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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202110238873.6有效
发明人：冯雅圣;林宏展;王裕平;陈禹钧;邱久容 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-07-09 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件主要包含第一金属间介电层设于基底上、磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)设于该第一金属间介电层上、金属内连线设于MTJ下方并位于第一金属间介电层内以及间隙壁设于MTJ周围。其中第一金属间介电层上表面包含曲面，金属内连线包含第一倾斜侧壁以及第二倾斜侧壁且间隙壁是设于第一倾斜侧壁以及该第二倾斜侧壁上。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202310488305.0在审
发明人： 陈禹钧;冯雅圣;邱久容;林宏展 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件主要包含一磁性隧穿接面(magnetic tunneling junction,MTJ)设于一基底上，一第一间隙壁设于MTJ一侧以及一第二间隙壁设于MTJ另一侧，其中第一间隙壁及第二间隙壁为不对称结构。更具体而言，MTJ又细部包含一第一下电极设于一金属内连线上、一阻障层设于下电极上以及一上电极设于阻障层上，其中第一间隙壁上表面切齐该上电极上表面，且第二间隙壁上表面低于该上电极上表面并高于该阻障层上表面。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]磁阻元件及其制作方法-CN201811137949.0有效
发明人：邱久容;陈禹钧;冯雅圣;林宏展 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明公开一种磁阻元件及其制作方法，其于形成底电极材料层、磁隧穿接面材料层和顶电极材料层后，先将顶电极材料层图案化成顶电极，然后于顶电极侧壁形成第一间隙壁，再以顶电极和第一间隙壁为掩模蚀刻磁隧穿接面材料层和底电极材料层，形成磁隧穿接面和底电极。后续，再形成第二间隙壁覆盖住第一间隙壁、磁隧穿接面和底电极的侧壁。
磁阻元件及其制作方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201811166521.9有效
发明人： 陈禹钧;冯雅圣;邱久容;林宏展 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件主要包含一磁性隧穿接面(magnetic tunneling junction,MTJ)设于一基底上，一第一间隙壁设于MTJ一侧以及一第二间隙壁设于MTJ另一侧，其中第一间隙壁及第二间隙壁为不对称结构。更具体而言，MTJ又细部包含一第一下电极设于一金属内连线上、一阻障层设于下电极上以及一上电极设于阻障层上，其中第一间隙壁上表面切齐该上电极上表面，且第二间隙壁上表面低于该上电极上表面并高于该阻障层上表面。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]磁阻式存储单元及其制造方法-CN201811024412.3有效
发明人：冯雅圣;陈禹钧;邱久容;林宏展 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明公开一种磁阻式存储单元及其制造方法，该磁阻存储单元包括基板。内层介电层设置在所述基板上。导通塞结构设置在所述内层介电层中。磁性固定层设置在所述导通塞结构上。隧穿阻障层设置在所述磁性固定层上，以覆盖所述磁性固定层的顶部与侧壁，其中所述隧穿阻障层包含由所述侧壁的底部向外的水平延伸部分。磁性自由层有状结构，设置在所述隧穿阻障层上，其中所述磁性自由层通过所述隧穿阻障层与所述磁性固定层隔离。间隙壁设置在所述磁性固定层的侧壁，所述间隙壁延伸到所述内层介电层。
磁阻存储单元及其制造方法

[发明专利]集成电路以及其制作方法-CN202210676308.2在审
发明人：邱久容;林宏展;陈禹钧 -专利权人：蓝枪半导体有限责任公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L29/92 文献下载
摘要：本发明公开一种集成电路以及其制作方法。该集成电路包括第一绝缘层、底板、第一图案化介电层、中板、第二图案化介电层与上板。第一图案化介电层设置于底板上。中板设置于第一图案化介电层上。部分的底板、至少部分的第一图案化介电层与至少部分的中板设置于贯穿第一绝缘层的第一沟槽中。底板、第一图案化介电层与中板构成第一金属‑绝缘层‑金属电容器。第二图案化介电层设置于中板上。上板设置于第二图案化介电层上。中板、第二图案化介电层与上板构成第二金属‑绝缘层‑金属电容器，且底板与上板电连接。
集成电路及其制作方法

[发明专利]垂直腔面发射激光器及其形成方法-CN202111664211.1在审
发明人： 陈禹钧;黄裕轩;张家达 -专利权人：稳懋半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本申请提供一种垂直腔面发射激光器及其形成方法，所述垂直腔面发射激光器包括：基板、第一镜、主动层、氧化层、孔隙、第二镜、高对比度光栅、钝化层。第一镜，位于基板之上。主动层，位于第一镜之上。氧化层，位于主动层之上。孔隙，位于主动层之上，孔隙被氧化层包围。第二镜，位于孔隙及氧化层之上。高对比度光栅，位于第二镜之上，高对比度光栅包括第一光栅零件及第二光栅零件，且第一光栅零件及第二光栅零件彼此之间相隔空气间隙；以及钝化层，位于高对比度光栅之上，位于第一光栅零件的顶表面上的钝化层的第一厚度大于第一光栅零件的第一侧壁上的钝化层的第二厚度。
垂直发射激光器及其形成方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201810743150.X有效
发明人：冯雅圣;林宏展;王裕平;陈禹钧;邱久容 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-07-09 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该制作半导体元件的方法为，首先形成一第一金属间介电层于一基底上，然后形成一磁性隧穿接面(magnetic tunneling junction,MTJ)于第一金属间介电层上，接着形成一衬垫层于该MTJ以及第一金属间介电层上，去除部分衬垫层以形成一间隙壁于该MTJ旁，之后再形成一第二金属间介电层于第一金属间介电层上。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202010717276.7在审
发明人： 陈禹钧;刘彦群;冯雅圣;邱久容;曾奕铭;施易安;李怡慧;朱中良;胡修豪 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件主要包含磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory,MRAM)区以及逻辑区定义于基底上，第一金属内连线设于MRAM区，第二金属内连线设于逻辑区，停止层由第一金属内连线延伸至第二金属内连线且第一金属内连线上的停止层以及第二金属内连线上的停止层包含不同厚度以及一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)设于第一金属内连线上。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202010645970.2在审
发明人：邱久容;冯雅圣;曾奕铭;施易安;陈禹钧;李怡慧;朱中良;胡修豪 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-07-07 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先形成一金属间介电层于基底上，然后形成一凹槽于金属间介电层内，形成一合成反铁磁层于该凹槽内，形成一金属层于合成反铁磁层上，平坦化金属层以及合成反铁磁层以形成一金属内连线，再形成一磁性隧道结(magnetic tunneling junction,MTJ)于金属内连线上。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]磁阻式随机存取存储器-CN202010548682.5在审
发明人：李怡慧;曾奕铭;邱久容;朱中良;陈禹钧;冯雅圣;施易安;胡修豪;王裕平 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供一种磁阻式随机存取存储器。该磁阻式随机存取存储器包含多个存储器单元、运作单元、电压产生器，及输入/输出电路。运作单元包含多个存储器单元中的多组存储器单元。电压产生器用来分压一电压控制信号以提供多笔控制信号，并选择性地输出多笔控制信号至输入/输出电路。输入/输出电路再依据多笔控制信号分别输出多笔切换脉冲信号至运作单元中的多组存储器单元，其中多笔切换脉冲信号的脉冲宽度或电平彼此相异。
磁阻随机存取存储器

[发明专利]半导体结构-CN201910982171.1在审
发明人： 陈禹钧;冯雅圣;邱久容 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构，其包括一电极元件，具有一上表面，该上表面包含至少一凸曲部。
半导体结构

[发明专利]嵌入磁阻式随机存取存储器的电路选择器-CN201910881023.0在审
发明人：冯雅圣;陈禹钧;邱久容 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开一种嵌入磁阻式随机存取存储器的电路选择器，其主要包含晶体管且该晶体管包含源极/漏极端耦接于第一磁性穿隧接面(magnetic tunneling junction,MTJ)以及第二MTJ，栅极端以及漏极/源极端耦接于电压源。第一MTJ包含第一自由层、第一阻障层以及第一固定层，其中第一自由层耦接于源极/漏极端且第一固定层耦接于第一电路。第二MTJ则包含第二自由层、第二阻障层以及第二固定层，其中第二固定层耦接于源极/漏极端且第二自由层耦接于第二电路。
嵌入磁阻随机存取存储器电路选择器

[发明专利]集成电路以及其制作方法-CN201710628490.3在审
发明人：邱久容;林宏展;陈禹钧 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种集成电路以及其制作方法。该集成电路包括第一绝缘层、底板、第一图案化介电层、中板、第二图案化介电层与上板。第一图案化介电层设置于底板上。中板设置于第一图案化介电层上。部分的底板、至少部分的第一图案化介电层与至少部分的中板设置于贯穿第一绝缘层的第一沟槽中。底板、第一图案化介电层与中板构成第一金属‑绝缘层‑金属电容器。第二图案化介电层设置于中板上。上板设置于第二图案化介电层上。中板、第二图案化介电层与上板构成第二金属‑绝缘层‑金属电容器，且底板与上板电连接。
图案化介电层底板绝缘层上板集成电路金属电容器板设置金属电连接制作贯穿

[发明专利]薄膜晶体管元件与薄膜晶体管显示装置-CN201310050950.0有效
发明人：张鼎张;陈禹钧;谢天宇;周政旭;张荣芳 -专利权人：群创光电股份有限公司
申请日： 2013-02-07 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管元件与薄膜晶体管显示装置，该薄膜晶体管元件包含一栅极、一源极、一漏极、一绝缘层以及一主动区。绝缘层使栅极与源极及漏极电性隔离。主动区与源极及漏极接触而分别具有一接触区，并产生一通道，通道具有一通道宽度与一通道长度。主动区包含一半导体材料，并具有多个主动区边缘。在平行通道宽度的方向上，该些接触区的至少一接触区边缘与和该接触区边缘最邻近的主动区边缘的间距是大于2.5微米且小于等于16微米。通过本发明，能减少元件在照光与负偏压操作下的阈值电压的飘移量，因而改善在照光与负偏压操作下不稳定的缺点，进而提升薄膜晶体管显示装置的显示效能。
薄膜晶体管元件显示装置

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