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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]存储单元与存储器-CN201810196253.9有效
发明人：宫俊录;何世坤;孟凡涛 -专利权人：中电海康集团有限公司
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：该存储单元包括：由下至上依次叠置设置的第一电极、合成反铁磁结构、参考层、绝缘势垒层、自由层以及第二电极，参考层与自由层的磁化方向均与存储单元的厚度方向平行，合成反铁磁结构包括由下至上依次叠置设置的第一磁性层、间隔层以及第二磁性层，第一磁性层和第二磁性层通过间隔层发生反铁磁耦合，间隔层为二维材料层。该存储单元中，在第一电极与参考层之间设置合成反铁磁结构，该结构采用二维材料层作为间隔层，这样的间隔层使得两侧的磁性层磁矩因发生层间反铁磁交换作用而反平行排列。该合成反铁磁结构中间隔层两侧的磁性层无需是多个薄层，使得存储单元的制作工艺较简单且容易控制。
存储单元存储器

[发明专利]热电转换器件-CN202210394815.7在审
发明人：于海明;张岩;李宁晟 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：本发明提供一种热电转换器件，包括：多个首尾连接的热电转换单元；热电转换单元包括：热电转换材料和与热电转换材料连接的金属材料；热电转换材料包括：反铁磁层；铁磁层，设置在反铁磁层上；氧化层，设置在铁磁层上。
热电转换器件

[发明专利]自旋阀磁阻效应磁头和使用该磁头的复合磁头及磁记录介质驱动装置-CN99816769.X无效
发明人：野间贤二;金井均;兼淳一;青岛贤一 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 1999-07-05 - 公布日： 2002-06-05 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本发明提供一种使用硬铁磁层的自旋阀磁阻磁头和使用所述磁头的磁记录介质驱动装置。所述自旋阀磁阻磁头包括至少一自由磁层,一非磁的金属层,一被钉扎磁层,一反平行的耦合中间层和一硬铁磁层,其中所述被钉扎磁层的磁方向和所述硬铁磁层的磁方向通过所述反平行耦合中间层作到基本上反平行。
自旋磁阻效应磁头使用复合记录介质驱动装置

[实用新型]一种人工合成反铁磁结构、磁性存储单元及存储器-CN202022787692.2有效
发明人：赵月雷;周艳;杨晟;周钰卿;李晓光;武凯 -专利权人：香港中文大学（深圳）
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本实用新型提供一种反铁磁结构，反铁磁结构包括依次层叠设置的第一磁性层、非磁性金属层和第二磁性层，非磁性金属层位于第一磁性层和第二磁性层之间，第一磁性层和第二磁性层处于反铁磁耦合状态。本实用新型提供的反铁磁结构可以在不施加外磁场的情况下仅通过正负电流组合的方式即可实现磁畴完全翻转，相对于现有技术减少了施加磁场的装置，大大降低了器件的尺寸，提高了器件的集成度。
一种人工合成反铁磁结构磁性存储单元存储器

[发明专利]一种基于反铁磁斯格明子的新型逻辑门电路-CN201910901713.8有效
发明人：赵国平;梁雪;赵莉 -专利权人：四川师范大学
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：本发明提供一种基于反铁磁斯格明子的新型逻辑门电路，以十字型反铁磁赛道为基本单元，整个赛道均为同种反铁磁材料。输入端A、输入端B通过局部垂直注入自旋极化电流产生反铁磁斯格明子，并利用自旋极化电流和磁晶各向异性梯度驱动斯格明子。其中，磁晶各向异性梯度由压控磁晶各向异性效应产生。本发明以斯格明子的存在与否分别代表二进制数据的“1”和“0”，充分结合斯格明子受拓扑保护作用的特点，以及反铁磁材料对外磁场不敏感的特性，使得本发明具有较强的稳定性和抗磁干扰能力。
一种基于反铁磁斯格明子新型逻辑门电路

[发明专利]一种磁性存储单元和数据写入方法-CN202010350316.9在审
发明人：张德明;张凯丽;王佑;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学合肥创新研究院
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明的一种磁性存储单元和数据写入方法，包括在一条反铁磁金属条状薄膜上制造一个磁隧道结；反铁磁金属条状薄膜的两端分别镀有第一底端电极和第二底端电极；磁隧道结从下到上包括第一铁磁金属层，第一氧化物层，第二铁磁金属层，第一合成反铁磁层和顶端电极五层物质构成；所述磁隧道结具有垂直磁各向异性；所述磁隧道结至少具有两种电阻状态。本发明依靠电压调控磁各向异性和自旋轨道矩两种效应，其中，电压调控磁各向异性效应可通过在具有垂直磁各向异性的磁隧道结顶端电极施加一个偏置电压产生；自旋轨道矩效应可通过在反铁磁金属条状薄膜的两端施加电流而产生
一种磁性存储单元数据写入方法

[发明专利]一种电场调控的反铁磁基霍尔器件及其制备方法-CN201510102442.1有效
发明人：王钰言;宋成;潘峰 -专利权人：清华大学
申请日： 2015-03-09 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种电场调控的反铁磁基霍尔器件及其制备方法。它包括依次沉积在导电基片上的底层、反铁磁耦合层和顶层，在顶层上依次设有侧电极和门电极；底层为磁性绝缘体层或无磁性绝缘体层；底层为磁性绝缘体层或无磁性绝缘体层组成的复合层；反铁磁耦合层为反铁磁层或反铁磁层和铁磁层本发明结构和制备方法简单、成本低，具有良好的磁化特性，可作为一种磁场探测器；对外磁场和热扰动不敏感，测量的霍尔电阻更加准确；是低能耗的自旋器件，对于反铁磁自旋电子学器件的发展具有重要意义。
一种电场调控反铁磁基霍尔器件及其制备方法

[发明专利]抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器及信息存储方法-CN202211068186.5在审
发明人：方彬;范亚明;曾中明 -专利权人：江西省纳米技术研究院
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：所述抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器包括至少一个磁存储单元，所述磁存储单元包括依次层叠设置的第一反铁磁层、磁性存储层、非磁性层、铁磁固定层以及第二反铁磁层，其中，所述磁性存储层和铁磁固定层的磁矩取向平行或反平行，并且所述磁性存储层的磁矩取向能够随通入所述第一反铁磁层的电流改变，且所述磁性存储层在零磁场时只对应一种电阻状态。
磁场干扰自旋轨道磁性随机存储器信息存储方法

[发明专利]一种无需外部磁场的自旋轨道动量矩磁存储器-CN201410531733.8有效
发明人：张博宇;郭玮;张雨;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2014-10-10 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种无需外部磁场的自旋轨道动量矩磁存储器，该存储器SOT-MTJ基于垂直磁各向异性，除了包含有传统MTJ结构中的自由层、隧穿势垒层、参考层和反铁磁金属层，还额外添加了一层非铁磁金属层，并且优化了反铁磁金属层的材料，以及改进了隧穿势垒层的形状；该SOT-MTJ结构从下到上依次为底电极，非铁磁金属层，铁磁金属层一即自由层，楔形隧穿势垒层，铁磁金属层二即参考层，反铁磁金属层及顶电极共七层。
一种无需外部磁场自旋轨道动量矩磁存储器

[发明专利]一种基于反铁磁斯格明子的微波振荡器-CN201910496288.9在审
发明人：沈来川;周艳;夏静;张溪超;赵国平 -专利权人：深圳市思品科技有限公司
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明公开一种基于反铁磁斯格明子的微波振荡器，包括将垂直穿过的电流极化生成极化电流的固定层、设置在固定层下面的隧穿绝缘层和设置在隧穿绝缘层下面的自由层；所述的自由层为承载斯格明子的反铁磁纳米盘，在所述的反铁磁纳米盘露出隧穿绝缘层的部分上覆盖有第二隧穿绝缘层，在所述的第二隧穿绝缘层上覆盖有金属层；在金属层与反铁磁纳米盘之间引出微波振荡器的输出振荡信号。本发明提出的振荡器用反铁磁纳米盘去承载斯格明子，振荡频率可达到几十GHz。
反铁磁隧穿绝缘层纳米盘斯格微波振荡器固定层金属层自由层承载输出振荡信号垂直穿过极化电流振荡频率振荡器极化覆盖

[实用新型]一种基于反铁磁斯格明子的微波振荡器-CN201920860939.3有效
发明人：沈来川;周艳;夏静;张溪超;赵国平 -专利权人：深圳市思品科技有限公司
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种基于反铁磁斯格明子的微波振荡器，包括将垂直穿过的电流极化生成极化电流的固定层、设置在固定层下面的隧穿绝缘层和设置在隧穿绝缘层下面的自由层；所述的自由层为承载斯格明子的反铁磁纳米盘，在所述的反铁磁纳米盘露出隧穿绝缘层的部分上覆盖有第二隧穿绝缘层，在所述的第二隧穿绝缘层上覆盖有金属层；在金属层与反铁磁纳米盘之间引出微波振荡器的输出振荡信号。本实用新型提出的振荡器用反铁磁纳米盘去承载斯格明子，振荡频率可达到几十GHz。
隧穿绝缘层反铁磁纳米盘斯格本实用新型微波振荡器固定层金属层自由层承载输出振荡信号垂直穿过极化电流振荡频率振荡器极化覆盖

[发明专利]一种磁性隧道结及基于磁性隧道结的NSOT-MRAM装置-CN202010203338.2有效
发明人：贾兴涛;王海伦;蔡小琳;王蕾;武苹苹;曹国华 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10N52/00 文献下载
摘要：一种磁性隧道结及基于磁性隧道结的NSOT‑MRAM装置，包括磁性固定层、反铁磁自由层、绝缘层和缓冲层；绝缘层位于磁性固定层和反铁磁自由层之间，一层缓冲层位于绝缘层与磁性固定层之间，另一缓冲层位于绝缘层与反铁磁自由层之间；磁性固定层和反铁磁自由层的磁化方向垂直指向面外或平行于面内。
一种磁性隧道基于 nsot mram 装置

[发明专利]具有薄膜交换耦合磁性结构件的微波循环器-CN200910208171.2无效
发明人：斯蒂芬·马特 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2009-10-28 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01P1/38 文献下载
摘要：交换耦合结构件包括铁磁层和反铁磁层，所述铁磁层的面内磁化取向为大致围绕循环器，所述反铁磁层与所述铁磁层交换耦合而向所述铁磁层提供交换偏置场。交换耦合结构件连接有多个导电端口。没有外部磁场时，交换耦合结构件的铁磁共振频率取决于铁磁层材料的性质和因铁磁层与反铁磁层交换耦合而生成的交换偏置场的大小。如果使用了可选线圈中的一个或多个，则能通过改变线圈中的电流来改变外加磁场的大小，从而调谐铁磁共振频率。
具有薄膜交换耦合磁性结构件微波循环器

[发明专利]复合磁片及使用该复合磁片的磁介质天线-CN201510779621.9有效
发明人：罗恩慧;金学宽;徐正旭;金晋模;金仁圭 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2015-11-13 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种复合磁片及使用该复合磁片的磁介质天线，所述复合磁片包括使反铁磁层与亚铁磁层接触并设置在反铁磁层与亚铁磁层之间的结合交界面中的图案，因此，由于通过在反铁磁层与亚铁磁层之间的交界面中的交换偏置增加矫顽力而可以增大谐振频率
复合磁片使用介质天线

[发明专利]磁子转移力矩调控的磁子晶体管和磁子存储器等磁子器件-CN202110422281.X在审
发明人：韩秀峰;郭晨阳;严政人;万蔡华 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明涉及磁子转移力矩调控的磁子晶体管和磁子存储器等磁子器件。根据一实施例，一种基于磁子转移力矩的磁子器件可包括：第一自旋霍尔效应层；形成在所述第一自旋霍尔效应层上的第一铁磁绝缘层；形成在所述第一铁磁绝缘层上的反铁磁绝缘层；形成在所述反铁磁绝缘层上的第二铁磁绝缘层；以及形成在所述第二铁磁绝缘层上的第二自旋霍尔效应层。
转移力矩调控晶体管存储器器件

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