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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]面内自旋轨道矩器件-CN202211398889.4在审
发明人：卢世阳;朱道乾;刘宏喜;曹凯华 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本公开涉及自旋轨道矩器件技术领域，具体涉及一种面内自旋轨道矩器件，所述面内自旋轨道矩器件包括：第一磁隧道结；第一反铁磁层，设置于所述第一磁隧道结包括的自由层上；电流写入层，设置于所述第一反铁磁层背离所述第一磁隧道结的表面上；其中，所述自由层具备面内磁各向异性，所述自由层的磁矩方向由交换偏置场方向确定，所述第一反铁磁层与所述自由层之间通过退火工艺形成所述交换偏置场。该面内自旋轨道矩器件提高了磁电阻，从而该面内自旋轨道矩器件写入数据的出错率较低，且在刻蚀该面内自旋轨道矩器件的磁隧道结包括的自由层时工艺刻蚀窗口较大使得操作范围也较大。
自旋轨道器件

[发明专利]提高隧道结薄膜磁电阻效应的制备方法-CN201510074834.1在审
发明人：周俊;倪经;陈彦;黄豹;邹延珂;郭韦;曹照亮 -专利权人：西南应用磁学研究所
申请日： 2015-02-13 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种隧道结(MTJ)薄膜的制备方法，其公开了一种可以提高巨磁电阻效应的隧道结薄膜的制备方法，包括如下步骤：(a)在基底上依次沉积底电极层、反铁磁层、钉扎铁磁层、隧穿层、自由铁磁层；(b)对制备的底电极层、反铁磁层、钉扎铁磁层、隧穿层、自由铁磁层进行退火工艺处理；(c)退火工艺处理完毕沉积顶电极层。本发明的磁性随机存储器被广泛应用于军事、民事等领域，其结构为具有隧道结磁电阻效应的磁性隧道结，为了进一步提高磁性随机存储器的存储密度，极大提高隧道结的磁电阻效应；发明重新设计隧道结的制备流程，避免顶电极层与自由铁磁层间的扩散
提高隧道薄膜磁电效应制备方法

[发明专利]一种钙钛矿型单相多铁材料及其制备方法-CN200810102534.X无效
发明人：朱金龙;靳常青 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2008-03-24 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种多铁性材料Bi(Fe_1/2Cr_1/2)O₃。本发明采用金属氧化物固相混合方法、高温高压法合成单相的反铁磁和铁电共存的多铁性材料。该多铁材料在130K附近有一个磁相变点，低温区是以反铁磁为主的有着自旋玻璃行为的复杂的磁基态。在5K的时候，样品有着弱铁磁行为。通过介电测量，发现在磁相变附近有磁介电行为。该多铁性材料的合成为多铁材料更多新体系的发现提供很好的参照。
一种钙钛矿型单相材料及其制备方法

[发明专利]一种双栅自旋场效应晶体管-CN201310010499.X无效
发明人：王伟;张华鑫;王燕 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2013-01-11 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型沟道为硅的一种双栅自旋场效应晶体管，该场效应管包括：位于同一轴线上的半金属铁磁（1）、自旋随机层（2）、隧穿氧化层（3）、导电沟道（4）、源极（S）和漏极（D），位于半金属铁磁（1）、自旋随机层（2）、隧穿氧化层（3）、导电沟道（4）外周的栅氧化层（5）、金属栅（6）和栅极（G）；分别在铁磁平行与反平行的情况下，对两种输运下的输出特性、转移特性等电学特性对比分析，发现该器件拥有很高的磁阻比率，并且在铁磁平行条件下，考虑自旋散射时的输出电流要比不考虑自旋散射时的输出电流小，而在铁磁反平行的条件下，结果则与铁磁平行时的结果相反。
一种自旋场效应晶体管

[发明专利]一种驱动磁性斯格明子运动的方法-CN201810858468.2在审
发明人：杨文瑞;杨欢欢;曹云珊;严鹏 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-07-31 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明提供一种驱动磁性斯格明子运动的方法，本发明通过对铁磁薄膜或者反铁磁薄膜上斯格明子施加线性拉盖尔‑高斯型涡旋光场，光轨道角动量转移进而实现斯格明子的输运。相较现阶段电流驱动斯格明子的方式而言，此方式可以使斯格明子翻越大尺度的缺陷从而避免被缺陷捕获，同时不会破坏磁结构，有效地避免了斯格明子霍尔效应，具有速度快、操作方法简单的特点，而相比于铁磁薄膜，反铁磁薄膜上斯格明子的运动速度更快
斯格反铁磁薄膜铁磁薄膜驱动存储器件电流驱动霍尔效应缺陷捕获数据传输磁结构大尺度光轨道角动量有效地高斯光场拉盖输运涡旋施加

[发明专利]一种磁隧道结微拉力探测器-CN202111024231.2在审
发明人：于孟今 -专利权人：于孟今
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： G01L1/12 文献下载
摘要：本发明涉及拉力探测领域，具体提供了一种磁隧道结微拉力探测器，反铁磁部的材料为硬磁反铁磁材料，钉扎部置于反铁磁部上，钉扎部的材料为自旋性极化率高的金属或半金属，势垒部置于钉扎部上，自由层部置于势垒部上的中部在本发明中，钉扎部、势垒部、自由层部形成磁隧道结。应用时，待测拉力作用到第一施力部和第二施力部，同时应用磁场作用于本发明。通过测量施加微拉力时和未施加微拉力时，磁隧道结的磁电阻的差异，确定待测微拉力。
一种隧道拉力探测器

[发明专利]一种光纤集成磁隧道结光电探测器-CN202111533762.4在审
发明人：于孟今 -专利权人：于孟今
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本发明涉及光电探测技术领域，具体涉及一种光纤集成磁隧道结光电探测器，包括反铁磁层、钉扎层、势垒层、自由层、纤芯，反铁磁层的材料为硬磁反铁磁材料。在自由层内，光从纤芯中耦合出来，照射到势垒层和自由层，改变了势垒层和自由层的温度，从而改变了势垒层的量子隧穿特性和自由层的自旋状态，从而改变了磁隧道结的磁电阻，通过磁电阻的变化实现光探测。因为磁隧道结的磁电阻严重地依赖于势垒层的量子隧穿特性和自由层的自旋状态，所以本发明具有光强度探测灵敏度高的优点。
一种光纤集成隧道光电探测器

[发明专利]一种以复合铁磁层为铁磁电极的磁隧道结元件-CN200410030893.0无效
发明人：朱涛;彭子龙;詹文山 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2004-04-09 - 公布日： 2005-01-12 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种以复合铁磁层为铁磁电极的磁隧道结元件，该磁隧道结元件包括一基片和在基片上设置的一缓冲层、一引导层、一由两不同铁磁材料形成的复合铁磁层作为自由层、一绝缘层、一由两不同铁磁材料形成的复合铁磁层作为钉扎层、一反铁磁层、一保护层。通过调节复合铁磁层中的薄铁磁层的厚度可以连续可调复合铁磁层的自旋极化率，从而可以调控该元件的隧道磁电阻值；通过调节作为自由层的复合铁磁层中薄铁磁层的厚度可以连续可调该自由层的矫顽力，从而可以调节该元件的开关场大小
一种复合铁磁层磁电隧道元件

[发明专利]磁性隧道结结构及磁性随机存储器-CN201911047775.3在审
发明人：张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本申请提供一种磁性隧道结结构及磁性随机存储器，所述磁性隧道结结构包括多层结构的自由层，两自由层之间是由非磁性金属层形成的反铁磁耦合层。本申请通过反铁磁耦合层实现两自由层的反铁磁耦合，有效地增加总磁矩的垂直各向异性，并降低在自旋激化写电流下的翻转过程中出现的退磁场，从而能够在保证热稳定性条件下降低临界电流。
磁性隧道结构随机存储器

[发明专利]一种基于反铁磁的太赫兹光调控忆阻器及其制备方法-CN202310454144.3在审
发明人：梁逸雷;张浩 -专利权人：新微比特纳米科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于反铁磁的太赫兹光调控忆阻器及其制备方法。在本发明中，首次提出将反铁磁材料同时应用于光感与阻变存储功能层中。该忆阻件由光感输入端与阻变输出端组成，通过反铁磁的逆自旋与自旋霍尔效应实现光感输入与阻变存储。
一种基于反铁磁赫兹调控忆阻器及其制备方法

[发明专利]磁电阻效应膜，磁电阻效应磁头和固态存储器-CN200410058665.4无效
发明人：野间贤二 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2004-07-27 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本发明所提供的磁电阻效应膜在不采用反铁磁层的条件下能够实现足够的功能。该膜包括：籽晶层；第一钉扎磁性层，形成在籽晶层上；反铁磁耦合层，形成在第一钉扎磁性层上；第二钉扎磁性层，形成在反铁磁耦合层上；非磁性层，形成在第二钉扎磁性层上；自由磁性层，形成在非磁性层上；和保护层，形成在自由磁性层上
磁电效应磁头固态存储器

[发明专利]磁致伸缩的层系统-CN201280031232.2有效
发明人：恩诺·拉格;迪尔克·迈纳斯;埃克哈德·匡特 -专利权人：克里斯蒂安-阿尔伯特-基尔大学
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： G01R33/18 文献下载
摘要：本发明提出一种磁致伸缩的层系统，所述层系统包括由反铁磁（AFM）层和直接设置在所述反铁磁（AFM）层上的磁致伸缩的铁磁（FM）层构成的至少一个层序列，其中层序列具有相关联的交换偏置（EB）场，其中FM层的EB感应的磁化强度在不存在外部磁场的情况下位于85%和100%之间的范围中并且其中在平行于（AFM）层和（FM）层的平面之内，由EB场方向和在不存在外部磁场的情况下具有最大压磁系数的磁致伸缩方向所围成的角
伸缩系统

[发明专利]磁阻传感器屏蔽-CN201410767077.1有效
发明人： E·W·辛格尔顿;谭利文;李宰荣 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本文所公开的实施方式提供用于包括合成反铁磁(SAF)结构的磁阻(MR)传感器，SAF结构磁耦合到侧屏蔽元件。SAF结构包括至少一个由铁磁材料与耐火材料组成的合金的非晶磁性层。非晶磁性层可以与非磁性层接触并且反铁磁性耦合到与非磁性层的相反表面接触的层。
磁阻传感器屏蔽

[发明专利]基于磁子阀和磁子结的磁子磁电阻和自旋霍尔磁电阻器件-CN201910125883.1有效
发明人：韩秀峰;郭晨阳;万蔡华 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及基于磁子阀和磁子结的磁子磁电阻器件和自旋霍尔磁电阻器件。根据一实施例，一种磁子磁电阻器件可包括：第一磁子传导层；设置在所述第一磁子传导层上的第二磁子传导层；以及设置在所述第一磁子传导层和所述第二磁子传导层之间的中间层，其中，所述第一磁子传导层和所述第二磁子传导层由磁性绝缘材料形成，所述中间层由非磁金属或反铁磁绝缘体或反铁磁金属材料形成。
基于磁子阀磁子结磁电自旋霍尔器件

[发明专利]磁场检测器、和使用磁场检测器的电流检测器件、位置检测器件与旋转检测器件-CN200480041867.6有效
发明人：长永隆志;小林浩;黑岩丈晴;拜山沙德克;古川泰助 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2004-09-22 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：参考磁电阻元件和磁场检测磁电阻元件每一个都具有叠层结构，该叠层结构包括反铁磁层、磁化方向由反铁磁层固定的铁磁材料的固定层、非磁性层、以及磁化方向适合于由外磁场改变的铁磁材料的自由层。参考磁电阻元件使得在不存在磁场的情况下固定层的磁化方向与自由层的磁化方向彼此平行或反平行，磁场检测磁电阻元件使得在不存在磁场的情况下固定层的磁化方向与自由层的磁化方向彼此不同。
磁场检测器使用电流检测器件位置旋转

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