“反铁磁”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果722688个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]磁性隧道结结构及其磁性随机存储器-CN202010136585.5在审
发明人：张云森;郭一民;肖荣福;陈峻 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本申请提供一种磁性隧道结结构及其磁性随机存储器，所述磁性隧道结结构的反铁磁层的铁磁超晶格层与参考层结合，形成具有超薄反铁磁层和参考层双层结构，调节所述反铁磁层和所述参考层在垂直方向的饱和磁矩以调节其在所述自由层的漏磁场
磁性隧道结构及其随机存储器

[发明专利]一种磁性存储器的数据写入方法-CN201810186489.4有效
发明人：赵巍胜;王昭昊;王梦醒;蔡文龙 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2018-03-07 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明一种磁性存储器的数据写入方法，在一条重金属条状薄膜或反铁磁条状薄膜上制造多个磁隧道结。每个磁隧道结代表一个存储位元。磁隧道结从下到上由第一铁磁金属，第一氧化物，第二铁磁金属，第一合成反铁磁层和第X顶端电极共五层构成，其中X的值为磁隧道结代表的位元编号；重金属条状薄膜或反铁磁条状薄膜的两端分别镀有第一底端电极和第二底端电极本发明采用自旋转移矩和自旋轨道矩相结合的方式实现数据写入，需要将两条电流分别同时施加于磁隧道结和重金属条状薄膜或反铁磁条状薄膜。仅用其中任何一条电流都无法完成数据写入。
一种磁性存储器数据写入方法

[发明专利]基于磁畴壁驱动型磁隧道结的激活函数发生器及制备方法-CN202110299800.8有效
发明人：邢国忠;刘龙;王迪;林淮;王艳;许晓欣;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于磁畴壁驱动型磁隧道结的激活函数发生器，包括：自旋轨道耦合层，用于产生自旋轨道矩；铁磁自由层，形成在所述自旋轨道耦合层上，用于提供磁畴壁运动轨道；非磁性势垒层，形成在所述铁磁自由层上；铁磁参考层，形成在所述非磁性势垒层上；顶电极，形成在所述铁磁参考层上；反铁磁钉扎层，形成在所述铁磁自由层两端上；左电极和右电极，分别形成在所述反铁磁钉扎层上的两个位置处。
基于磁畴壁驱动隧道激活函数发生器制备方法

[发明专利]Mn－Cu反铁磁磁致伸缩合金-CN200710169036.2无效
发明人：彭文屹;覃金;杨湘杰;章爱生;严明明;雷水金 -专利权人：南昌大学
申请日： 2007-12-26 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： C22C22/00 文献下载
摘要：一种Mn－Cu反铁磁磁致伸缩合金，其特征在于处于反铁磁状态，合金中Mn含量在30％～100％(重量百分数)，可用真空熔炼制备合金；定向凝固、多晶织构及热处理及预压力可提高其磁致伸缩量。本发明Mn－Cu合金系反铁磁磁致伸缩合金，属非铁磁性合金，在多晶状态下的应变可与单晶铁磁性磁致伸缩Fe－Ga合金相媲美(专利公开号02117462.8)。
mn cu 反铁磁磁致伸缩合金

[发明专利]磁性随机存储器的磁性隧道结结构-CN201910677949.8有效
发明人：张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：本申请提供一种磁性随机存储器的磁性隧道结结构，所述磁性隧道结结构的反铁磁层设置两铁磁超晶格层及其之间的垂直各向异性增强层，实现具有面心立方晶体结构的反铁磁层到具有体心立方堆积参考层之间的晶格转换和强铁磁耦合
磁性随机存储器隧道结构

[发明专利]自旋阀磁致电阻传感器以及使用此传感器的磁记录系统-CN96110311.6无效
发明人：小Ｒ·Ｅ·冯塔纳;Ｂ·Ａ·古尔尼;Ｔ·林;Ｖ·Ｓ·施佩里奥苏;Ｃ·Ｈ·曾;Ｄ·Ｒ·韦尔霍特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 1996-06-08 - 公布日： 2001-12-19 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：自旋阀磁致电阻（ＳＶＭＲ）传感器用与改进的反铁磁性（ＡＦ）交换偏磁层组合的叠层反平行（ＡＰ）钉扎层，其中包括由非磁性耦合膜隔开的两层铁磁膜，其磁化以反平行取向反铁磁地强耦合起来。在旋转ＳＶＭＲ传感器的自由层所需的弱场内此叠层ＡＰ钉扎层是磁刚性的，其中两铁磁层磁矩接近相同时，钉扎层净磁矩较小。交换场较大，因其反比于净磁矩。
自旋致电传感器以及使用记录系统

[发明专利]MTJ器件-CN201911270954.3有效
发明人：孙一慧 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明提供一种MTJ器件，包括：层叠设置的参考层、势垒层、自由层、反铁磁层、第一耦合层、自旋极化层和覆盖层，其中，所述参考层具有与所述参考层的平面大致垂直的固定磁化；所述自由层具有与所述自由层的平面大致垂直的磁化且磁化方向可在大致平行于所述参考层的磁化方向与大致反平行于所述参考层的磁化方向之间转换；所述自旋极化层具有与所述自旋极化层的平面大致垂直的固定磁化；所述反铁磁层和所述自由层接触，形成一反铁磁/铁磁界面。
mtj 器件

[发明专利]相变温度和矫顽力都可调的磁存储介质薄膜及其制作方法-CN201410598581.3在审
发明人：李国庆;谭兴文;林跃强 -专利权人：西南大学
申请日： 2014-10-29 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： G11B5/851 文献下载
摘要：一种反铁磁-铁磁相变温度和矫顽力都可调的FePt/FeRh双层复合薄膜即制备方法，采用MgO(001)作为基板，通过溅射靶控制Fe和Pt的生长速率，将FePt层的Fe原子Pt原子的比例严格控制在1:1。制备方法还通过真空热处理使FePt薄膜发生不同程度的A1→L1₀转变，连续保温24h使FeRh层转变为有序的B2相，最终获得反铁磁-铁磁相变温度和矫顽力都可调的FePt/FeRh双层复合薄膜，用于制作热辅助复合磁存储介质，能够有效降低写入磁场，并提高数据保存时的稳定性。本发明的制备方法简单、制备材料性能好，极适合于反铁磁-铁磁相变温度和矫顽力都可调的FePt/FeRh双层复合薄膜的制备。
相变温度矫顽力可调存储介质薄膜及其制作方法

[发明专利]具有热辅助写入的磁元件-CN200810178903.3有效
发明人：卢西恩·普雷日贝亚努;塞西尔·莫努里;贝纳德·迪耶尼;克拉里斯·迪克吕埃;里卡多·索萨 -专利权人：原子能委员会
申请日： 2008-11-27 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有利用场或自旋转移的具有热辅助写入的磁元件，包括：称为“限制层”的磁基准层，该磁基准层的磁化方向为固定方向；称为“自由层”的磁存储层(40)，其具有不同磁化方向并由层(47)构成，层(47)由在该层平面内具有磁化作用的铁磁材料制成并且磁性耦合由反铁磁材料制成的磁化限制层；夹在基准层和存储层之间的半导体或限制电流通路绝缘层(42)。将分别由非晶或准非晶材料(45)和具有与所述反铁磁层相同的结构或晶格的材料(46)构成的一个或多个双层置于接触导体或限制电流通路绝缘层(42)的铁磁层(47)与反铁磁层(41)之间的存储层中。
具有辅助写入元件

[发明专利]一种MnFeCu三元反铁磁形状记忆合金薄膜的制备方法-CN201410829452.0有效
发明人：黄冠麟;崔书山;林木;黎雨;万见峰 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2014-12-22 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种MnFeCu三元反铁磁形状记忆合金薄膜的制备方法。本发明的MnFeCu三元反铁磁形状记忆合金薄膜的制备方法，包括以下步骤：a.将MnFeCu三元合金作为靶材安装在磁控溅射设备的靶位上；b.将衬底置于真空室样品台上，抽真空至真空度为1.0×10^{sup>Pa，使衬底的温度为室温～700K，在溅射功率为60W～140W，靶材与衬底的间距为40mm-80mm的条件下溅射沉积MnFeCu薄膜，溅射完成后，在高真空下冷却至室温，即可制得MnFeCu三元反铁磁形状记忆合金薄膜与现有技术相比，本发明的MnFeCu三元反铁磁形状记忆合金薄膜的制备方法简单，原材料成本低，使得MnFeCu三元反铁磁形状记忆合金薄膜的生产成本低。}
一种 mnfecu 三元反铁磁形状记忆合金薄膜制备方法

[发明专利]一种双交换偏置场型自旋阀-CN200810045689.4无效
发明人：唐晓莉;张怀武;苏桦;钟智勇;荆玉兰 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2008-07-30 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供的一种双交换偏置场型自旋阀，其中双交换偏置场型自旋阀结构由基片/缓冲层/反铁磁层AFM1/铁磁层F1/隔离层/铁磁层F2/反铁磁层AFM2/覆盖层构成；反铁磁AFM1/铁磁层F1之间产生一沿膜面的交换偏置场H_ex1；反铁磁AFM2/铁磁层F2之间也产生一沿膜面的交换偏置场H_ex2；但交换偏置场H_ex1、H_ex2的方向正好相反
一种交换偏置自旋

[发明专利]一种铁电异质结及其制备方法和电控微波电子元器件-CN201711079721.6有效
发明人：代波;李俊;任勇 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2017-11-06 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L41/083 文献下载
摘要：本发明提供了一种铁电异质结及其制备方法和电控微波电子元器件。所述铁电异质结包括顺序接触的电极层、压电基底层、缓冲层、交换偏置多层膜和保护层，其中，所述交换偏置多层膜为[铁磁层/反铁磁层]N，N为周期数，且N≥2，所述铁磁层为磁致伸缩系数较小的铁磁性材料本发明能够提供一种新型的含有铁磁/反铁磁交换偏置多层膜的铁电异质结；还能够对磁致伸缩系数较小的磁性薄膜高频性能进行大范围调节，进而获得良好的高频磁性的铁电异质结。本发明的铁电异质结具有广泛的用途，例如，可可用于新一代的电控微波电子元器件。
一种铁电异质结及其制备方法微波电子元器件

[发明专利]基于多铁性反铁磁体中的压控磁振子传输的自旋晶体管-CN202180018512.9在审
发明人： C-B·严;南天翔;J·沙德 -专利权人：威斯康星州男校友研究基金会
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：在自旋晶体管中，自旋电流经由磁振子传播通过多铁性反铁磁通道从自旋注入触点传输到自旋检测触点。自旋电流传输通过施加增加多铁性反铁磁材料的畴边界数量的栅极电压来调制。
基于多铁性反铁磁体中的压控磁振子传输自旋晶体管

[发明专利]一种垂直磁化反铁磁磁随机存储器存储单元-CN201910402222.9有效
发明人：潘礼庆;易立志;刘敏;肖强;许云丽;杨栋超;黄秀峰;朴红光;杨先卫;谭超 -专利权人：三峡大学
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：一种垂直磁化反铁磁磁随机存储器存储单元，它包括反铁磁层、重金属层、以及与重金属层连接的第一组端点以及第二组端点，第一组端点用于连接脉冲电流源，第二组端点用于连接电压源。本发明目的是为了进一步提高传统磁存储器的磁矩翻转速度和存储稳定性，而提供一种基于反铁磁材料的存储器单元。
一种垂直磁化反铁磁磁随机存储器存储单元

[发明专利]一种基于垂直交换偏置的自旋逻辑器件及其调控方法-CN202211483598.5在审
发明人：唐晓莉;施国鹏;郭磊;姜杰 -专利权人：电子科技大学;上海麦歌恩微电子股份有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：本发明采用铁磁/反铁磁双层垂直交换偏置结构制备自旋逻辑器件，利用自旋轨道矩效应，通过输入电流在重金属层中产生自旋极化流，从而调制铁磁层/反铁磁双层膜中交换偏置场，通过结构中反常霍尔电压的测试，且配合沿单元长轴方向自旋轨道矩注入电流大小的改变本发明不但实现基于反铁磁材料的新型自旋逻辑器件，且具有更强的抗外磁场干扰能力、开关电流密度低、结构简单、与MRAM工艺兼容等优点。
一种基于垂直交换偏置自旋逻辑器件及其调控方法

首页
«上一页
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
下一页»
尾页
共 100000 条