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[发明专利]多级切换的电阻式随机存取存储器及其操作方法-CN200910137990.2有效
发明人：简维志;陈逸舟;张国彬;赖二琨;谢光宇 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2009-05-05 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种多级切换的金属-氧化物为基础的电阻式随机存取存储器及其操作方法。此处所描述的方法包括施加一系列的调整偏压于一选取金属-氧化物存储元件以改变该选取金属-氧化物存储元件的电阻状态自多个电阻状态的一第一电阻状态至一第二电阻状态。该施加一系列的调整偏压包含施加一第一组的一个或多个脉冲以改变该选取金属-氧化物存储元件的该电阻状态自多个电阻状态的该第一电阻状态至一第三电阻状态，以及施加一第二组的一个或多个脉冲以改变该选取金属-氧化物存储元件的该电阻状态自多个电阻状态的该第三电阻状态至该第二电阻状态
多级切换电阻随机存取存储器及其操作方法

[发明专利]电阻变化型非易失性存储元件的写入方法和电阻变化型非易失性存储装置-CN201080001861.1有效
发明人：东亮太郎;岛川一彦;村冈俊作;河合贤 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-04-27 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种即使是能出现半LR的状态的电阻变化元件也能修正为正常的低电阻状态并能最大限确保电阻变化窗口的电阻变化元件的写入方法。一种针对根据所施加的电压的极性而可逆地转变高电阻状态与低电阻状态的电阻变化元件(10a)的数据的写入方法，其包括：高电阻化写入步骤(405)，作为以下部电极(14t)为基准施加于上部电极(11)的电压，施加正的电压以使电阻变化元件(10a)成为高电阻状态(401)；低电阻化写入步骤(406)和(408)，施加负的电压以使电阻变化元件(10a)成为低电阻状态(403)和(402)；以及低电阻稳定化写入步骤(404)，通过在由低电阻化写入步骤(408)施加了负的电压之后施加正的电压，从而使电阻变化元件(10a)经过低电阻状态成为高电阻状态(401)。
电阻变化型非易失性存储元件写入方法装置

[发明专利]使用金属氧化物的大容量一次性可编程存储单元-CN200880122646.X有效
发明人： T·库玛尔 -专利权人：桑迪士克3D公司
申请日： 2008-11-05 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： G11C13/02 文献下载
摘要：一种编程非易失性存储器件的方法，包括(i)提供包含有与至少一个金属氧化物串联的二极管的非易失性存储单元，(ii)施加第一正向偏置，将金属氧化物的电阻率状态从第一状态变化到第二状态；(iii)施加第二正向偏置，将金属氧化物的电阻率状态从第二状态变化到第三状态；以及(iv)施加第三正向偏置，将金属氧化物的电阻率状态从第三状态变化到第四状态。第四电阻率状态高于第三电阻率状态，第三电阻率状态低于第二电阻率状态，而第二电阻率状态低于第一电阻率状态。
使用金属氧化物容量一次性可编程存储单元

[发明专利]对包括可逆电阻器件的非易失性存储器件进行编程的方法-CN202110986572.1在审
发明人：韩在贤 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：多个存储单元中的每个存储单元包括可逆电阻器件。从多个存储单元之中选择目标存储单元。确定用于目标存储单元的可逆电阻器件的目标电阻状态。读取目标存储单元的可逆电阻元件的电阻状态。将所读取的电阻状态与目标电阻状态进行比较。当所读取的电阻状态与目标电阻状态不同时，对目标存储单元的可逆电阻器件执行正编程操作和负编程操作之一。
包括可逆电阻器件非易失性存储器进行编程方法

[发明专利]一种可切换热敏电阻温度变换器-CN202210341689.9在审
发明人：孙明晓;高杨杨;马佳;殷晓坤;于洋 -专利权人：北京强度环境研究所
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G01K7/22 文献下载
摘要：一种可切换热敏电阻温度变换器，包括低温状态热敏电阻变换电路、常温状态热敏电阻变换电路，所述低温状态热敏电阻变换电路、常温状态热敏电阻变换电路连接后分别通过多路复用器连接输入、输出，对低温状态和常温状态的热敏电阻都具备信号变换的功能，变换器具备两种工作状态，并感应外界环境下进行状态切换；所述低温状态热敏电阻变换电路包括5uA激励电流发生电路，所述常温状态热敏电阻变换电路包括0.5mA激励电流发生电路、大倍数电压偏置放大电路。
一种切换热敏电阻温度变换器

[发明专利]可变电阻器件及半导体装置以及该半导体装置的操作方法-CN201110043409.8有效
发明人：金英培;李昌范;李东洙;金昌桢;李明宰;张晚;李承烈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-02-23 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种可变电阻器件及半导体装置以及该半导体装置的操作方法。包括可变电阻器件的半导体装置的操作方法包括：通过施加重置脉冲电压到可变电阻器件以将可变电阻器件从第一电阻状态切换到第二电阻状态，写入第一数据到半导体装置；以及通过施加设定脉冲电压到可变电阻器件以将可变电阻器件从第二电阻状态切换到第一电阻状态重置脉冲电压高于设定脉冲电压，第二电阻状态的电阻大于第一电阻状态的电阻。
可变电阻器件半导体装置以及操作方法

[发明专利]存储装置-CN201110401835.4有效
发明人：対马朋人;北川真;椎本恒则;中岛智恵子;吉原宏;小方宪太郎 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2011-12-06 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种存储装置，其包括多个存储单元，每个存储单元包含第一电阻变化元件；以及读出电路，其通过比较从多个存储单元中选择的存储单元的电阻状态与基准存储单元的电阻状态，以判定第一电阻变化元件的电阻值的大小；其中，所述基准存储单元包含第二电阻变化元件，第二电阻变化元件相对于所施加电压的电阻值小于第一电阻变化元件在高电阻状态下的电阻值，并且第二电阻变化元件呈现出与第一电阻变化元件相同的电阻变化特性。本发明可精确地判定存储单元的电阻值大小，即，不考虑读出电压等级而判定所述状态是写入状态还是擦除状态。
存储装置

[发明专利]存储元件的驱动方法及使用存储元件的存储装置-CN201180041359.8无效
发明人：高桥刚;增田雄一郎;古田成生;角谷透;小野雅敏;林豊;福冈敏美;清水哲夫;库玛拉古卢巴兰·索姆;菅洋志;内藤泰久 -专利权人：独立行政法人产业技术综合研究所;株式会社船井电机新应用技术研究所;船井电机株式会社
申请日： 2011-08-25 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：存储元件10具有绝缘性基板1、设置于绝缘性基板的第一电极2及第二电极3、产生第一电极与第二电极之间的电阻值的变化现象的电极间间隙部4，通过从脉冲发生源向存储元件10施加用于从规定的低电阻状态向规定的高电阻状态转换的第一电压脉冲，经由串联的电阻体向存储元件10施加用于从高电阻状态向低电阻状态转换的第二电压脉冲，来减小流向变化为低电阻值之后的存储元件的电流值，与从低电阻状态向所述高电阻状态转换的情况相比，在从高电阻状态向低电阻状态转换的情况下，在使在脉冲发生源与存储元件之间的电阻变大之后，施加电压脉冲。
存储元件驱动方法使用装置

[发明专利]一种可编程电阻输出装置和方法-CN201410160373.5在审
发明人：刘伟良;李小文;苏理;谭利红;陈明奎;余长超;李进进;刘丽君 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2014-04-21 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： G05B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种可编程电阻输出装置和方法，该装置包括：电阻网络，其包括若干电阻；控制模块，其用于根据电阻输出指令产生并输出相应的控制信号；开关阵列，其连接在控制模块与电阻网络之间，包括若干开关单元，开关单元与电阻网络中相应的电阻并联，用于在控制信号的作用下短路或导通相应的电阻，以控制电阻网路的输出电阻阻值；状态反馈模块，其连接在控制模块与开关阵列之间，用于根据开关阵列的状态产生相应的状态信号，并将状态信号反馈给控制模块，以供控制模块判断所述开关阵列工作状态是否正常本发明结构简单、控制方便，具有状态反馈功能，能够实时监控各个电阻输出通道的实际状态，从而保证了整个装置的可靠性。
一种可编程电阻输出装置方法

[发明专利]存储系统-CN202210104958.X在审
发明人：片山明 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G11C5/06 文献下载
摘要：一种能够进行稳定的读出动作的存储系统，具有：第1布线，在第1方向上延伸；第2布线，在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸；存储单元，包括电连接在第1布线与第2布线之间的、串联连接的可变电阻元件和开关元件；可变电阻元件是被切换为第1低电阻状态或第1高电阻状态的元件。开关元件是根据所施加的电压而被切换为比第1低电阻状态的电阻低的第2低电阻状态或比第1高电阻状态的电阻高的第2高电阻状态的两端子元件。控制电路在向第1布线供给了开关元件被切换为第2低电阻状态的第1电压之后，供给开关元件被从第2低电阻状态切换为第2高电阻状态的第2电压，在供给了第2电压之后，检测第2布线的第1对象电压。
存储系统

[发明专利]存储器架构与其操作方法-CN201310597458.5有效
发明人：李明修;李峰旻;林昱佑 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2013-11-22 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器架构与其操作方法，操作方法应用于包括一晶体管与一电阻式存储器元件的一电阻式存储单元。该操作方法包括：于一编程操作时，一编程电流通过该晶体管与该电阻式存储器元件，以使得该电阻式存储器元件的一电阻状态由一第一电阻状态改变成一第二电阻状态；以及于一擦除操作时，一擦除电流从该晶体管的一阱区流向该电阻式存储器元件但该擦除电流不流经该晶体管，以使得该电阻式存储器元件的该电阻状态由该第二电阻状态改变成该第一电阻状态。
存储器架构与其操作方法

[发明专利]一种风机叶片合模面状态监测方法、系统、装置及介质-CN202310721023.0在审
发明人：祖平文;张向军;赵元军;许帅;聂海军;杨文涛;张理珍;宋玉;王龙 -专利权人：华电电力科学研究院有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： F03D17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种风机叶片合模面状态监测方法、系统、装置及介质，涉及风电技术领域，为了及时的监测风机叶片合模面的状态，在合模面上敷设了梯状电阻网，且梯状电阻网由若干个电阻构成，如果风机叶片合模面的状态正常，则当前梯状电阻网内的所有电阻均并联，所以为了监测风机叶片合模面的状态是否正常，需要确定各电阻中当前并联的电阻的当前总阻值，并通过判断并联后的当前总阻值是否满足预设条件来判断风机叶片合模面的状态是否正常，本方案通过测量梯状电阻网上各电阻中当前并联的电阻的当前总阻值即可对风机叶片合模面的状态进行及时且准确的判断，实现了对风机叶片合模面的状态的实时监测。
一种风机叶片合模面状态监测方法系统装置介质

[发明专利]非易失性存储装置和对非易失性存储装置的写入方法-CN201180002021.1有效
发明人：加藤佳一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-03-28 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：该非易失性存储装置具备电阻变化型元件(106)和向电阻变化型元件(106)写入信息的写入电路(101)，电阻变化型元件(106)具有以下特性，即：在施加第1电压(Vh或Vl)的脉冲后，从第1电阻状态(LR状态或HR状态)向第2电阻状态(HR状态或LR状态)变化，在施加极性与第1电压不同的第2电压(Vl或Vh)的脉冲后，从第2电阻状态向第1电阻状态变化。写入电路(101)在使电阻变化型元件(106)从第1电阻状态向第2电阻状态变化时，对于电阻变化型元件(106)，至少将第1电压(Vh或Vl)的脉冲、电压的绝对值比第2电压小且极性与第2电压相等的第3电压
非易失性存储装置写入方法

[发明专利]掺杂氮的氧化镁内的电阻开关-CN201080055451.5有效
发明人： S.S.帕金;M.G.萨曼特;杨政翰;蒋信 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2010-09-21 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：掺杂氮的氧化镁(MgO)绝缘层呈现电压控制的电阻状态，如，高电阻状态和低电阻状态。100nm级的图案化纳米装置显示高的可再现开关特性。通过增加氮浓度，可有系统地降低此类装置在两个电阻电平之间切换的电压电平。同样地，通过改变氮浓度，可改变高电阻状态的电阻，和通过改变氮浓度几个百分比，可减少高电阻状态的电阻若干数量级。另一方面，低电阻状态的电阻则几乎不受氮掺杂程度的影响。通过限制在SET(设定)过程期间通过的电流，可在广泛范围中改变单一Mg50O50-xNx层装置的电阻。因而可建构相关的数据存储装置。
掺杂氧化镁电阻开关

[发明专利]确定电阻存储单元的电阻状态的电路和方法-CN200710096641.1无效
发明人： J·C·埃各尔 -专利权人：奇梦达股份公司
申请日： 2007-04-19 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：公开了一种用于确定正被读取的电阻存储单元的电阻状态的方法和电路。该方法包括通过比较取决于正被读取的存储单元的电阻状态的电流和参考电流来确定正被读取的存储单元的电阻状态，参考电流取决于至少一个参考电阻存储单元的电阻状态。读取电路可被构造为比较两个电流。正被读取的存储单元的电阻状态指示由存储单元存储的数据位。
确定电阻存储单元状态电路方法

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