬体排列，弹性体以固定元件锁固第一弹簧悬体与第二弹簧悬体，弹性体设缓冲结构，第一弧形槽部与第二弧形槽部受第一罩体与第二罩体锁合压迫使缓冲结构具压缩力。
万向动态脊椎固定器

[发明专利]内视镜操控装置-CN201210574691.7无效
发明人：林成文;施威任;陈彦年;苏子可;李佩渊;黄泓文;罗健生 -专利权人：财团法人金属工业研究发展中心
申请日： 2012-12-26 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： G02B23/24 文献下载
摘要：一种内视镜操控装置，用以解决目前内视镜操控便利性不佳的问题，该内视镜操控装置包含：一个基座，内周壁设有一个定位卡槽，该定位卡槽中设有一个穿孔，该基座的环周面设有一个贯孔；一个线性位移控制模块，具有一个控制件及一个活动架板，该控制件设于该贯孔并通过一个驱动齿轮控制该活动架板轴向滑移；一个光学组件筒，设于该活动架板；及一个旋转控制组件，套接于该光学组件筒的外环周面并对位卡掣于该定位卡槽，该旋转控制组件局部穿过该穿孔而裸露于该基座外。
内视镜操控装置

[发明专利]具有嵌入式纳米级结构的光子器件-CN201310003824.X无效
发明人：李逸骏;朱荣堂;邱清华;黄泓文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-01-06 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造发光装置的方法。该方法包括在衬底上方形成第一III-V族化合物层。该第一III-V族化合物层具有第一导电类型。在第一III-V族化合物层上方形成多量子阱(MQW)层。然后在该MQW层上方形成第二III-V族化合物层。该第二III-V族化合物层具有与第一导电类型不同的第二导电类型。此后，在第二III-V族化合物层上方形成多个导电元件。然后在第二III-V族化合物层上方以及在导电元件上方形成反光层。导电元件每一个都比反光层具有更好的粘着特性和导电特性。本发明提供了具有嵌入式纳米级结构的光子器件。
具有嵌入式纳米结构光子器件

[发明专利]改善出光效率的发光二极管及其制造方法-CN201210384465.2无效
发明人：李逸骏;朱荣堂;邱清华;黄泓文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-10-11 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管结构及其制造方法。在一实例中，发光二极管结构包括具有大于或者等于约250μm厚度的晶体衬底，其中所述晶体衬底具有第一粗糙表面和第二粗糙表面，所述第二粗糙表面与所述第一粗糙表面相对置；设置在所述第一粗糙表面上的多个外延层，所述多个外延层被配置成为发光二极管；以及与所述晶体衬底接合的另一衬底，使得所述多个外延层设置在所述另一衬底和所述晶体衬底的第一粗糙表面之间。本发明还公开了改善出光效率的发光二级管及其制造方法。
改善效率发光二极管及其制造方法

[发明专利]厚窗口层LED制造-CN201210306855.8有效
发明人：李逸骏;朱荣堂;邱清华;黄泓文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-08-24 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED管芯以及用于接合、切割、和形成LED管芯的方法。在实例中，该方法包括形成LED晶圆，其中，LED晶圆包括衬底和设置在衬底上方的多个外延层，其中，将多个外延层配置成形成LED；将LED晶圆接合至基板以形成LED对；以及在接合之后，切割LED对，其中，切割包括：同时切割LED晶圆和基板，从而形成LED管芯。本发明还提供了一种厚窗口层LED制造。
窗口 led 制造

[发明专利]蚀刻发光器件的生长层以减小漏电-CN201110329787.2有效
发明人： 黄泓文;夏兴国;邱清华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-10-26 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造LEDs的方法，该方法在向台面结构上沉积有源层和其余外延层之前，通过为n-掺杂的外延层形成图案和蚀刻来形成n-掺杂层粗糙的表面区域以及临近粗糙的表面区域的台面结构。该方法包括生长LED的外延层，该外延层包括非掺杂层和在生长衬底的晶圆上的n-掺杂层。该方法还包括为n-掺杂层形成图案以形成n-掺杂层的第一区域和临近该第一区域的n-掺杂层的台面区域。该方法进一步包括蚀刻n-掺杂层的第一区域以生成粗糙的表面。该方法进一步包括生长附加的LED外延层，该附加的外延层包括有源层和在n-掺杂层的台面区域上的p-掺杂层。
蚀刻发光器件生长减小漏电

[发明专利]发光二极管的制造方法-CN201110276404.X有效
发明人： 黄泓文;夏兴国;邱清华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-09-13 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管的制造方法，包括：一种发光二极管形成于一蓝宝石基板之上，该蓝宝石基板可借由研磨与接着蚀刻而自该发光二极管处移除。该蓝宝石基板采用单一或多重研磨料而先研磨至一第一特定厚度。借由干蚀刻或湿蚀刻以移除剩余的蓝宝石基板。本发明可改善制造工艺，制作出高效率与机械上耐用的发光二极管。
发光二极管制造方法

[发明专利]发光二极管及发光二极管的制造方法-CN201110022196.0有效
发明人： 黄泓文;夏兴国;邱清华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-01-18 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开一种发光二极管及发光二极管的制造方法，该发光二极管包含一发光结构，此发光结构含有一置于横跨一第一掺杂层的垂直侧壁上的钝化层、一发光层，及至少完全覆盖上述发光层侧壁的一第二掺杂层。通过等离子体轰击(plasma bombardment)或发光结构的离子注入来形成钝化层。如此可在后续工艺步骤中保护侧壁且防止发光层周围的电流泄漏。
发光二极管制造方法

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