专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]磁性随机存取存储器结构-CN202011414106.8有效
  • 朱中良;王裕平;陈昱瑞 - 联华电子股份有限公司
  • 2018-07-19 - 2023-09-12 - H10B61/00
  • 本发明公开一种磁性随机存取存储器(magnetic random access memory,MRAM)结构,包含一晶体管,包含有一栅极、一源极以及一漏极,一磁性隧穿介面(magnetic tunnel junction,MTJ)元件,至少包含有一自由层、一绝缘层以及一固定层,其中该绝缘层位于该自由层以及该固定层之间,该自由层位于该绝缘层之上,其中该MTJ元件的该自由层与一位线(bit line,BL)电连接,该MTJ元件的该固定层与该晶体管的该源极电连接,该晶体管的该漏极电连接一感测线(sense line,SL),以及一第一导电通孔(via),直接接触该MTJ元件,其中该第一导电通孔的材质包含钨。
  • 磁性随机存取存储器结构
  • [发明专利]半导体元件-CN202310383848.6在审
  • 朱中良;陈建诚;王裕平;陈昱瑞 - 联华电子股份有限公司
  • 2018-06-08 - 2023-07-18 - H10N50/10
  • 本发明公开一种半导体元件,其主要包含一基底具有一阵列区域设于其上、一圈磁性隧穿接面(magnetic tunneling junction,MTJ)区域环绕该阵列区域、一间隙设于该阵列区域以及该圈MTJ区域之间以及多个金属内连线图案重叠部分该MTJ区域。其中该圈MTJ区域又包含一第一MTJ区域以及一第二MTJ区域沿着一第一方向延伸以及一第三MTJ区域以及一第四MTJ区域沿着一第二方向延伸。
  • 半导体元件
  • [发明专利]半导体元件-CN202310386478.1在审
  • 朱中良;陈建诚;王裕平;陈昱瑞 - 联华电子股份有限公司
  • 2018-06-08 - 2023-07-14 - H10N50/10
  • 本发明公开一种半导体元件,其主要包含一基底具有一阵列区域设于其上、一圈磁性隧穿接面(magnetic tunneling junction,MTJ)区域环绕该阵列区域、一间隙设于该阵列区域以及该圈MTJ区域之间以及多个金属内连线图案重叠部分该MTJ区域。其中该圈MTJ区域又包含一第一MTJ区域以及一第二MTJ区域沿着一第一方向延伸以及一第三MTJ区域以及一第四MTJ区域沿着一第二方向延伸。
  • 半导体元件
  • [发明专利]半导体元件-CN201810586453.5有效
  • 朱中良;陈建诚;王裕平;陈昱瑞 - 联华电子股份有限公司
  • 2018-06-08 - 2023-05-12 - H10N50/10
  • 本发明公开一种半导体元件,其主要包含一基底具有一阵列区域设于其上、一圈磁性隧穿接面(magnetic tunneling junction,MTJ)区域环绕该阵列区域、一间隙设于该阵列区域以及该圈MTJ区域之间以及多个金属内连线图案重叠部分该MTJ区域。其中该圈MTJ区域又包含一第一MTJ区域以及一第二MTJ区域沿着一第一方向延伸以及一第三MTJ区域以及一第四MTJ区域沿着一第二方向延伸。
  • 半导体元件
  • [发明专利]磁性随机存取存储器结构-CN202210471877.3在审
  • 朱中良;王裕平;陈昱瑞 - 联华电子股份有限公司
  • 2018-07-19 - 2022-08-05 - H01L27/22
  • 本发明公开一种磁性随机存取存储器(magnetic random access memory,MRAM)结构,包含一晶体管,包含有一栅极、一源极以及一漏极,一磁性隧穿介面(magnetic tunnel junction,MTJ)元件,至少包含有一自由层、一绝缘层以及一固定层,其中该绝缘层位于该自由层以及该固定层之间,该自由层位于该绝缘层之上,其中该MTJ元件的该自由层与一位线(bit line,BL)电连接,该MTJ元件的该固定层与该晶体管的该源极电连接,该晶体管的该漏极电连接一感测线(sense line,SL),以及一第一导电通孔(via),直接接触该MTJ元件,其中该第一导电通孔的材质包含钨。
  • 磁性随机存取存储器结构
  • [发明专利]磁性随机存取存储器结构-CN201810794914.8有效
  • 朱中良;王裕平;陈昱瑞 - 联华电子股份有限公司
  • 2018-07-19 - 2022-05-24 - H01L27/22
  • 本发明公开一种磁性随机存取存储器(magnetic random access memory,MRAM)结构,包含一晶体管,包含有一栅极、一源极以及一漏极,一磁性隧穿介面(magnetic tunnel junction,MTJ)元件,至少包含有一自由层、一绝缘层以及一固定层,其中该绝缘层位于该自由层以及该固定层之间,该自由层位于该绝缘层之上,其中该MTJ元件的该自由层与一位线(bit line,BL)电连接,该MTJ元件的该固定层与该晶体管的该源极电连接,该晶体管的该漏极电连接一感测线(sense line,SL),以及一第一导电通孔(via),直接接触该MTJ元件,其中该第一导电通孔的材质包含钨。
  • 磁性随机存取存储器结构

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