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[发明专利]具有栅极沟槽和掩埋的终端结构的功率半导体器件及相关方法-CN201780074972.7有效
发明人： D·J·里切特恩沃尔纳;E·R·万布鲁特;B·胡尔 -专利权人： 克里公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：半导体器件包括半导体层结构，半导体层结构包括包含宽带隙半导体材料的漂移区域。与漂移区域的导电类型相反导电类型的屏蔽图案设置在器件的有源区域中的漂移区域的上部部分中，并且与漂移区域的导电类型相反导电类型的终端结构设置在器件的终端区域中的漂移区域的上部部分中。栅极沟槽延伸到半导体层结构的上部表面中。半导体层结构包括在终端结构上面延伸并且至少部分地覆盖终端结构的半导体层。
具有栅极沟槽掩埋终端结构功率半导体器件相关方法

[发明专利]具有旁路栅极晶体管的高功率MMIC器件-CN201880029743.8有效
发明人： S·M·伍德;J·米里甘;M·弗洛尔斯;D·法雷尔;K·法耶德 -专利权人： 克里公司
申请日： 2018-05-03 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：提供了单片微波集成电路，该单片微波集成电路包括具有形成于其上的晶体管和至少一个附加电路的衬底。该晶体管包括在第一方向上延伸的漏极触件、与该漏极触件平行地在第一方向上延伸的源极触件、在源极触件和漏极触件之间在第一方向上延伸的栅极指以及在该第一方向上延伸的栅极跳线。栅极跳线在沿着第一方向彼此间隔开的两个或更多个位置处导电地连接到栅极指。
具有旁路栅极晶体管功率 mmic 器件

[发明专利]高电子迁移率晶体管和包括所述晶体管的具有改进的性能和可靠性的功率放大器-CN202080052190.5在审
发明人： K·博世;E·琼斯;D·纳米什亚;C·哈迪曼;F·拉都勒斯库;T·阿尔科恩;S·什帕德;B·施穆克勒;J·费舍 -专利权人： 克里公司
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种功率放大器，包括基于GaN的高电子迁移率晶体管(HEMT)器件，其中在功率放大器在26.5GHz和30.5GHz之间运行期间功率放大器的功率附加效率(PAE)在P1DB处大于32％。
电子迁移率晶体管包括具有改进性能可靠性功率放大器

[发明专利]具有回流金属间电介质层的功率半导体器件-CN202080044509.X在审
发明人： E·R·范布朗特;D·J·里施顿瓦尔纳;S·萨布里 -专利权人： 克里公司
申请日： 2020-05-01 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：功率半导体器件包括包含至少一个回流电介质材料图案和至少一个不可回流电介质材料图案的多层金属间电介质图案。在其他实施例中，功率半导体器件包括回流金属间电介质图案，其使用诸如坝料之类的牺牲结构形成以在回流处理期间限制金属间电介质图案的可回流电介质材料的横向扩展。该金属间电介质图案可以具有改进的形状和性能。
具有回流金属电介质功率半导体器件

[发明专利]具有旁路栅极结构的晶体管-CN202111066216.4在审
发明人： D·法雷尔;S·伍德;S·什帕德;D·纳米什亚 -专利权人： 克里公司
申请日： 2017-03-13 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开涉及具有旁路栅极结构的晶体管。晶体管器件包括在第一方向上延伸的源极触件、与所述源极触件相邻的在所述第一方向上延伸的栅极指状物以及与所述栅极指状物相邻的漏极触件，其中所述栅极指状物位于所述漏极触件和所述源极触件之间。该器件还包括在所述第一方向上延伸的栅极跳线、连接到所述栅极跳线和所述栅极指状物的栅极总线以及栅极信号分配条，所述栅极信号分配条在所述第一方向上与所述栅极总线间隔开并将所述栅极跳线连接到所述栅极指状物。
具有旁路栅极结构晶体管

[发明专利]稳定的高掺杂碳化硅-CN201780085956.8有效
发明人： A·鲍威尔;A·伯克;M·奥洛克林 -专利权人： 克里公司
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：描述了稳定的高掺杂碳化硅。使用化学气相沉积在基材上生长碳化硅晶体，使得碳化硅晶体包括掺杂剂与该应变补偿组分。该应变补偿组分可以是等电子元素和/或具有与掺杂剂相同的多数载流子类型的元素。该碳化硅晶体可以随后切割成碳化硅晶片。在一些实施方案中，该掺杂剂为n型，且该应变补偿组分选自锗、锡、砷、磷及其组合。在一些实施方案中，该应变补偿组分包含锗，且该掺杂剂为氮。
稳定掺杂碳化硅

[发明专利]晶体管内负载调制-CN202080025417.7在审
发明人： Z·A·莫赫蒂;F·特朗;H·蒋 -专利权人： 克里公司
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：功率放大器包括具有主放大器和峰化放大器的半导体管芯。主放大器包括至少一个第一晶体管，并且峰化放大器包括与第一晶体管不同的至少一个第二晶体管。峰化放大器被配置为响应于施加到第一晶体管和第二晶体管的相应栅极的公共栅极偏置来调制主放大器的负载阻抗。还讨论了相关的制造和操作方法。
晶体管负载调制

[发明专利]具有包括掩埋晶粒停止层的顶侧金属化结构的功率半导体装置-CN202080021107.8在审
发明人： S·萨布里;D·J·里施顿瓦尔纳;E·R·范布朗特;S·T·艾伦;B·胡尔 -专利权人： 克里公司
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：半导体装置包括在宽带隙半导体层结构上延伸的多个栅极指。在栅极指上形成金属间电介质图案，所述金属间电介质图案包括覆盖相应栅极指的多个电介质指。在金属间电介质图案上以及在宽带隙半导体层结构的上表面的暴露部分上设置顶侧金属化。顶侧金属化包括在金属间电介质图案上以及在宽带隙半导体层结构的上表面的暴露部分上的第一导电扩散阻挡层、在第一导电扩散阻挡层的上表面上的导电接触层和掩埋在导电接触层内的晶粒停止层。
具有包括掩埋晶粒停止金属化结构功率半导体装置

[发明专利]具有旁路栅极结构的晶体管-CN201780026750.8有效
发明人： D·法雷尔;S·伍德;S·什帕德;D·纳米什亚 -专利权人： 克里公司
申请日： 2017-03-13 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：晶体管器件包括在第一方向上延伸的源极触件、与所述源极触件相邻的在所述第一方向上延伸的栅极指状物以及与所述栅极指状物相邻的漏极触件，其中所述栅极指状物位于所述漏极触件和所述源极触件之间。该器件还包括在所述第一方向上延伸的栅极跳线、连接到所述栅极跳线和所述栅极指状物的栅极总线以及栅极信号分配条，所述栅极信号分配条在所述第一方向上与所述栅极总线间隔开并将所述栅极跳线连接到所述栅极指状物。
具有旁路栅极结构晶体管

[发明专利]具有输入-输出隔离的封装晶体管器件和形成具有输入-输出隔离的封装晶体管器件的方法-CN201980088036.0在审
发明人： F·特朗;H·蒋;Z·莫克提 -专利权人： 克里公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：提供了封装晶体管器件，包括在封装晶体管器件的基部上的晶体管，晶体管包括控制端子和输出端子、电耦合在输入引线和晶体管的控制端子之间的第一接合线、电耦合在输出引线和晶体管的输出端子之间的第二接合线、以及物理地在第一接合线和第二接合线之间的隔离材料，其中隔离材料被配置为减小第一接合线和第二接合线之间的耦合。
具有输入输出隔离封装晶体管器件形成方法

[发明专利]大功率RF晶体管的嵌入式谐波端子-CN201810103428.7有效
发明人： C·格兹;G·比格尼 -专利权人： 克里公司
申请日： 2018-02-01 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：半导体包括具有第一表面和相对面向的第二表面的半导体衬底。放大器设备形成在半导体衬底中，放大器设备被配置成在基本频率处放大RF信号。在衬底的第一表面上形成第一介电层。第一金属化层形成在第一介电层上。第一金属化层与衬底通过第一介电层间隔开。第一金属化层包括与第一参考电位板相互交叉的第一细长指状件。第一细长指状件与第一参考电位板物理地断开。第一参考电位板包括没有金属化的第一图案化形状。第一图案化形状具有过滤基本频率的谐波分量的几何结构。
大功率 rf 晶体管嵌入式谐波端子

[发明专利]晶体管电平输入和输出谐波终止-CN201980067907.0在审
发明人： F·特朗;Z·莫克提;G·比格尼 -专利权人： 克里公司
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：一种晶体管器件包括：晶体管单元，所述晶体管单元包括沟道区；栅极道，所述栅极道电连接到在沟道区上方的栅极电极并与栅极电极物理地分离；以及谐波终止电路，所述谐波终止电路在晶体管器件的输入端子和栅极电极之间电连接到栅极道，谐波终止电路被配置为终止晶体管器件的基本操作频率的谐波频率处的信号。
晶体管电平输入输出谐波终止

[发明专利]具有隔离结构的射频晶体管放大器和其它多单元晶体管-CN201980056498.4在审
发明人： F·特朗;母千里;H·蒋;Z·莫克提 -专利权人： 克里公司
申请日： 2019-07-18 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：一种多单元晶体管包括半导体结构，并联电连接的多个单位单元晶体管，每个单位单元晶体管在半导体结构中在第一方向上延伸，其中，单位单元晶体管沿着第二方向彼此间隔开，以及隔离结构，该隔离结构位于第一组单位单元晶体管和第二组单位单元晶体管之间并在半导体结构上方延伸。
具有隔离结构射频晶体管放大器其它单元

[发明专利]具有增强模式和耗尽模式晶体管二者的单片微波集成电路-CN201980052276.5在审
发明人： S·斯瑞拉姆;J·高;J·费舍;S·什帕德 -专利权人： 克里公司
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L21/8252 文献下载
摘要：一种基于氮化镓的单片微波集成电路包括基板(110)、基板上的沟道层(130)和沟道层上的阻挡层(140)。在阻挡层的顶表面中提供凹部(412)。在阻挡层上与沟道层相对地提供第一栅电极、第一源电极和漏电极，其中，第一栅电极(210、310)的底表面与阻挡层直接接触。在阻挡层上与沟道层相对地还提供第二栅电极(410)、第二源电极(420)和第二漏电极(430)。在阻挡层中的凹部中提供栅绝缘层(412)，并且第二栅电极与阻挡层相对地在栅绝缘层上并延伸到凹部中。第一栅电极、第一源电极和第一漏电极包括耗尽模式晶体管(200、300)的电极，并且第二栅电极、第二源电极和第二漏电极包括增强模式晶体管(400)的电极。
具有增强模式耗尽晶体管二者单片微波集成电路

[发明专利]改善的漏极和/或栅极互连件以及指状结构-CN201980046430.8在审
发明人： Z·莫克提;F·特朗;H·蒋 -专利权人： 克里公司
申请日： 2019-07-09 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：依据本发明的一些实施例，提供了晶体管器件，该晶体管器件包括：半导体结构；在第一方向上在半导体结构上延伸的栅极指；以及栅极互连件，在第一方向上延伸并且被构造为在栅极互连件的内部位置处耦合到栅极信号，其中栅极互连件在从栅极互连件的内部位置偏移的位置处连接到栅极指。
改善栅极互连以及结构

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