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[发明专利]一种SOT-MRAM及其制造方法-CN202111206785.4在审
发明人：毕冲;娄凯华;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：还包括至少环绕包裹每个磁性隧道结中自由层侧面的反铁磁绝缘层，且反铁磁绝缘层的磁矩方向与SOT层中写入电流的方向平行。通过在每个磁性隧道结的侧面添加设置至少环绕包裹每个磁性隧道结中自由层侧面的反铁磁绝缘层，且还使反铁磁绝缘层的磁矩方向与写入电流的方向平行，能够给自由层提供一个面内磁场，用于SOT‑MRAM的无外磁场翻转且所添加设置在反铁磁绝缘层由于环绕磁性隧道结设置，从而还具有保护磁性隧道结不被周围环境影响的作用。
一种 sot mram 及其制造方法

[发明专利]一种无源低功耗的微波检测方法及其装置和制备方法-CN201910992390.8有效
发明人：张敏昊;宋凤麒;曹路;张同庆 -专利权人：南京大学
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： G01N22/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种无源低功耗的微波检测方法及其装置和制备方法，制备反铁磁拓扑绝缘体层，在微波能量下，反铁磁拓扑绝缘体层中自旋发生进动产生自旋流，由于拓扑表面态自旋动量锁定的特征，自旋流会在表面上自发产生定向的电荷流由于多层的反铁磁拓扑绝缘体层可视为由反铁磁层和拓扑绝缘体层的双层结构的周期性堆垛而成，因此微波检测灵敏度成倍地增加。拓扑表面态表现出强鲁棒性和低耗散的电流传输特性，降低了微波检测的功耗。本发明既充分利用了拓扑表面态表现出强鲁棒性以及独一无二的电学传输特性，又利用了反铁磁层的微波共振，使得这种结构能实现无源的更低功耗的微波检测。
一种无源功耗微波检测方法及其装置制备

[发明专利]一种白云鄂博低品位混合铁矿石的选矿工艺-CN202110079445.3在审
发明人：郭财胜;赵德贵;陈宏超;白伟;曾永杰;邓建林;董索远;彭海平;张智超;刘海波;刘文丽;李发俊;赵建强 -专利权人：包头钢铁（集团）有限责任公司
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： B03B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种白云鄂博低品位混合铁矿石的选矿工艺，包括如下步骤：原料经过二段闭路球磨后进行分级，得到一次细颗粒；一次细颗粒进行一粗一精弱磁选别，得到弱磁精矿和弱磁尾矿；弱磁尾矿进行强磁选别，得到强磁精矿和强磁尾矿；弱磁精矿经过二次球磨分级后，得到二次细颗粒产品，细粒产品进行脱泥作业，得到脱泥精矿和脱泥尾矿；脱泥精矿进行淘洗选别，得到淘洗精矿和淘洗尾矿，淘洗尾矿、脱泥尾矿混合后排尾；强磁精矿进行球磨分级作业后，进行铁反浮选，得到反浮铁精矿和反浮铁尾矿，铁反浮尾矿、强磁尾矿混合后输送至下游进行稀土、萤石的综合回收；反浮铁精矿与淘洗精矿混合为最终精矿。
一种白云鄂博低品位混合铁矿石选矿工艺

[发明专利]基于交换偏置的多状态磁存储器和逻辑器件以及磁稳定的磁存储器-CN200580023848.5有效
发明人：伊戈尔·V·罗辛;奥列格·彼得克;拉斐尔·莫拉莱斯;李志攀;泽维尔·巴特勒;伊万·K·舒勒 -专利权人：加利福尼亚大学董事会
申请日： 2005-07-13 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：用于使用铁磁和反铁磁耦合和交换偏置的磁材料和方法，所述材料和方法用于二元和多状态磁存储器件。
基于交换偏置状态磁存储器逻辑器件以及稳定

[发明专利]一种太赫兹发射器件及其幅度调控方法-CN202211552695.5在审
发明人：张婕;聂天晓;赵巍胜;杨晴;熊丹荣 -专利权人：北京航空航天大学杭州创新研究院
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种太赫兹发射器件及其幅度调控方法，属于太赫兹调控技术领域，该太赫兹发射器件包括从下到上依次层叠设置的衬底、铁磁层、非铁磁层和反铁磁层，或包括从下到上依次层叠设置的衬底、反铁磁层、非铁磁层和铁磁层
一种赫兹发射器件及其幅度调控方法

[发明专利]具有大反常霍尔效应的反铁磁单晶合金及其制备方法和应用-CN202310927728.8在审
发明人：宋林轩;李航;郗学奎;刘永昌;王文洪 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C30B29/52 文献下载
摘要：本发明提供一种具有大反常霍尔效应的反铁磁单晶合金，其具有以下化学式：Mn2.4Ga。本发明还提供一种制备本发明的具有大反常霍尔效应的反铁磁单晶合金的方法，其包括如下步骤：(1)将Mn和Ga单质按原子比2.4:1熔炼成合金；(2)将步骤(1)所得的合金与助溶剂Pb混合，并使混合物经受熔炼，最后通过离心分离助溶剂Pb，制得具有大反常霍尔效应的反铁磁单晶合金。本发明还提供本发明的具有大反常霍尔效应的反铁磁单晶合金在霍尔元器件中的应用。本发明的制备方法简单、成本低廉。本发明的方法所制备的单晶在室温下表现为反铁磁性并且具有大反常霍尔效应。
具有反常霍尔效应反铁磁单晶合金及其制备方法应用

[发明专利]基于压控磁各项异性效应的自旋轨道转矩磁存储器-CN202211657289.5在审
发明人：周子唯;王伟;戚逸帆 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于压控磁各项异性效应的自旋轨道转矩磁存储器，该磁性存储器从上到下包括电极层、SOT‑MTJ(垂直自旋轨道矩磁隧道结)，所述SOT‑MTJ包括从上到下依次层叠的人工反铁磁耦合层、参考层、隧穿层、自由层以及反铁磁层。底层反铁磁层采用IrMn或PtMn材料，具有相当大的自旋霍尔角，有利于高效地产生自旋轨道力矩来翻转磁矩，同时IrMn和PtMn反铁磁材料能够提供交换耦合场来代替相干磁开关所需的外部场。
基于压控磁各项异性效应自旋轨道转矩磁存储器

[发明专利]具有反铁磁和半导体特性的二维硼化铁的制备方法-CN202211444287.8在审
发明人：胡亮;杨秉璋;张振乾;全清林 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C01B35/04 文献下载
摘要：本发明属于二维反铁磁磁性材料制备技术领域，涉及一种通过具有反铁磁、半导体特性的二维金属硼化物的制备方法，包括以下步骤：步骤一，过渡族金属硼化物块体准备、配制电解液；步骤二，过渡族金属硼化物的电化学剥离；本发明发现了一种通过具有反铁磁、半导体特性的二维金属硼化物的制备方法，可通过块体减薄所获得的薄层结构具备室温反铁磁的特性，同时解决了其金属向半导体转化的难题，形成的二维金属硼化物相变温度高，为未来在自旋电子学领域的发展提供了更多的种类
具有反铁磁半导体特性二维硼化铁制备方法

[发明专利]一种含有合成反铁磁结构的双磁性隧道结及其制备方法-CN200410009939.0无效
发明人：姜勇;于广华;王燕斌;腾蛟 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2004-12-02 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种含有合成反铁磁结构的双磁性隧道结及其制备方法。双磁性隧道结由底电极层、反铁磁层、钴铁合金、绝缘层、金属钌层、顶电极层组成，其钉扎层为一个合成反铁磁三层结构。合成反铁磁结构作为钉扎层也有效的改善了钉扎效果，提高了器件的输出灵敏度。
一种含有合成反铁磁结构磁性隧道及其制备方法

[发明专利]一种巨磁电阻线性传感器实现方法-CN202111560518.7在审
发明人：唐晓莉;马成鑫;姜杰 -专利权人：电子科技大学;上海麦歌恩微电子股份有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：首先，在压电基片的上下表面制备导电层，作为对压电基片施加电压的上电极和下电极；然后，在诱导磁场下、采用薄膜沉积工艺在上电极表面依次沉积第一隔离层、反铁磁层、第二铁磁层、第二隔离层、第一铁磁层和保护层；最后，在压电基片的上下电极施加电压，使反铁磁层的磁矩转动，并带动第二铁磁层的磁矩共同转动，则第一铁磁层和第二铁磁层的磁矩呈现夹角，完成巨磁电阻线性传感器的制备。
一种磁电线性传感器实现方法

[发明专利]一种垂直各向异性人工反铁磁耦合多层膜材料-CN201410133550.0有效
发明人：张勖;蔡建旺 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2014-04-03 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01F10/32 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种具有垂直各向异性的人工反铁磁耦合多层膜材料。本发明所述的由“CoFeB/MgO”体系组成的垂直各向异性人工反铁磁结构的多层膜材料，是通过将Mo或其他可以促进“CoFeB/MgO”体系垂直各向异性的金属作为核心非磁性层插入“MgO/CoFeB/MgO”结构的CoFeB层中，得到诸如MgO/CoFeB/Mo/CoFeB/MgO的结构，使得位于非磁性层两边的CoFeB形成具有垂直各向异性的反铁磁交换耦合；而且“MgO/CoFeB/Mo/CoFeB/MgO”体系具有良好的热稳定性，经过400℃两小时退火后仍然可以维持较强的垂直反铁磁耦合，从而应用价值得以提升，使该多层膜可作为巨磁电阻核心结构，或自旋阀或自旋双势垒垂直磁隧道结的参考层应用到器件中。
一种垂直各向异性人工反铁磁耦合多层材料

[实用新型]一种自旋阀器件-CN201320247276.0有效
发明人：陈羽;林少波;皮珊 -专利权人：陈羽
申请日： 2013-04-27 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：开发柔性的自旋阀器件对于高灵敏度的柔性磁传感器来说具有重要的意义。本实用新型提供一种自旋阀器件，包括刚性衬底、亲水层、疏水层、反铁磁层、下铁磁层、非磁性金属层、上铁磁层，其中，刚性衬底上依次沉积亲水层、疏水层、反铁磁层、下铁磁层、非磁性金属层和上铁磁层，构成多层的层状结构本实用新型在自旋阀的结构下面增加了亲水层和疏水层，需要传感器变成柔性的时候，只需将传感器放入水里，亲水层和疏水层即可分离，得到柔性的自旋阀器件，在高灵敏度的柔性磁传感器领域具有很好的应用前景。
一种自旋器件

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202110102212.0在审
发明人：陈纬;王慧琳 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件主要包含一合成反铁磁层设于基底上、一阻障层设于合成反铁磁层上以及一自由层设于阻障层上，其中合成反铁磁层又包含第一固定层、第一间隔层设于第一固定层上、
半导体元件及其制作方法

[发明专利]一种基于反铁磁非磁金属异质结的太赫兹探测器-CN201910271495.4有效
发明人：吴敬;黄志明;李敬波;江林;周炜;姚娘娟;黄敬国;褚君浩 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于反铁磁非磁金属异质结的太赫兹探测器,属于光电探测技术领域，该方法利用反铁磁材料在太赫兹波段的反铁磁耦合共振吸收特性，将太赫兹辐射能量转化为自旋波，利用具有强自旋‑轨道耦合的非磁金属中逆自旋霍尔效应将自旋波在界面处转化为电荷流，在非磁金属表面两侧电极读出电压信号，从而实现对太赫兹辐射探测。
一种基于反铁磁非磁金属异质结赫兹探测器

[发明专利]具有带多重下层的反铁磁耦合磁性层的磁记录盘-CN200510006442.8无效
发明人：霍亚·V·多;埃里克·E·富勒顿;戴维·马古利斯;安德烈亚斯·莫泽 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2005-02-01 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：一种磁记录层，具有反铁磁耦合(AFC)结构，其具有三层下铁磁层(LL1、LL2、LL3)和上铁磁层(UL)，所有的四层铁磁层跨过相应的反铁磁耦合层反铁磁耦合在一起。
具有多重下层反铁磁耦合磁性记录