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[发明专利]人工反铁磁多层膜结构及包括其的磁随机存储器-CN202110381200.6在审
发明人：魏晋武;于国强;韩秀峰 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L43/04 文献下载
摘要：本发明涉及人工反铁磁多层膜结构及包括其的磁随机存储器。根据一实施例，一种人工反铁磁多层膜结构可包括：面内场耦合层，包括由铁磁导电材料形成的第一铁磁层和第二铁磁层，以及位于所述第一铁磁层和第二铁磁层之间的第一间隔层，所述第一间隔层由非磁导电材料形成并且诱导所述第一铁磁层和第二铁磁层之间的反铁磁耦合；自由磁层，包括由铁磁导电材料形成的第三铁磁层和第四铁磁层，以及位于所述第三铁磁层和第四铁磁层之间的自旋霍尔效应层，所述自旋霍尔效应层由具有自旋霍尔效应的材料形成并且诱导所述第三铁磁层和第四铁磁层之间的反铁磁耦合；以及中间层，位于所述面内场耦合层与所述自由磁层之间，所述中间层由非磁材料形成。
人工反铁磁多层膜结构包括随机存储器

[发明专利]一种钉扎铁磁层结构及其制造方法、电磁器件-CN202111206784.X在审
发明人：毕冲;娄凯华;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：本发明提供了一种钉扎铁磁层结构及其制造方法、电磁器件，钉扎铁磁层结构包括基片、待钉扎铁磁层、环绕包裹在待钉扎铁磁层周围的反铁磁层，且反铁磁层的磁矩方向与待钉扎铁磁层需要的钉扎磁场的方向平行。通过在待钉扎铁磁层的侧面形成反铁磁层，且还使反铁磁层的磁矩方向与待钉扎铁磁层需要的钉扎磁场的方向平行，以实现对待钉扎铁磁层的钉扎。由于反铁磁层位于待钉扎铁磁层的侧面，在待钉扎铁磁层的上方和下方都无需再设置反铁磁层，从而既能够在待钉扎铁磁层的上方又能够在待钉扎铁磁层的下方设置诸如缓冲层等的其他附加层，而不受反铁磁层的影响，防止出现由于晶格失配和界面处材料混合而削弱反铁磁层的钉扎效果
一种钉扎铁磁层结构及其制造方法电磁器件

[发明专利]一种磁存储器及其制备方法-CN202111522263.5在审
发明人：卢世阳;殷加亮;商显涛;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 -专利权人：致真存储（北京）科技有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁存储器及其制备方法，涉及磁存储器领域，该磁存储器包括：电流写入层以及设置在之上的反铁磁耦合自由层，反铁磁自由层包括：反铁磁耦合层、第一铁磁翻转层以及第二铁磁翻转层，第一铁磁翻转层厚度小于第二铁磁翻转层，第一铁磁翻转层设于反铁磁耦合层与电流写入层之间，第二铁磁翻转层设于反铁磁耦合层之上，第一铁磁翻转层通过所述电流写入层产生的自旋累积实现翻转，翻转过程带动第二铁磁翻转层翻转，由于反铁磁耦合自由层厚度较单自由层高，因此提升了存储器的使用寿命，并且由于反铁磁耦合自由层的第一铁磁翻转层的厚度小于第二铁磁翻转层，可以实现优先翻转，并且带动第二铁磁翻转层翻转，翻转速度大于现阶段的翻转速度。
一种磁存储器及其制备方法

[发明专利]全电控自旋电子神经元器件、神经元电路和神经网络-CN202110537062.6在审
发明人：邢国忠;王迪;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本公开提供一种全电控自旋电子神经元器件、神经元电路和神经网络，神经元器件包括：底部反铁磁钉扎层；合成反铁磁层，形成于底部反铁磁钉扎层上；势垒层，形成于铁磁自由层上；其中，铁磁自由层的正对势垒层的区域形成阈值区域；铁磁参考层，形成于势垒层上；其中，势垒层、铁磁参考层和铁磁自由层形成磁性隧道结；第一反铁磁钉扎层和第二反铁磁钉扎层，形成于铁磁自由层的除正对势垒层区域外的裸露区域上，且第一反铁磁钉扎层和第二反铁磁钉扎层位于势垒层的两侧；其中，铁磁自由层的正对第一反铁磁钉扎层和第二反铁磁钉扎层的区域分别形成第一钉扎区域和第二钉扎区域；第一电极，形成于铁磁参考层上。
全电控自旋电子神经元器件神经元电路神经网络

[发明专利]磁隧道结以及磁存储器-CN201610339183.9有效
发明人：张博宇;赵巍胜;廖宇 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2016-05-19 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明实施例公开一种磁隧道结MTJ以及磁存储器，该MTJ从上到下依次包括第一铁磁层、势垒层、第二铁磁层、缓冲层、第三铁磁层和重金属层，其中：第一铁磁层、第二铁磁层和第三铁磁层均包括混合金属材料，势垒层包括金属氧化物材料，缓冲层包括非铁磁材料；第一铁磁层的磁化方向为固定方向，第二铁磁层与第三铁磁层形成铁磁耦合或反铁磁耦合。实施本发明实施例，可以提高磁隧道结中的第三铁磁层的磁化方向的翻转速度，提高MTJ的可靠性，并可以降低写入电流，从而降低功耗。
隧道以及磁存储器

[发明专利]一种以复合铁磁层为铁磁电极的磁隧道结元件-CN200410030893.0无效
发明人：朱涛;彭子龙;詹文山 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2004-04-09 - 公布日： 2005-01-12 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种以复合铁磁层为铁磁电极的磁隧道结元件，该磁隧道结元件包括一基片和在基片上设置的一缓冲层、一引导层、一由两不同铁磁材料形成的复合铁磁层作为自由层、一绝缘层、一由两不同铁磁材料形成的复合铁磁层作为钉扎层、一反铁磁层、一保护层。通过调节复合铁磁层中的薄铁磁层的厚度可以连续可调复合铁磁层的自旋极化率，从而可以调控该元件的隧道磁电阻值；通过调节作为自由层的复合铁磁层中薄铁磁层的厚度可以连续可调该自由层的矫顽力，从而可以调节该元件的开关场大小
一种复合铁磁层磁电隧道元件

[发明专利]磁隧道结及其形成方法、磁存储器-CN202010084400.0在审
发明人：赵巍胜;彭守仲;芦家琪;熊丹荣 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种磁隧道结及其形成方法、磁存储器，该磁隧道结从下到上依次包括：第一铁磁层、氧化物势垒层、第二铁磁层以及第一体磁各向异性铁磁层；所述第二铁磁层和所述第一体磁各向异性铁磁层作为所述磁隧道结的自由层；所述第一铁磁层作为所述磁隧道结的参考层；其中，所述第一体磁各向异性铁磁层由体垂直磁各向异性的铁磁材料形成。其中，通过在第二铁磁层上设置由体垂直磁各向异性的铁磁材料形成的第一体磁各向异性铁磁层，第一体磁各向异性铁磁层与第二铁磁层实现层间耦合，提高了磁隧道结的体垂直磁各向异性常数，使得磁隧道结具有强垂直磁各向异性和高热稳定性，当磁隧道结尺寸较小时，热稳定性依然能够得到保障。
隧道及其形成方法磁存储器

[发明专利]磁性存储装置-CN202110947705.4在审
发明人：泽田和也;李永珉;及川忠昭;北川英二;矶田大河 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：磁阻效应元件包含第1铁磁层、第2铁磁层、第3铁磁层、所述第1铁磁层与所述第2铁磁层之间的第1非磁性层、及第2铁磁层与所述第3铁磁层之间的第2非磁性层。第2铁磁层位于第1铁磁层与所述第3铁磁层之间。第1非磁性层含有镁(Mg)及氧(O)，第3铁磁层含有硅(Si)或锗(Ge)。
磁性存储装置

[发明专利]磁阻磁头及其制造方法-CN200510082332.X无效
发明人：重松惠嗣;西冈浩一;田岛康成 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2005-06-30 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：使得旋转阀设备的反铁磁层和第一铁磁层之间的交换耦合能以及经由Ru反铁磁耦合层耦合的第一铁磁层和第二铁磁层之间的反铁磁耦合能增加，从而增加磁阻比例并减小旋转阀膜的自由层矫顽磁力。在MnPt反铁磁基础型合成铁型旋转阀膜中，底层、包括MnPt的反铁磁层、包括CoFe的第一铁磁层、包括Ru的反铁磁耦合层、包括CoFe的第二铁磁层、包括Cu的中间非磁性层、包括CoFe和NiFe合成膜的自由层以及保护层被堆叠在基底上，并且第一铁磁层的CoFe_X中的Fe组分被设定为20＜X≤50at％。
磁阻磁头及其制造方法

[发明专利]一种具有双间隔层并可形成铁磁或反铁磁耦合的多层膜-CN201710565827.0有效
发明人：赵巍胜;赵晓璇;彭守仲 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明一种具有双间隔层并可形成铁磁或反铁磁耦合的多层膜，至少包括第一铁磁层、第二铁磁层，在第一铁磁层、第二铁磁层之间，采用两个间隔层使两个铁磁层通过层间耦合铁磁或反铁磁地耦合在一起；所述的多层膜为可呈现垂直磁各向异性，所述的多层膜为可呈现面内磁各向异性，该多层膜从下到上依次是第二铁磁层、第二间隔层、第一间隔层、第一铁磁层；其所述的第一铁磁层和第二铁磁层指铁磁材料形成的薄膜层，在同一结构中，上下两个铁磁层可通过层间耦合作用，铁磁或反铁磁地耦合在一起，通过选取具有不同性质的间隔层材料，使多层膜结构具有不同的优势，可用于实现具有强磁各向异性、低阻尼系数、高隧穿磁阻比率值等优点的自旋电子器件。
一种具有间隔形成反铁磁耦合多层

[发明专利]基于磁性多层膜结构的反常能斯特效应热电器件-CN202111186841.2在审
发明人：万蔡华;韩秀峰;司文荣;王翼展;梁云;陈川;黄辉 -专利权人：中国科学院物理研究所;国网上海市电力公司;全球能源互联网研究院有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H10N15/20 文献下载
摘要：根据一实施例，一种热电器件包括磁性多层膜结构和包围磁性多层膜结构的保护层，磁性多层膜结构包括[反铁磁层/铁磁层]a、[反铁磁层/铁磁层/重金属层]b、以及[反铁磁层/铁磁层/重金属层/铁磁层]c中的一种或多种，铁磁层由铁磁导电材料形成，重金属层由重金属材料形成，[反铁磁层/铁磁层]a结构中的反铁磁层由包括重金属元素的反铁磁材料形成，其余结构中的反铁磁层由反铁磁材料形成，铁磁层具有面内磁矩并且被所述反铁磁层偏置在第一方向上，所述磁性多层膜结构响应于其膜层法线方向上的温度梯度
基于磁性多层膜结构反常能斯特效应热电器件

[发明专利]磁性薄膜和磁阻效应元件-CN200710159762.6有效
发明人：高桥研;角田匡清;驹垣幸次郎 -专利权人：富士通株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2007-12-21 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： H01F10/12 文献下载
摘要：在所述磁性薄膜中，可以可靠地固定诸如固定层的铁磁层的磁化方向。所述磁性薄膜包括：反铁磁层；和铁磁层。反铁磁层由锰系反铁磁材料构成，并且在反铁磁层和铁磁层之间形成有锰层。
磁性薄膜磁阻效应元件

[发明专利]磁性隧道结器件-CN202011431856.6在审
发明人：韩谷昌;哀立波;张恺烨;刘波 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性隧道结器件，包括：依次层叠设置的参考层、势垒层、自由层和盖层，参考层具有与参考层的平面大致垂直的固定磁化，自由层包括：第一铁磁层、第二铁磁层以及位于第一铁磁层和第二铁磁层之间的反铁磁耦合层，第一铁磁层与势垒层相邻设置，第一铁磁层具有垂直于薄膜表面并且可翻转的磁化，第二铁磁层具有与第一铁磁层磁化方向相反的磁化。且自由层的两个铁磁层与反铁磁耦合层之间或者在两个铁磁层层间设置间隔层，提高自由层的饱和磁化强度。本发明的磁性隧道结器件在具有高垂直各向异性能的同时，具有较低的翻转电流。
磁性隧道器件

[发明专利]磁阻效应元件和磁性随机存取存储器-CN200910127906.9无效
发明人：中山昌彦;甲斐正;池川纯夫;与田博明;岸达也 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2009-03-25 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：所述磁阻效应元件包括：第一铁磁层，具有垂直于膜平面的不可变磁化；第二铁磁层，具有垂直于膜平面的可变磁化；第一非磁性层，插在第一铁磁层和第二铁磁层之间；第三铁磁层，设置在第二铁磁层的与第一非磁性层相反的一侧，并且具有平行于膜平面的可变磁化；以及第二非磁化层，插在第二铁磁层和第三铁磁层之间，通过使电流在垂直于第一铁磁层和第三铁磁层之间的膜平面的方向上流动，将自旋极化电子注入到第二铁磁层，通过将自旋极化电子从第二铁磁层经由第二非磁性层注入到第三铁磁层，在第三铁磁层的磁化中感应出进动运动，以及向第二铁磁层施加频率与进动运动相对应的微波磁场。
磁阻效应元件磁性随机存取存储器

[实用新型]一种力传感器-CN201520103327.1有效
发明人：徐乾龙 -专利权人：浙江金旗门业有限公司
申请日： 2015-02-11 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：针对高精度的力传感器的问题，本实用新型提供一种力传感器，包括基底、反铁磁层、下铁磁层、非磁性层、上铁磁层，其中，基底为柔性的磁性金属，反铁磁层位于基底上，下铁磁层位于反铁磁层上，非磁性层位于下铁磁层上，上铁磁层位于非磁性层上。将上述力传感器贴到待测物体或器件的表面，当有应力产生的时候，基底将力传递给反铁磁层、下铁磁层、非磁性层、上铁磁层，引起电阻的变化，进而实现微力的探测，大大提高探测的灵敏度。
一种传感器

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