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[发明专利]带有改进的反铁磁耦合薄膜的记录磁盘-CN200410061668.3无效
发明人：玛丽·F.·朵尔纳;埃里克·E.·弗勒顿 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2004-06-23 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：公开了带有改进的反铁磁耦合薄膜的记录磁盘。本发明的记录磁盘的铁磁结构带有以一种改进的AFC薄膜反铁磁耦合在一起的两个铁磁层。这种AFC薄膜使交换耦合提高至一个因数或2，并且具有接近六角形密集晶体结构，使它与Co合金铁磁层兼容。
带有改进反铁磁耦合薄膜记录磁盘

[发明专利]磁阻式随机存取存储器结构及其形成方法-CN201310462757.8在审
发明人：徐晨祐;黄韦翰;刘世昌;蔡嘉雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-09-30 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：MTJ元件包括反铁磁材料层。铁磁固定层位于反铁磁材料层上方。隧道层位于铁磁固定层上方。铁磁自由层位于隧道层上方。铁磁自由层具有第一部分和消磁的第二部分。
磁阻随机存取存储器结构及其形成方法

[发明专利]磁阻式随机存取存储器结构及其形成方法-CN201910089450.5在审
发明人：徐晨祐;黄韦翰;刘世昌;蔡嘉雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-09-30 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：MTJ元件包括反铁磁材料层。铁磁固定层位于反铁磁材料层上方。隧道层位于铁磁固定层上方。铁磁自由层位于隧道层上方。铁磁自由层具有第一部分和消磁的第二部分。
磁阻式随机存取存储器底部电极结构反铁磁材料层铁磁固定层铁磁自由层隧道层磁性隧道结顶部电极消磁

[发明专利]半导体存储装置-CN200910146177.1有效
发明人：王郁仁;高雅真;林春荣 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-06-18 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体存储装置，包括：一底电极，位于一半导体基底上；一反铁磁层，设置于该底电极之上；一第一固定参考层，设置于该反铁磁层之上；一穿隧绝缘层，设置于该第一固定参考层之上；一第一铁磁层，设置于该穿隧绝缘层之上；一第二铁磁层，设置于该第一铁磁层之上；以及一顶电极，设置于该第二铁磁层之上。
半导体存储装置

[发明专利]垂直磁记录介质及其制造方法以及磁记录系统-CN200710153186.4无效
发明人：安东尼·阿扬 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2007-09-28 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：其中在垂直介质中，将形成为多晶铁磁层的、包含铁、钴和/或镍的晶化铁磁层用作反平行软衬层(APS－SUL)结构的一部分，以减少中间层的厚度。软衬层结构由非磁性间隔层组成，该非磁性间隔层的厚度被调整为在两个铁磁层之间形成有效的反平行耦合。在由非晶铁磁层形成的下层与由非晶铁磁层和多晶铁磁层形成的上层之间的反平行方向上形成磁耦合。多晶铁磁层的厚度优选为1nm至20nm。中间层(例如钌层)直接形成在磁性多晶软衬层上，厚约10nm至20nm。记录磁层和保护层形成在中间层上。本发明能够在降低噪声的同时获得更高的可写性。
垂直记录介质及其制造方法以及系统

[发明专利]具有交换偏置效应和电致阻变效应的异质结及其制备方法-CN201410542348.3有效
发明人：张铭;魏纪周;邓浩亮;楚上杰;杜敏永;严辉;宋雪梅;王波;王如志;侯育冬;朱满康;汪浩 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2014-10-14 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明属于磁性材料领域，提供一种具有交换偏置效应的铁磁/反铁磁异质结，以La0.7Sr0.3MnO3作为铁磁层及底电极层，掺杂有Ba、Ca、Sr、Pb中的一种或多种的BiFeO3作为反铁磁层，钙钛矿结构的铝酸镧本发明还提出所述铁磁/反铁磁异质结的制备方法。
异质结电阻状态反铁磁电致偏置铁磁制备磁性材料领域钙钛矿结构耐疲劳性能底电极层多次测量反铁磁层曲线分析剩余极化铝酸镧铁磁层铁电性钛酸锶镓酸钕变性衬底单晶交换掺杂

[发明专利]电流垂直于平面磁阻传感器及其制造方法-CN200410100236.9无效
发明人：普拉卡什·卡西拉杰;斯蒂芬·马特 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2004-12-13 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：铁磁稳定层通过间隔层与自由层隔开并与第二反铁磁层交换耦合，第一反铁磁层是常规铁磁层，用于在CPP传感器中钉扎被被钉扎层。稳定层为涡旋或其它非纵向磁化模式，该稳定层的涡旋磁化模式通过与第二反铁磁层交换耦合固定。稳定层穿过间隔层被铁磁耦合到自由层，由此在无传感电流和外部磁场的情况下自由和稳定层具有相似形状的涡旋或其它非纵向磁化模式。
电流垂直平面磁阻传感器及其制造方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202010645970.2在审
发明人：邱久容;冯雅圣;曾奕铭;施易安;陈禹钧;李怡慧;朱中良;胡修豪 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-07-07 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先形成一金属间介电层于基底上，然后形成一凹槽于金属间介电层内，形成一合成反铁磁层于该凹槽内，形成一金属层于合成反铁磁层上，平坦化金属层以及合成反铁磁层以形成一金属内连线
半导体元件及其制作方法

[发明专利]磁性存储单元结构与磁性存储装置-CN200710149762.8无效
发明人：李元仁;王丁勇;洪建中 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2007-09-05 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：该磁性存储单元结构包括第一反铁磁层。第一固定层，形成于第一反铁磁层之上。穿隧能障绝缘层，形成于第一固定层之上。自由层，形成于穿隧能障绝缘层之上。金属层，形成于自由层之上。第二固定层，形成于金属层之上。第二反铁磁层，形成于第二固定层之上。
磁性存储单元结构装置

[发明专利]具有减小的屏蔽层到屏蔽层间隔的磁性元件-CN201210124673.9有效
发明人： V·B·萨波日尼科夫;E·W·辛格尔顿;M·W·科温顿 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2012-04-25 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： G11B5/245 文献下载
摘要：磁性元件包括具有通过间隔层与合成反铁磁(SAF)层分开且通过空气轴承表面(ABS)与存储在相邻介质中的感测数据位分开的铁磁自由层的磁响应叠片。该叠片耦合到离ABS有一预定偏距的至少一个反铁磁(AFM)调整片。
具有减小屏蔽间隔磁性元件

[发明专利]磁阻器件、薄膜磁头和磁盘驱动设备-CN200710199732.8无效
发明人：近藤玲子 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2007-12-12 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种磁阻器件、薄膜磁头和磁盘驱动设备，该磁阻器件包括：反铁磁层；第一被钉扎层，其磁化方向被该反铁磁层固定；参考被钉扎层，与该第一被钉扎层反铁磁耦合，并且反平行于该第一被钉扎层；以及自由层，其磁化方向在施加外部磁场下相对于该参考被钉扎层而改变
磁阻器件薄膜磁头磁盘驱动设备

[发明专利]控制钉扎层畴结构在巨/隧穿磁电阻结构实现多态存储的方法及多态存储器-CN202110528052.6在审
发明人：卢世阳;陈伟斌;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 -专利权人：致真存储（北京）科技有限公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：其中，该方法包括：在所述自旋产生层中通入电流产生自旋流，从而产生自旋轨道力矩效应；基于所述产生的自旋轨道力矩效应改变所述反铁磁钉扎层中反铁磁磁序的数量、大小和方向中的至少一种，从而影响所述铁磁被钉扎层中磁畴的数量、大小和方向中的至少一种；控制所述电流的大小，从而使得所述反铁磁磁序产生多次不同程度的偏转；基于磁电阻效应读出所述偏转，进而实现一个物理存储单元直接存储多个阻态。
控制钉扎层畴结构磁电实现存储方法存储器

[发明专利]具有增强热稳定性的自旋轨道扭矩MRAM存储器单元-CN201880018109.4在审
发明人： G·米哈伊洛维奇;C·H·曾 -专利权人：闪迪技术有限公司
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：平面内SOT MRAM非易失性存储器单元由于相邻的反铁磁层提供的矫顽钉扎而具有増强的热稳定性，该反铁磁层的厚度小于提供交换偏置所需的最小临界厚度。
反铁磁层非易失性存储器单元增强热稳定性单元平面热稳定性钉扎偏置自旋轨道交换

[发明专利]分层结构和存储装置-CN201710129724.X有效
发明人：山根一阳;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后丰;浅山彻哉;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-11-26 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种分层结构包括：存储层，具有与膜面垂直的磁化，其中，该磁化的方向配置为通过在所述分层结构的层压方向上施加电流而根据信息而被改变；磁化固定层，具有与所述存储层的磁化方向平行或非平行的磁化，并且包括包含多个铁磁层以及一个或多个非磁层的层压铁钉合结构，所述层压铁钉合结构还包含形成在所述多个铁磁层的第一铁磁层上的反铁磁材料，并且所述反铁磁材料位于所述第一铁磁层与所述非磁层之间；以及隧道绝缘层，位于所述存储层和所述磁化固定层之间。
分层结构存储装置

[发明专利]Mn－Fe基系反铁磁磁形状记忆合金-CN03116163.4无效
发明人：张骥华;陈树川;陈世朴;鲁萍 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2003-04-03 - 公布日： 2003-09-10 - 主分类号： C22C22/00 文献下载
摘要：一种Mn－Fe基系反铁磁磁形状记忆合金属于材料领域。本发明包含的各组分及其重量百分比为：Mn：30－90％；Fe：70－10％。本发明Mn－Fe基系反铁磁磁形状记忆合金非属铁磁性，该合金可在反铁磁状态，在存在fct马氏体孪晶界，或不存在fct马氏体孪晶而存在反铁磁畴界的情况下都可获得磁形状记忆效应，按现测量结果显示，在多晶状态，在1T磁场下，最大已获得～0.1％的磁诱发负应变；如以穿过孪晶界的切应变γo＝(a/c)(1－C2/a2)估算，对应c/a＝0.96，切应变在单晶状态它的理论值亦可达到4％，与Ni2MnGa和Ni－Co合金相比在多晶状态就可获得可观的磁控形状记忆效应，通过定向凝固或磁场热处理有望获得更大的磁应变量，而具有更易的材料制备和加工性能。
mn fe 基系反铁磁磁形状记忆合金