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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[外观设计]包装瓶（百鸟朝凤）-CN202130374898.X有效
发明人： 王丁勇 -专利权人：深圳市化讯应用材料有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： 09-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：包装瓶（百鸟朝凤）。2.本外观设计产品的用途：用于产品的包装。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状、图案与色彩的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.请求保护的外观设计包含色彩。
包装百鸟朝凤

[外观设计]包装盒（百鸟朝凤）-CN202130374888.6有效
发明人： 王丁勇 -专利权人：深圳市化讯应用材料有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： 09-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：包装盒（百鸟朝凤）。2.本外观设计产品的用途：用于产品外包装。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状、图案与色彩的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.请求保护的外观设计包含色彩。
包装百鸟朝凤

[发明专利]生物分子磁传感器-CN201611227713.7有效
发明人：李欣翰;陈佑昇;王丁勇;辛毓真 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： G01N27/74 文献下载
摘要：本发明涉及一种生物分子磁传感器，用以检测待测生物分子附着于上的纳米磁珠，包括吸附片、磁感线产生器以及至少一磁检测元件。吸附片使这些纳米磁珠附着于上。磁感线产生器用以产生多条第一磁感线，这些第一磁感线的至少其中之一沿第一方向通过这些纳米磁珠，使纳米磁珠感应于部分这些第一磁感线而产生多条第二磁感线，其中磁感线产生器在第一方向上位于吸附片与至少一磁检测元件之间。磁检测元件用以检测这些第二磁感线的至少其中之一在第二方向上的磁场分量，其中第一方向不同于第二方向，以及磁检测元件与吸附片在第二方向上具有第二偏移量。
生物分子传感器

[发明专利]可变电阻装置、物理性不可复制功能电路与控制方法-CN201710367962.4有效
发明人：邓端理;陈佑昇;王丁勇 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种可变电阻装置、物理性不可复制功能电路与控制方法。物理性不可复制功能电路的控制方法可应用于物理性不可复制功能电路与磁阻式可变电阻装置。方法包括将多个磁阻式可变电阻电路的磁穿隧接面元件初始化至一电阻状态后，施加一第一能量至磁穿隧接面元件，以及判断具有一预定电阻状态的上述磁穿隧接面元件的一汉明权重是否在一预定数值范围内。
可变电阻装置物理不可复制功能电路控制方法

[发明专利]用于磁场感测的穿隧磁阻装置-CN201510198664.8有效
发明人：郭耿铭;王丁勇 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2015-04-24 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明是一种用以感测磁场的穿隧磁阻(TMR)装置，包括：第一TMR感测器，由具有固定层及自由层的第一及第二磁性穿隧接面(MTJ)元件并联而成。该第一及该第二MTJ元件的所述固定层具有处于第一固定方向上的固定磁矩；该第一及该第二MTJ元件的所述自由层具有分别平行和反平行于第一易轴的第一自由磁矩和第二自由磁矩。
用于磁场磁阻装置

[发明专利]三轴磁场传感器、制作磁场感测结构的方法与感测电路-CN201310208477.4有效
发明人：陈永祥;郭耿铭;王丁勇;简政尉 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2013-05-30 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：一种三轴磁场传感器、制作磁场感测结构的方法与感测电路。该三轴磁场传感器，包括具有第一易轴且感测X轴磁场的第一穿隧式磁电阻器；具有第二易轴且感测Y轴磁场的第二穿隧式磁电阻器；感测Z轴磁场的出平面磁场传感器；及参考单元。第一易轴与第二易轴为垂直，并分别与一平分方向的夹角为45±5度。出平面磁场传感器包括具有第一斜面与第二斜面的凹槽或凸块结构；第三穿隧磁式电阻器位在第一斜面且具有第三易轴；第四穿隧式磁电阻器位在第二斜面上且具有第四易轴；一中轴与平分方向垂直且与第三易轴和第四易轴平行。参考单元具有第五穿隧磁式电阻器及与平分方向平行的第五易轴。
磁场传感器制作结构方法电路

[发明专利]磁性随机存取存储器-CN200710149763.2有效
发明人： 王丁勇;李元仁;洪建中 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2007-09-05 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁性随机存取存储器，包括多个存储单元，构成一阵列。每一个存储单元有磁性自由叠层与固定叠层。固定叠层的磁化向量皆朝预定方向设置。磁性自由叠层有磁性易轴。相邻的二个该存储单元的二个该磁性易轴实质上相互垂直。
磁性随机存取存储器

[发明专利]磁性存储单元结构与磁性存储装置-CN200710149762.8无效
发明人：李元仁;王丁勇;洪建中 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2007-09-05 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁性存储单元结构与磁性存储装置。该磁性存储单元结构包括第一反铁磁层。第一固定层，形成于第一反铁磁层之上。穿隧能障绝缘层，形成于第一固定层之上。自由层，形成于穿隧能障绝缘层之上。金属层，形成于自由层之上。第二固定层，形成于金属层之上。第二反铁磁层，形成于第二固定层之上。
磁性存储单元结构装置

[发明专利]磁性随机存取存储器以及操作方法-CN200710142444.9无效
发明人：洪建中;高明哲;王丁勇;李元仁 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2007-08-27 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： G11C16/16 文献下载
摘要：一种磁性随机存取存储器，包括至少一条第一方向写入电流线以及多条第二方向写入电流线，其实质上与第一方向写入电流线垂直交叉，形成有多个交叉区域。多个磁性存储单元，分别位于这些交叉区域，依照时序接收一感应磁场。相邻每至少二个磁性存储单元是串联或并联连接，以构成至少一存储单元。每一个磁性存储单元的一自由层的一易轴与一固定层的一磁化向量实质上垂直，且易轴与第一方向写入电流线有约45度的一夹角。一读取位线电路连接到存储单元的一第一端点。一读取字线电路连接到存储单元的一第二端点。
磁性随机存取存储器以及操作方法

[发明专利]磁存储器及其制造方法-CN200710096564.X有效
发明人：李元仁;王丁勇;洪建中 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2007-04-16 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明提供一种磁存储器，包括堆叠、第一写入导线以及第二写入导线。堆叠包括磁被钉扎层、隧穿势垒以及磁自由层以形成磁隧道结。其中，磁隧道结具有一长轴。第一写入导线配置于堆叠下方，且于一投影面上，第一写入导线与磁隧道结的长轴方向二者夹角小于45度且大于0度。第二写入导线配置于堆叠上方，且于该投影面上，第二写入导线与磁隧道结的长轴方向二者夹角小于45度且大于0度。
磁存储器及其制造方法

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