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[发明专利]一种在人工反铁磁结构上利用低电压调控RKKY的方法-CN201911072262.8在审
发明人：张晓慧;周子尧;胡忠强;张瑶 -专利权人：西安科汇电子科技有限公司
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种在人工反铁磁结构上利用低电压调控RKKY的方法，包括：在柔性衬底上依次生长Ta层和人工反铁磁结构，改变非磁性层的厚度，非磁性层厚度的变化使得材料在铁磁层与反铁磁层之间转化，观测其厚度依赖特性；对在柔性衬底上生长的Ta层、人工反铁磁结构上做应力测试，对不同曲率下的材料测试磁滞回线并观察其回复性；用离子液体对Si衬底上的材料加电压(≤4V)调控，对柔性衬底上的材料在不同曲率下加电压调控，并观测磁滞回线的变化该方案成功实现了人工反铁磁体在电压调控下铁磁、反铁磁状态的改变以及单、双、三电滞回线的转换，同时保持了良好的回复性。
一种人工反铁磁结构利用电压调控 rkky 方法

[发明专利]一种基于反铁磁自旋转向现象的传感器-CN201310136977.1有效
发明人：邹吕宽;蔡建旺 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2013-04-19 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明提供的一种基于反铁磁自旋转向(spin flop)现象的传感器，由人工反铁磁多层膜组成，其中，所述人工反铁磁多层膜采用磁控溅射制备而成，其结构由下至上包括：基片、缓冲层、第一铁磁层、非磁金属层、第二铁磁层和盖帽层
一种基于反铁磁自旋转向现象传感器

[发明专利]磁阻传感器及其制造方法-CN93108493.8无效
发明人：佩特·Ｍ·鲍姆加特;伯纳德·迪恩;布鲁斯·Ａ·格尼;弗吉尔·Ｓ·斯珀尤萨;丹尼斯·Ｒ·威尔霍伊特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 1993-07-28 - 公布日： 1999-06-30 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：该读出元件含有由一非磁性金属层隔开的两个铁磁层。在两铁磁层之一上形成一个反铁磁材料层以对该铁磁层提供一个交互偏置磁场，使其磁化方向固定。在该铁磁层与该反铁磁层之间淀积一个软磁性夹层，将铁磁层与反铁磁层隔开，以增强交互耦合。铁磁材料是铁或铁合金。
磁阻传感器及其制造方法

[发明专利]一种线性响应巨磁电阻效应多层膜-CN200910091793.1有效
发明人：刘涛;蔡建旺 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2009-08-25 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01F10/32 文献下载
摘要：该多层膜的特点在于其自由层为复合自由层，它在具有垂直耦合的多层膜“反铁磁偏置层/铁磁层/反铁磁间隔层/铁磁自由层”或者其反结构中“反铁磁间隔层”的上下两界面的任一处或两处插入一定厚度范围的非磁的“调控间隔层“调控间隔层”的插入可以很好地起到优化“铁磁自由层”线性度、大大降低其矫顽力的作用；此外，本发明通过改变“调控间隔层”的厚度可以调控“铁磁自由层”和“铁磁层”的垂直耦合强度从而调控“铁磁自由层”在垂直“铁磁层”钉扎方向的各向异性场的大小，亦即巨磁电阻传感器的磁场线性响应范围。
一种线性响应磁电效应多层

[发明专利]无需外场辅助的垂直磁化反铁磁磁存储器及其存储方法-CN202210930415.3在审
发明人：祝智峰;徐正德;任杰;袁正平 -专利权人：上海科技大学
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种无需外场辅助的垂直磁化反铁磁磁存储器及其存储方法，包括从上至下的反铁磁层、绝缘层和重金属层，反铁磁层和重金属层的两组写入电流在空间上相互垂直的，控制反铁磁层和重金属层的两组写入电流大小和方向，可控制反铁磁层中的Néel矢量向上或向下的状态，所述Néel矢量状态代表存储的不同信息。利用直流电流调控一种反铁磁装置的Néel矢量，实现数据写入，提高存储单元阵列排列密度，节约能耗。该垂直磁化反铁磁磁随机存储器存储单元，具有更高的磁矩翻转速度，并具有更好的存储稳定性，同时具有结构简单、速度快、抗杂散场扰动、非易失性的优点，本存储单元尤其在读写速度上更快。
无需外场辅助垂直磁化反铁磁磁存储器及其存储方法

[发明专利]磁性隧道结的热预算增强-CN201580085159.0有效
发明人： T.拉曼;C.J.魏甘德;D.B.伯格斯特龙 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-12-07 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本公开内容的实施例针对一种包括扩散势垒的磁穿隧结（MTJ）。该扩散势垒可以被设置在MTJ的两个铁磁层之间。更具体地，该扩散势垒可以被设置在邻近自然反铁磁层的第一铁磁层和第二铁磁层之间；该第一和第二铁磁层和扩散势垒是合成反铁磁体的一部分。该扩散势垒可以由诸如钽的难熔金属制成。该扩散势垒充当针对从天然反铁磁层至合成反铁磁体和MTJ的其他更高层的锰扩散的势垒。
磁性隧道预算增强

[发明专利]存储器用反铁磁稳定伪自旋电子管-CN03802470.5有效
发明人：罗姆尼·R·凯蒂;乔尔·A·德鲁斯;托莫斯·J·沃格特 -专利权人：微米技术有限公司
申请日： 2003-02-04 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明涉及提高磁随机存取存储器(MRAM)中的磁存储器单元的稳定性。本发明的实施例将反铁磁层增加到磁存储器单元。反铁磁层可以与MRAM中的软层相邻在软层的与MRAM的硬层相对的侧面上形成。一个实施例还包括在反铁磁层和软层之间的另外的非反铁磁材料的间层。
存储器用反铁磁稳定自旋电子管

[发明专利]一种铁磁/锰系反铁磁多层膜钉扎材料及其制备方法-CN02157977.6无效
发明人：代波;蔡建旺;赖武彦 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2002-12-20 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： H01F10/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种铁磁/锰系反铁磁多层膜钉扎材料及其制备方法，该钉扎材料包括一基片和在基片上设置的一缓冲层、一第二铁磁层及设在其上的一保护层，其中还包括一设于缓冲层上的引导层、一设于引导层上的反铁磁层、一设于反铁磁层上的第一铁磁层、及一纳米氧化层，设于第一铁磁层和第二铁磁层之间；其制备方法是在基片上依次沉积各层并退火得到该钉扎材料；由本发明方法制备的钉扎材料的反铁磁层厚度明显减薄，钉扎场更大，矫顽力更小，磁滞回线矩形度更好，在铁磁层中几乎没有
一种锰系反铁磁多层膜钉扎材料及其制备方法

[发明专利]一种磁性多层膜中实现垂直各向异性的方法-CN02111172.3无效
发明人：周仕明;袁淑娟;王磊 -专利权人：复旦大学
申请日： 2002-03-27 - 公布日： 2002-12-18 - 主分类号： H01F1/08 文献下载
摘要：本发明是一种用铁磁/反铁磁多层膜中垂直交换偏置产生垂直各向异性的新方法。首先用真空镀膜设备在衬底上制备缓冲层,然后在缓冲层上制备铁磁/反铁磁多层膜,最后在多层膜上覆盖一层保护层。完成制备后,在外磁场中将多层膜样品从高于反铁磁层的奈尔温度冷却到低温,其中外磁场的方向平行于膜面的法线方向,而且足够大使得铁磁层能够在垂直方向饱和磁化。用铁磁/反铁磁多层膜中的垂直交换偏置产生垂直各向异性,这对高密度垂直磁记录及磁光存储等信息技术领域具有重大的应用价值。
一种磁性多层实现垂直各向异性方法

[发明专利]具有多个铁磁耦合下层的反铁磁耦合层的磁记录盘-CN200810171074.6无效
发明人：霍亚·V·多;埃里克·E·富勒顿;戴维·马古利斯;安德烈亚斯·莫泽 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2004-12-07 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：一种磁记录盘，其具有一反铁磁耦合(AFC)结构，该结构有一上铁磁层(UL)，和一由两个铁磁耦合下层(LL1、LL2)形成的下铁磁层结构。UL与下层结构跨过一反铁磁耦合层而反铁磁耦合。LL1和LL2跨过一铁磁耦合层而铁磁耦合，因此LL1和LL2的磁化在每个剩磁状态保持平行，但与UL的磁化在每个剩磁状态反向平行。UL的Mrt大于LL1和LL2的Mrt值之和。
具有多个铁磁耦合下层反铁磁记录

[发明专利]具有多个铁磁耦合下层的反铁磁耦合层的磁记录盘-CN200410100047.1无效
发明人：霍亚·V·多;埃里克·E·富勒顿;戴维·马古利斯;安德烈亚斯·莫泽 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2004-12-07 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：一种磁记录盘，其具有一反铁磁耦合(AFC)结构，该结构有一上铁磁层(UL)，和一由两个铁磁耦合下层(LL1、LL2)形成的下铁磁层结构。UL与下层结构跨过一反铁磁耦合层而反铁磁耦合。LL1和LL2跨过一铁磁耦合层而铁磁耦合，因此LL1和LL2的磁化在每个剩磁状态保持平行，但与UL的磁化在每个剩磁状态反向平行。UL的Mrt大于LL1和LL2的Mrt值之和。
具有多个铁磁耦合下层反铁磁记录

[发明专利]一种同轴磁纳米电缆的制备方法-CN202011428185.8有效
发明人：徐靖才;王新庆;洪波;彭晓领;金红晓;金顶峰;葛洪良 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种反铁磁氧化物/铁磁金属/碳化物/碳纳米管复合材料的制备方法。该方法利用碳纳米管石墨层的同轴性与碳元素的还原性合成一种基于交换偏置效应多层同轴磁纳米电缆（反铁磁氧化物/铁磁金属/碳化物/碳纳米管，CoO/Co/Co2C/CNTs），构造壳/核/核/碳基四元磁纳米同轴结构，并引入碳化物功能因子，依靠反铁磁层与铁磁层间的交换偏置效应来提高材料的有效各向异性场，从而提高复合材料的矫顽力。本发明的方法无需通氢气还原，直接利用CNTs碳元素还原得到铁磁层，并包含了弱铁磁层碳化物功能因子，且反铁磁层、铁磁层和碳化物层的微结构可控，进而可以调控同轴磁纳米电缆的交换偏置效应性能。
一种同轴纳米电缆制备方法

[发明专利]一种磁性隧道结垂直反铁磁层及随机存储器-CN202010044560.2在审
发明人：张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及磁性随机存储器技术领域，具体涉及一种磁性隧道结垂直反铁磁层及随机存储器，本发明的垂直反铁磁层设置于磁性随机存储器存储单元，在具有垂直反铁磁层的磁性隧道结结构中，由下至上依次设置垂直各向异性场增强层和垂直反铁磁层双层结构并堆叠在自由层的上方，所述垂直反铁磁层通过垂直各向异性增强乘实现和自由层的磁性耦合，增强自由层的热稳定性，本发明垂直反铁磁层(pAFM)通过垂直各向异性增强层(HK EL)实现和自由层(FL)的磁性耦合，从而增强了自由层(FL)的热稳定性，同时，由于垂直反铁磁层(pAFM)的引入，有利于漏磁场的调控，有利于磁性随机存储器(MRAM)器件，读/写，存储性能的提升，有利器件的缩微化。
一种磁性隧道垂直反铁磁层随机存储器

[发明专利]磁性隧道结结构及其磁性随机存储器-CN201910960367.0有效
发明人：张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本申请提供一种磁性隧道结结构及其磁性随机存储器，所述磁性隧道结结构中的反铁磁层设置铁磁超晶格层、反铁磁耦合层及磁矩稀释层的三层结构，所述反铁磁耦合层实现铁磁超晶格层和磁矩稀释层的反铁磁耦合，调节所述铁磁超晶格层
磁性隧道结构及其随机存储器

[发明专利]以反铁磁耦合的铁磁膜作为记录层的磁性记录介质-CN00129096.7无效
发明人：马修·J·凯里;埃里克·E·富勒顿;布鲁斯·A·格尼;哈尔·J·罗森;曼弗雷德·E·沙贝斯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2000-09-29 - 公布日： 2001-04-18 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：用于数据存储的磁性记录介质利用一种至少有两层通过一个非铁磁隔离膜反铁磁耦合到一起的铁磁膜的磁性记录层。两层反铁磁耦合膜的磁矩反平行取向。在磁性记录硬盘的应用中,磁性记录介质包括两个铁磁膜,每个膜是溅射沉积的CoPtCrB合金粒状膜,由一定厚度的Ru隔离膜隔开以增大两个CoPtCrB膜之间的反铁磁交换耦合。其中一个铁磁膜比另一个厚,厚度的选择使得在施加零磁场处的净磁矩很小但不为零。
反铁磁耦合铁磁膜作为记录磁性介质