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[发明专利]半导体装置-CN201810648520.1有效
发明人：内藤达也 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，具备：形成在半导体基板的漂移区、在半导体基板的上表面延伸而设置的栅极沟槽部、分别与栅极沟槽部的一侧和另一侧邻接的第一台面部和第二台面部、在第一台面部中设置在漂移区的上方的积累区、在第一台面部中设置在积累区的上方的基区、在第一台面部中设置在基区与半导体基板的上表面之间的发射极区、在第二台面部中设置在漂移区的上方的中间区、以及在第二台面部的上表面设置在中间区的上方的接触区，栅极沟槽部具有栅极导电部，栅极导电部的底部在与第一台面部相对的一侧和与第二台面部相对的一侧分别具有第一台阶和第二台阶，中间区的至少一部分设置在台阶与栅极沟槽部的底部之间。
半导体装置

[发明专利]一种可降低VF的IGBT芯片及其制作方法-CN202311158549.9在审
发明人：彭贤春;刘坤;滕渊;刘杰 -专利权人：深圳芯能半导体技术有限公司
申请日： 2023-09-08 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种可降低VF的IGBT芯片及其制作方法，该IGBT芯片包括顶层金属层、N+发射极、P型体区、CS层、P型掺杂区、N‑Sub、N型场终止区以及P+集电极；其中，通过调节P型掺杂区和CS层浓度以降低芯片正向导通压降VF。本发明在栅极沟槽底部引入P型掺杂区，通过调节P型掺杂区浓度，不影响器件击穿电压下增加CS层浓度，减小器件VF，降低静态导通损耗，减小沟槽底部电场强度，提升了栅氧可靠性。
一种降低 vf igbt 芯片及其制作方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110790428.0有效
发明人：李宗翰;廖君玮 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：衬底；栅极结构，所述栅极结构位于所述衬底上；多个掺杂区，位于所述衬底内，且位于所述栅极结构的两侧；所述掺杂区包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区掺杂离子的浓度大于所述第二掺杂区掺杂离子的浓度；所述第一掺杂区远离所述栅极结构的侧壁；电接触层，所述电接触层与所述第一掺杂区远离所述栅极结构的侧壁相接触，且所述电接触层的顶面高于所述衬底的表面；介质层，所述介质层填充于所述电接触层和所述栅极结构之间。本发明实施例有利于提高半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]用于激光溅射阻挡的硅掺杂-CN201911243106.3有效
发明人： A·O·埃斯皮纳 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本申请案涉及用于激光溅射阻挡的硅掺杂。在一个实施例中，一种半导体装置包含硅层和具有多个半导体装置的电路层。经掺杂硅区形成于所述硅层的上面沉积有所述电路层的前侧上。所述经掺杂硅区定位于所述电路层下方。所述经掺杂硅区具有至少1015cm‑3的掺杂剂浓度。
用于激光溅射阻挡掺杂

[发明专利]半导体器件、集成电路以及用于制作半导体器件的方法-CN202210142585.5在审
发明人：刘家甫;唐龙谷;高云斌;胡朗;王欣 -专利权人：华为数字能源技术有限公司
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件、集成电路以及用于制作半导体器件的方法。半导体器件包括半导体衬底。半导体衬底的一侧设置有半导体外延层。半导体外延层远离半导体衬底的一侧设置有金属层。半导体外延层远离半导体衬底的一侧具有掺杂区。金属层与掺杂区接触。掺杂区包括第一掺杂区和第二掺杂区。第一掺杂区设置于第二掺杂区靠近半导体衬底的一侧，且第一掺杂区包覆第二掺杂区。第二掺杂区包括沟槽，沟槽设置于半导体外延层远离半导体衬底的一侧表面。第一掺杂区与第二掺杂区均为P型掺杂区或N型掺杂区，且第二掺杂区的掺杂浓度大于第一掺杂区的掺杂浓度。第二掺杂区的掺杂浓度可以单独调节，从而可以改善欧姆接触特性，而不影响其他区域的表面状态。
半导体器件集成电路以及用于制作方法

[实用新型]微沟槽栅IGBT器件-CN202223372803.9有效
发明人：朱辉;潘恒;肖秀光 -专利权人：安徽瑞迪微电子有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微沟槽栅IGBT器件，包括P+区域、源极掺杂区域和栅极，源极掺杂区域位于栅极的两侧，源极掺杂区域与P+区域分别位于接触孔的两侧。本实用新型的微沟槽栅IGBT器件，P+区域的引入能够极大的降低接触孔与肼区之间的P型接触电阻，给空穴电流提供了专有过流通道，P+区域的引入能够降低经过源极下方的空穴电流大小，提高器件的RBSOA能力。
沟槽 igbt 器件

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202310139893.7在审
发明人：曹俊;戴竝盈;陆涵蔚 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，包括：衬底，所述衬底内具有若干浅沟槽隔离结构；若干第一掺杂区，位于所述衬底内，每个所述第一掺杂区的边缘与相邻的所述浅沟槽隔离结构的一侧重合，所述第一掺杂区的导电类型与所述衬底的导电类型相同，所述第一掺杂区的离子掺杂浓度大于所述衬底的离子掺杂浓度；介质层，覆盖所述浅沟槽隔离结构及所述衬底；若干插塞，位于所述介质层内，且每个所述插塞均覆盖相应的所述第一掺杂区及所述浅沟槽隔离结构的部分表面，所述第一掺杂区可以在所述衬底内形成一个较大的势垒，阻止所述插塞、所述衬底及所述浅沟槽隔离结构交界处的漏电流流入所述衬底内，进而避免漏电导致的器件失效。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]载流子迁移率增强的金刚石场效应晶体管及其制备方法-CN202211599409.0在审
发明人：王玮;牛田林;梁月松;陈根强;方培杨;冯永昌;熊义承;王艳丰;林芳;张明辉;问峰;卜忍安;王宏兴;侯洵 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种载流子迁移率增强的金刚石场效应晶体管及其制备方法，所述金刚石场效应晶体管包括：金刚石衬底上设置有单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜设置有第一重掺杂金刚石薄膜区域和第二重掺杂金刚石薄膜区域；在第一重掺杂金刚石薄膜区域、第二重掺杂金刚石薄膜区域以及二者之间的单晶金刚石外延薄膜表面设置有氢终端区域，在其余外延薄膜表面设置有氧终端区域；源电极和漏电极均设置于沟道区域上；源电极、漏电极以及二者之间的沟道区域上设置有栅介质层，栅电极设置在栅介质层和氧终端区域上。本发明在单晶金刚石薄膜中形成重掺杂金刚石薄膜，可提高空穴的迁移率。
载流子迁移率增强金刚石场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310093847.8在审
发明人：吴健;邬瑞彬 -专利权人：上海鼎泰匠芯科技有限公司
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，一种半导体器件包括衬底、埋层、第一阱区、第二阱区、第一电极引出区、基极引出区、第二电极引出区以及多个轻掺杂区。埋层形成于衬底内，第一阱区设于埋层的上表层，第二阱区设于埋层的上表层，且与第一阱区间隔设置；第一电极引出区和基极引出区均形成于第一阱区的上表层内，且彼此电隔离设置；第二电极引出区形成于第二阱区的上表层内，多个轻掺杂区包括第一轻掺杂区和第二轻掺杂区，第一轻掺杂区位于第一电极引出区和基极引出区之间，第二轻掺杂区位于基极引出区和第二电极引出区之间。其中，轻掺杂区的掺杂浓度小于第一阱区的掺杂浓度。可有效提高半导体器件的击穿电压，以满足用户的使用需求。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种低漏电晶体管结构及其制作方法-CN202310166518.1在审
发明人：李照;侯斌;赵帆;杨晓文;程鹏刚;胡长青;姚军;刘威;黄山圃 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种低漏电晶体管结构及其制作方法，包括衬底和设置于衬底上的外延层，所述外延层内设置有基区，所述基区内部设置有发射区，发射区周围且位于基区上部区域，以及外延层靠近基区的顶部区域设置有浓基区；所述浓基区和基区共同构成的边界为阶梯状结构。本申请通过设置浓基区，能够降低基区的表面反型，避免了表面漏电通道的形成，同时，浓基区能够增大主结区的整体斜率半径，抑制了主结边缘的电场集中，从而进一步减小了主结边缘处的漏电产生，最后，本申请能够在基本不改变芯片面积的情况下，可显著降低晶体管的反向漏电流，提升芯片性能。
一种漏电晶体管结构及其制作方法

[发明专利]薄膜晶体管、显示面板及薄膜晶体管的制备方法-CN202211506816.2在审
发明人：陈发祥;刘雪;王德坚;马应海;邢汝博;李俊峰 -专利权人：云谷（固安）科技有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种薄膜晶体管、显示面板及薄膜晶体管的制备方法，薄膜晶体管包括：基底；有源层，形成于基底上；栅极绝缘层，位于有源层背离基底的一侧；栅电极，位于栅极绝缘层背离有源层的一侧，其中，在由栅极绝缘层至基底的方向上，至少部分区域的有源层的注入离子浓度具有减小的趋势，且栅极绝缘层的注入离子浓度小于有源层的注入离子浓度。本申请能够改善有薄膜晶体管驱动迟滞导致的显示残影问题。
薄膜晶体管显示面板制备方法

[发明专利]一种快恢复二极管芯片及其制备方法-CN202211470523.3在审
发明人：李浩;马文力;杨梦凡 -专利权人：扬州国宇电子有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本发明公开了半导体功率器件技术领域内的一种快恢复二极管芯片及其制备方法。该芯片包括：N型硅衬底；N型外延层，N型外延层设置于N型硅衬底上方；P型外延层，P型外延层设置于N型外延层上方，P型外延层从下至上依次由P型外延层一、高缺陷薄层和P型外延层二组成，高缺陷薄层包括P型掺杂和N型掺杂；其中，N型硅衬底、N型外延层、P型外延层中均掺杂有铂杂质，铂杂质在高缺陷薄层处富集。由于缺陷处结合能较低，铂杂质会更多地富集在高缺陷薄层附近，导致铂杂质在轴向的非均匀分布，从而使得该二极管芯片具有更小的正向导通压降和更小的反向恢复电流。
一种恢复二极管芯片及其制备方法

[发明专利]逆导型IGBT器件及其形成方法-CN202211491918.1在审
发明人：陈思彤;潘嘉;杨继业 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种逆导型IGBT器件及其形成方法，该器件包括：衬底，衬底中形成有第一栅极和第二栅极，衬底表面，以及第一栅极、第二栅极和衬底之间形成有栅介质层；衬底的正面至第一深度形成有第一掺杂区，衬底的正面至第二深度形成有第一重掺杂区，第二重掺杂区中形成有第三重掺杂区和第四重掺杂区，衬底的背面至第三深度形成有第二掺杂区，衬底的背面至第四深度形成有第二重掺杂区，第二深度小于第一深度，第四深度小于第三深度；第一栅极和第二栅极之间的衬底中形成有柱形掺杂区，柱形掺杂区的底部低于第一栅极和第二栅极的底部，柱形掺杂区的顶部低于第一栅极和所述第二栅极的顶部。
逆导型 igbt 器件及其形成方法

[发明专利]一种P型场效应晶体管及其制作方法-CN202211641097.5在审
发明人：徐伟天 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制作领域，公开了一种P型场效应晶体管及其制作方法，包括步骤S1：在衬底上对应源区、漏区的凹槽中生长掺杂锗的主体层；步骤S2：根据预设盖帽层厚度在主体层上表面生长盖帽层，得到当前制作的P型场效应晶体管；预设盖帽层厚度为主体层厚度的28％～40％；步骤S3：获得盖帽层的实际生长厚度；步骤S4：根据实际生长厚度和预设经验模型，确定制作下一批P型场效应晶体管的主体层的锗掺杂浓度，并进入步骤S1；预设经验模型为主体层允许临界厚度与锗掺杂浓度的模型。通过增加盖帽层厚度，在主体层允许临界厚度下，增大主体层掺杂浓度，进而提升电性能。由当前生长的盖帽层厚度优化下一批掺杂浓度，增加工艺控制稳定性。
一种场效应晶体管及其制作方法

[发明专利]IGBT器件及其制作方法-CN202211491920.9在审
发明人：陈思彤;潘嘉;杨继业 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种IGBT器件及其制作方法，该器件包括：衬底，衬底中形成有第一栅极和第二栅极，衬底表面，以及第一栅极、第二栅极和衬底之间形成有栅介质层；衬底的正面至第一深度形成有第一掺杂区，衬底的正面至第二深度形成有第一重掺杂区，衬底的背面至第三深度形成有第二掺杂区，衬底的背面至第四深度形成有第二重掺杂区，第二深度小于第一深度，第四深度小于第三深度；第一栅极和第二栅极之间形成柱形掺杂区，柱形掺杂区的底部低于第一栅极和第二栅极的底部，柱形掺杂区的顶部低于第一栅极和所述第二栅极的顶部。本申请通过在IGBT器件的第一栅极和第二栅极之间下方的台面区域形成柱形掺杂区，从而将漂移区电场转变为沿垂直方向的近均匀分布，提高了器件的电学性能。
igbt 器件及其制作方法

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