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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]基于人工反铁磁交换耦合场梯度无场翻转的自旋存储器件-CN202211467879.1在审
发明人：王佳乐;周铁军;樊浩东;骆泳铭 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明公开了基于人工反铁磁交换耦合场梯度无场翻转的自旋存储器件，自下而上包括衬底层、缓冲层、自旋流层、复合自由层、势垒层、参考层和顶部电极层。其中复合自由层包括两个铁磁层，与设置在铁磁层间的楔形耦合层。其中楔形耦合层可以调节层间交换强度，并且产生巨大交换场梯度，从而提供一个额外的面外转矩，帮助器件在电流驱动下实现大比率的无磁场磁化翻转。本申请通过人工反铁磁材料制作的自旋存储器件器件相较于单一的铁磁或反铁磁材料，具有零净磁矩、抗干扰能力强、翻转速度快并且易于读写等特点，在磁存储领域具有很强的竞争力。
基于人工反铁磁交换耦合梯度翻转自旋存储器件

[发明专利]一种可电场调节磁电阻的自旋阀结构及其制备工艺-CN201010608783.3有效
发明人：姜勇;苗君;张欣;张德林;徐晓光 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2010-12-17 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：一种通过电场方式调节磁电阻的自旋阀结构，其特征在于：以多铁性材料取代传统自旋阀中的反铁磁层，制备出多铁性反铁磁层\钉扎层\非磁层\自由层的自旋阀结构，通过反铁磁层来对整个自旋阀的磁电阻进行调控。本发明的优点在于：传统自旋阀的调节方式为通过外磁场改变自由层的磁域方向，实现对磁电阻两种状态的调控，而我们的自旋阀则利用多铁性材料的磁电耦合效应，通过施加外电压改变电域方向进而改变其磁域方向，来影响钉扎层的磁域方向
一种电场调节磁电自旋结构及其制备工艺

[发明专利]基于钙钛矿型金属有机-框架材料的磁电存储器存储单元-CN202210510921.7在审
发明人：王晨宇;李瑞昭;徐兴亮 -专利权人：浙江科技学院
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于钙钛矿型金属有机‑框架材料的磁电存储器存储单元，本发明通过控制第二铁磁层(3)的磁化方向存储二进制信息，并由第一铁磁层(1)读取，通过第二铁磁层(3)与底电极层(5)施加电压穿过铁电‑反铁磁层(4)，铁电‑反铁磁层(4)在电场的作用下通过磁电耦合效应实现第二铁磁层(3)偏转，从而写入存储信息。
基于钙钛矿型金属有机框架材料磁电存储器存储单元

[发明专利]一种自旋轨道矩磁阻式随机存储器及其制备方法与应用-CN202211316068.1在审
发明人：王晓蕾;崔帅楠;杨倩倩;尚紫璇 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明自旋轨道矩磁阻式随机存储器，包括：衬底和在衬底上依次层叠的非共线反铁磁层和磁阻隧道结；其中，磁阻隧道结包括由下至上依次层叠的遂穿层和铁磁性层。本发明制备方法中，采用磁控溅射方法依次形成非共线反铁磁层的材料层、磁阻隧道结的各材料层，对各材料层采用光刻技术和电子束曝光技术进行图案化，形成非共线反铁磁层以及磁阻隧道结，即得到自旋轨道矩磁阻式随机存储器本发明当电流通入具有应力梯度的非共线反铁磁层中，将产生自旋轨道耦合，从而改变非共线反铁磁层的的磁矩方向，实现隧道结的无外场写入功能。
一种自旋轨道磁阻随机存储器及其制备方法应用

[发明专利]磁隧道结存储单元及存储器-CN201911117972.8有效
发明人：林晓阳;尉国栋;范晓飞;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种磁隧道结存储单元及存储器。该磁隧道结存储单元包括：顶端电极、铁磁自由层、隧穿层、铁磁参考层、相变层、铁磁被钉扎层、反铁磁钉扎层和底端电极；相变层位于铁磁参考层和铁磁被钉扎层之间，具有响应于外部温度变化或外部光照变化的相变特征；其中，铁磁被钉扎层具有固定的磁化方向；铁磁参考层位于相变层和隧穿层之间，具有响应于相变特征的变化的磁化方向；反铁磁钉扎层位于铁磁被钉扎层和底端电极之间，具有固定的磁化方向；铁磁自由层位于隧穿层和顶端电极之间，具有固定的磁化方向，可以在无磁环境下完成信息写入，降低了功耗和加工成本。
隧道结存单元存储器

[发明专利]用于垂直磁记录的具有弱反铁磁耦合的层叠磁薄膜-CN200610082797.X无效
发明人：埃里克·E·富勒顿;奥拉夫·赫尔维格;拜伦·H·伦格斯菲尔德第三;戴维·T·马古利斯 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2006-05-19 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：本发明使用上和下磁层的层叠磁层结构，该结构包括导致磁层的弱反铁磁耦合的AF间隔层，该弱反铁磁耦合不足以导致任一层翻转，因此两铁磁层的磁取向保持平行。本发明的优点在于AF耦合倾向于使两层中的噪声反相关。相信根据本发明的弱AF耦合在媒质中的转变边界处起作用从而导致一些噪声畴反平行取向，并且噪声与没有AF耦合的情况相比更少相关，从而实现改善的SNR。
用于垂直记录具有弱反铁磁耦合层叠薄膜

[发明专利]一种新型铁磁性铜铁复合颗粒及其制备方法-CN201911341802.8在审
发明人：刘奎立;冯亚敏;张研;许留洋;孙现科 -专利权人：周口师范学院
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： C01G3/02 文献下载
摘要：本发明提供一种新型铁磁性铜铁复合颗粒及其制备方法，得到的新型铁磁性铜铁复合颗粒，在Fe掺杂含量为3‑10mol%内，饱和磁化强度达到0.5‑2.0emu/g，矫顽力达到780‑820 Oe。该种新型铁磁性铜铁复合颗粒具有优良磁性的全氧化物Cu1‑xFexO体系的铁磁性颗粒，铁磁性颗粒可均匀镶嵌在反铁磁CuO中间，形成良好的铁磁/反铁磁耦合界面，在交换偏置体系中具有优良的交换偏置效应，是制备与铁磁/反铁磁系统交换偏置效应相关的电子器件的优良材料，可应用到一维、二维及三维电器件中。
一种新型铁磁性复合颗粒及其制备方法

[发明专利]磁性隧道结器件-CN202011431856.6在审
发明人：韩谷昌;哀立波;张恺烨;刘波 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性隧道结器件，包括：依次层叠设置的参考层、势垒层、自由层和盖层，参考层具有与参考层的平面大致垂直的固定磁化，自由层包括：第一铁磁层、第二铁磁层以及位于第一铁磁层和第二铁磁层之间的反铁磁耦合层，第一铁磁层与势垒层相邻设置，第一铁磁层具有垂直于薄膜表面并且可翻转的磁化，第二铁磁层具有与第一铁磁层磁化方向相反的磁化。且自由层的两个铁磁层与反铁磁耦合层之间或者在两个铁磁层层间设置间隔层，提高自由层的饱和磁化强度。本发明的磁性隧道结器件在具有高垂直各向异性能的同时，具有较低的翻转电流。
磁性隧道器件

[发明专利]一种阵列基板及其制备方法和液晶显示器-CN201210046656.8有效
发明人：张金中 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2012-02-24 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：、绝缘层、像素电极层和信号电极层，控制电极层、巨磁电阻层和绝缘层共同构成巨磁电阻有源矩阵；信号电极层与巨磁电阻层相连，像素电极层与巨磁电阻层相连；所述巨磁电阻层包括由靠近基板到远离基板的方向依次设置的反铁磁钉扎层、铁磁被钉扎层、非磁隔离层和软磁层，反铁磁钉扎层和铁磁被钉扎层之间是反铁磁耦合，铁磁被钉扎层和软磁层之间是铁磁性耦合。
一种阵列及其制备方法液晶显示器

[发明专利]一种磁性隧道结传感单元、制作方法及惠斯通电桥-CN202310088206.3在审
发明人：蒋盛;姚林荣 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁性隧道结传感单元、制作方法及惠斯通电桥，其中磁性隧道结传感单元包括：种子层、固定层和势垒层；第一合成反铁磁自由层，其第一表面设置在势垒层上；第二合成反铁磁自由层，其第一表面设置在势垒层上；第一覆盖层，其第一表面与第一合成反铁磁自由层的第二表面连接；第二覆盖层，其第一表面与第二合成反铁磁自由层的第二表面连接；其中，种子层、固定层、势垒层、第一合成反铁磁自由层和第一覆盖层构成MTJ1，种子层、固定层、势垒层、第二合成反铁磁自由层和第二覆盖层构成MTJ2。
一种磁性隧道传感单元制作方法斯通电桥

[发明专利]一种亚稳铌酸锰反铁磁材料及其制备方法-CN201610230454.7有效
发明人：余建定;郑效杰;李勤;谷彦静;王伟;汪超越;张明辉;段蛟 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2016-04-14 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种亚稳铌酸锰反铁磁材料及其制备方法，所述亚稳铌酸锰反铁磁材料为亚稳态且具有面心立方结构，所述亚稳铌酸锰反铁磁材料的化学式为Mn_xNb_yO_{本发明提供的新型亚稳铌酸锰反铁磁材料的分解温度为700～900℃，常温下可长期亚稳存在。生产工艺简单，在电子领域内具有潜在的应用前景。原料廉价易得，所需生产设备简单，易于实现工业化生产。}
反铁磁材料铌酸制备面心立方结构电子领域生产设备常温下潜在的亚稳态生产工艺分解应用

[发明专利]磁性记录媒体及其制作方法-CN200510034648.1无效
发明人：陈杰良 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2005-05-13 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁性记录媒体，其包括：一非磁性基底；一位于该非磁性基底上的反铁磁层；及一位于该反铁磁层上的磁记录层，其中，所述磁记录层包含大量基本直立在该反铁磁层上的碳纳米管，且该碳纳米管内部含有磁性粒子本发明通过碳纳米管的管壁使各个磁性粒子相互分离，其可具有高磁记录密度，超低媒体噪声；并且，反铁磁层的设置可使其具有高热稳定性。本发明还提供该磁性记录媒体的制作方法。
磁性记录媒体及其制作方法

[发明专利]用于磁体切换的具有手性反铁磁材料的磁存储器-CN201910155149.X在审
发明人： S·马尼帕特鲁尼;T·戈萨维;D·尼科诺夫;I·扬 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：提供了一种装置，包括：具有带有磁化(例如，相对于装置的x‑y平面的垂直磁化)的磁体的磁性结；以及与磁性结相邻的互连，其中，所述互连包括手性反铁磁(AFM)材料(例如，Mn₃X，其中'X'包括Ge、Sn、Ga、Ir、Rh或Pt中的一种；1类kagomi反铁磁材料、2类超kagomi反铁磁材料，或金属有机物)。
反铁磁材料磁化互连手性金属有机物磁存储器反铁磁平面的垂直

[发明专利]包括具有扩散阻挡层的软磁性底层的垂直磁性记录介质-CN200610149439.6无效
发明人：李在喆;尹成龙;吴薰翔;金雪基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-11-20 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： G11B5/667 文献下载
摘要：本发明提供了一种垂直磁性记录介质，其包括具有扩散阻挡层的软磁底层。该垂直磁性记录介质包括软磁记录底层和形成在所述软磁性底层上的记录层。所述软磁性底层包括：衬底、底层、扩散阻挡层、反铁磁层和软磁性层。反铁磁层形成在扩散阻挡层上，且软磁性层形成在反铁磁层上。
包括具有扩散阻挡磁性底层垂直记录介质

[发明专利]一种磁性传感器、制备方法以及电子设备-CN202210283041.0在审
发明人：吴保磊 -专利权人：新加坡爱发科技有限公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性传感器、制备方法以及电子设备，磁性传感器包括：衬底、功能薄膜层、及金属电极；金属电极包括第一电极及第二电极；功能薄膜层包括：在衬底上沿远离衬底方向依次形成的反铁磁层、铁磁层以及SOT效应层；其中：反铁磁层用于在第一电极与第二电极之间引入电流的情况下对铁磁层的磁化方向进行一次偏置；SOT效应层用于在第一电极与第二电极之间引入电流的情况下对铁磁层的磁化方向进行二次偏置；一次偏置以及二次偏置用于使铁磁层的磁化方向与电流方向之间初始夹角的值达到一预设夹角值本发明提供的磁性传感器通过设置反铁磁层对铁磁层的磁化方向进行一次偏置，解决了SOT效应层单独对铁磁层的磁化方向进行偏置所需的功耗高的问题。
一种磁性传感器制备方法以及电子设备

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