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[发明专利]晶片级处用于将激光二极管集成到记录头中的激光散热-CN202310296809.2在审
发明人： F·埃尔哈拉克;B·J·豪沃尔斯;M·G·波伊尔;F·A·麦金尼蒂;M·L·麦加里 -专利权人： 希捷科技有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G11B33/14 文献下载
摘要：本申请公开了晶片级处用于将激光二极管集成到记录头中的激光散热。描述一种方法，所述方法包括以下步骤：在第一衬底上形成包括波导的记录头、散热器和泄放电阻器。所述泄放电阻器耦合到所述散热器和所述衬底。所述散热器的顶表面被平面化以形成平面化散热器。在第二衬底上形成的激光二极管被转印到所述平面化散热器上以形成集成激光二极管。
晶片用于激光二极管集成记录中的激光散热

[发明专利]具有散热器和扩散屏障的热辅助磁记录头-CN202310302980.X在审
发明人： M·G·布拉伯;M·A·西格勒;J·G·韦塞尔;程宇航;S·M·弗兰岑 -专利权人： 希捷科技有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G11B5/48 文献下载
摘要：本申请公开了具有散热器和扩散屏障的热辅助磁记录头。一种热辅助磁记录头包含近场换能器、散热器、扩散器和扩散屏障。所述近场换能器被配置成在接近的磁盘上产生热点。所述散热器被配置成从所述近场换能器吸走热。所述散热器相对于所述近场换能器设置在顺磁道方向上并且耦合到所述近场换能器。所述扩散器被配置成从所述散热器吸走热。所述扩散器相对于所述散热器设置在顺磁道方向上。所述扩散屏障包含金属。所述扩散屏障设置在所述散热器与所述扩散器之间并且耦合到所述散热器和所述扩散器。
具有散热器扩散屏障辅助记录

[发明专利]具有中间盘的热辅助磁记录头-CN202310214054.7在审
发明人： T-W·李;邱教明 -专利权人： 希捷科技有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G11B5/40 文献下载
摘要：本申请公开了具有中间盘的热辅助磁记录头。一种热辅助磁记录头，包括近场发射器和中间盘。所述近场发射器包括柱和锚定盘。所述柱被配置为在近端磁盘上产生热点。所述柱布置在所述热辅助磁记录头的面向介质的表面附近。所述锚定盘相对于所述面向介质的表面设置在所述柱的后方。所述中间盘具有至少1500摄氏度的熔化温度。所述中间盘相对于近场发射器沿下行磁道方向设置，并耦合到锚定盘。
具有中间辅助记录

[发明专利]主机看到的设备固件更新效果的管理-CN201610879541.5有效
发明人：罗斯·斯藤福特;基思·麦凯 -专利权人： 希捷科技有限公司
申请日： 2012-06-06 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G06F8/65 文献下载
摘要：本发明涉及主机看到的设备固件更新效果的管理。比如在OS会遇到不可恢复的错误和崩溃而没有可见性延迟的背景下，例如经由显示固件更新的效果的至少一部分的可见性，计算主机看到的设备固件更新效果的管理使得能够在设备固件更新过程中在主机上继续运行OS。例如，设备(例如，SSD)与运行未修改版Windows的计算主机耦接。设备上的固件比如通过被启动来更新/激活。信息的否则会变得对OS来说立即可见的一部分的可见性(在激活更新固件时)被延迟直至设备电力循环为止。如果该部分包括例如固件修订标识符，则延迟的可见性能够在固件更新/激活过程中继续运行OS而不重新启动OS。
主机看到设备更新效果管理

[发明专利]用于管理存储器访问操作的方法和系统-CN201910412897.1有效
发明人： D·S·埃布森;D·L·西蒙森;A·阿尔侯赛因;E·F·哈拉奇;S·霍韦 -专利权人： 希捷科技有限公司
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请涉及用于管理存储器访问操作的方法和系统。存储器控制器通过连接到主机的固态存储设备的存储器阵列的闪存存储器接口来管理存储器访问操作。存储器控制器在存储器阵列中执行第一存储器访问操作。第一存储器访问操作具有第一优先级。存储器控制器检测可用于在存储器阵列中执行并具有比第一优先级高的优先级的暂停存储器访问操作。检测操作区分暂停存储器访问操作与非暂停存储器访问操作。存储器控制器暂停在存储器阵列中执行第一存储器访问操作，并且执行具有比第一优先级高的优先级并可用于在存储器阵列中执行的一个或多个存储器访问操作。存储器控制器恢复在存储器阵列中执行第一存储器访问操作。
用于管理存储器访问操作方法系统

[发明专利]具有缓冲器占有期管理的数据存储设备-CN201810541064.0有效
发明人： J·埃利斯;J·蒙希尔;T·卡内帕;S·汉纳 -专利权人： 希捷科技有限公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G06F12/0875 文献下载
摘要：本发明题为“具有缓冲器占有期管理的数据存储设备”。本发明提供了一种数据存储设备，该数据存储设备具有一个或多个缓冲器，该数据存储设备可利用具有第一缓冲器、第二缓冲器、缓冲器管理器以及非易失性存储器的至少一个数据存储设备采用缓冲器占有期管理。所述第一缓冲器可位于芯片上，而所述第二缓冲器位于芯片外。所述第一缓冲器可根据所述缓冲器管理器的引导利用数据来填充，所述数据具有小于预定占有期阈值的占有期。
具有缓冲器有期管理数据存储设备

[发明专利]断电序列期间不相关熵的收集-CN201910568030.5有效
发明人： S·塞卡其;S·S·威廉姆斯;D·W·克劳德;B·J·斯科特;K·李;S·H·珀尔穆特 -专利权人： 希捷科技有限公司
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H04L9/06 文献下载
摘要：用于管理密码处理系统中的熵的设备和方法，诸如但不限于固态驱动器(SSD)。在一些实施例中，处理设备被操作以在主机设备和非易失性存储器(NVM)之间传输数据。响应于检测到与处理设备相关联的断电事件，与断电事件相关联的熵被收集并且被存储在存储器中。在随后重新初始化处理设备时，调节该熵并将其用作加密函数的输入，以便随后在主机设备和NVM之间传输数据。在一些实施例中，从硬件定时器的状态获得熵，该硬件定时器提供单调递增的计数以用于定时控制。在其他实施例中，熵从用于将数据存储到NVM的管芯集合的RAID缓冲器中获得。
断电序列期间不相关收集

[发明专利]管理非易失性存储器(NVM)中的多个名称空间-CN201810547709.1有效
发明人： M·伊什;S·S·威廉斯;J·蒙希尔 -专利权人： 希捷科技有限公司
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明题为“管理非易失性存储器(NVM)中的多个名称空间”。本发明公开了用于管理非易失性存储器快速(NVMe)控制器环境中的名称空间的装置和方法。非易失性存储器(NVM)被布置成将映射单元(MU)作为可寻址数据块存储在一个或多个名称空间中。前向映射具有一系列映射单元地址(MUA)条目，这些条目将MU中的每一个与NVM中的物理位置相关联。MUA条目被分组成名称空间中的每一个的紧邻的连续范围。基础MUA阵列识别每个名称空间的起始MUA条目在前向映射内的地址。可以通过将新范围的MUA条目紧接在最后一个MUA条目之后附加到前向映射，并且通过向基础MUA阵列添加新条目来识别新名称空间的起始MUA条目在前向映射内的地址，从而可添加新的名称空间。
管理非易失性存储器 nvm 中的名称空间

[发明专利]实现分散原子I/O写入-CN201710530805.0有效
发明人： K·桑帕特库马尔;P·N·R·基拉卡拉;P·R·玛哈拉纳;D·P·巴特拉伊 -专利权人： 希捷科技有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明题为：“实现分散原子I/O写入”。本发明提供用于在存储设备中执行分散原子I/O写入的方法、系统和计算机可读存储介质。从请求者接收待作为原子单元完成的块I/O写入请求列表，其中所述块I/O写入请求中的至少两者指定存储介质上的不连续数据位置。将所述多个块I/O写入请求缓存在写入缓冲器中，其中每个缓冲器条目被标记为具有无效状态，其中将缓冲器条目标记为具有无效状态防止其被刷新到所述存储介质。在缓存所有所述多个块I/O写入时，同时将所有所述缓冲器条目标记为具有有效状态。在将所有所述缓冲器条目标记为具有有效状态后，向所述请求者确认所述块I/O写入请求列表的成功完成。
实现分散原子写入

[发明专利]用于创建中性极性转换区域的介质设计和写入技术-CN202211657461.7在审
发明人： T·Y·常;P·L·斯坦纳;Z·刘 -专利权人： 希捷科技有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G11B5/31 文献下载
摘要：本申请公开了用于创建中性极性转换区域的介质设计和写入技术。一种热辅助磁记录(HAMR)设备被配置为在记录磁头的同一次通过期间在磁介质上写入中性极性区，其中其他区被写入正极性和负极性。各种公开的写入技术可以便于在相反极性的每对数据位之间创建“零状态”(基本上净零极性)转换区域和/或可有助于在介质上编码三个不同的逻辑状态(例如，1、0和‑1)。
用于创建中性极性转换区域介质设计写入技术

[发明专利]在具有双记录层的HAMR设备中的三态单通记录-CN202211658009.2在审
发明人： T·Y·常;P·L·斯坦纳;Z·刘 -专利权人： 希捷科技有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本申请公开了在具有双记录层的HAMR设备中的三态单通记录。一种热辅助磁记录(HAMR)设备被配置成在记录磁头的同一次通过期间在磁介质上写入中性极性区，其中其他区被写入正极性和负极性。各种公开的写入技术可以便于在相反极性的每对数据位之间创建“零状态”(基本上净零极性)转换区域和/或可有助于在介质上编码三个不同的逻辑状态(例如，1、0和‑1)。
具有记录 hamr 设备中的三态

[发明专利]限制数据存储设备中的访问操作-CN201710569375.3有效
发明人： S·雅恩亚武拉·文卡塔;M·A·盖特纳;J·G·巴克曼 -专利权人： 希捷科技有限公司
申请日： 2017-07-13 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G06F12/0877 文献下载
摘要：本专利涉及限制数据存储设备中的访问操作。本文所公开的混合数据存储设备包括主数据存储库、一个或多个数据存储高速缓存和数据存储高速缓存管理子系统。所述混合数据存储设备被配置为将所述一个或多个数据存储高速缓存上的写入操作限制为小于数据存储高速缓存的耐久值。在一个具体实施中，所述数据存储高速缓存管理子系统限制或拒绝从所述主数据存储库向所述一个或多个数据存储高速缓存推进数据的请求。在另一个具体实施中，所述数据存储高速缓存管理子系统限制所述数据存储高速缓存上的垃圾收集操作。
限制数据存储设备中的访问操作

[发明专利]使用存储设备的端口到端口网络路由-CN202011530903.2有效
发明人： T·R·普罗霍夫斯基 -专利权人： 希捷科技有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H04L49/25 文献下载
摘要：本申请公开了使用存储设备的端口到端口网络路由。一种至少用以在节点之间提供端口到端口通信的多端口数据存储设备。所述多端口存储设备包括第一端口、第二端口和桥接器。所述第一端口可以可操作地耦接到多个节点中的第一节点。所述第二端口可以可操作地耦接到所述多个节点中的第二节点。所述桥接器可经由所述第一端口或所述第二端口接收要传输到所述多个节点中的一个节点的一个或多个数据分组，并且将一个或多个接收到的数据分组传输到另一个多端口数据存储设备，传输到所述第一节点，或传输到所述第二节点。
使用存储设备端口网络路由

[发明专利]超声压电摆动悬架的零偏斜-CN202211357486.5在审
发明人： K·L·赵;刘雄;T·Z·迈因特;马一超 -专利权人： 希捷科技有限公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G11B5/48 文献下载
摘要：一种数据存储装置包含底座、数据存储磁盘、致动器臂、悬架和压电致动器。所述数据存储磁盘附接到所述底座且具有限定x‑y平面的读/写表面。所述致动器臂在第一枢轴点处附接到所述底座以平行于所述x‑y平面旋转。所述悬架在第二枢轴点处附接到所述致动器臂，所述悬架具有包括弯曲边缘表面的第一端，以及支撑磁头的第二端，所述磁头被配置成与所述读/写表面交互。所述压电致动器安置在所述致动器臂上且包括偏置指形件，所述偏置指形件被配置成接触所述弯曲边缘表面以使所述悬架围绕所述第二枢轴点平行于所述x‑y平面旋转。还描述了一种致动器臂组件和一种使用方法。
超声压电摆动悬架偏斜

[发明专利]数据存储设备中的高速缓存超量配置-CN201710569331.0有效
发明人： S·雅恩亚武拉·文卡塔;M·A·盖特纳;J·G·巴克曼 -专利权人： 希捷科技有限公司
申请日： 2017-07-13 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G06F12/0871 文献下载
摘要：本发明题为：“数据存储设备中的高速缓存超量配置”。本申请涉及数据存储设备中的高速缓存超量配置。本文所公开的混合数据存储设备包括主数据存储库、一个或多个数据存储高速缓存和数据存储高速缓存管理子系统。所述数据存储高速缓存可以被划分为超量配置部分和通告空间部分。当所述数据存储高速缓存管理子系统接收到写入请求时，所述数据存储高速缓存上对应于所述超量配置部分的数据群集被标记为待定逐出而不会被实际逐出，从而增加有效容量并减少所述数据存储高速缓存的写入放大。
数据存储设备中的高速缓存超量配置

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