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[发明专利]一种晶圆的键合方法-CN202210617812.5在审
发明人：王荣栋;杨云春;陆原;张拴 -专利权人：北京海创微芯科技有限公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆的键合方法，通过将第一晶圆的电极端面上喷涂含有导电粒子的胶剂，再将第一晶圆和第二晶圆粘合紧固，使第一晶圆和第二晶圆在被粘合紧固后，晶圆上器件的键合面能够通过导电粒子电性导通，与硅‑硅键合和共晶键合相比整体过程更简单快捷，整个键合过程无需对晶圆进行抛光处理，也无需在键合的过程中进行高温退火处理，进而提高了晶圆键合的工艺质量。
一种方法

[发明专利]晶圆键合方法-CN202111115366.X在审
发明人：薛晓晨 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆键合方法。所述晶圆键合方法中，在第n晶圆的正面临时键合承载基板，并在背面的导通孔工艺以及与第(n‑1)晶圆的键合工艺结束之后，将承载基板移除，并将第n晶圆的正面和第(n+1)晶圆键合，其中，在临时键合承载基板时，第n晶圆上的正面键合端子被保护层覆盖，这样在移除承载基板后，所述正面键合端子仍覆盖有所述保护层，可以保护正面键合端子避免被污染以及损耗，有助于提高三维集成键合晶圆的可靠性。
晶圆键合方法

[发明专利]测试片及其制造方法和晶圆键合缺陷的检测方法-CN201910891622.0有效
发明人：姚佳辉 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供了一种测试片及其制造方法和晶圆键合缺陷的检测方法以及半导体器件的制造方法，通过将测试片和第二晶圆放置在晶圆键合机台上进行键合，以形成晶圆键合结构，且所述测试片上的键合图形位于所述晶圆键合结构的顶表面；以及，扫描所述晶圆键合结构的顶表面的所述键合图形，并根据所述扫描的结果以及所述测试片上的键合图形的前值坐标，获得所述晶圆键合结构中的变形缺陷的分布情况，使得能够快速且准确地检测晶圆键合机台的变形参数是否出现异常
测试及其制造方法晶圆键合缺陷检测

[发明专利]键合晶圆制作方法-CN201610545388.2在审
发明人：邹文;胡胜;王喜龙 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2016-07-12 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种键合晶圆制作方法，包括如下步骤：提供第一晶圆和第二晶圆，并在所述第一晶圆的第一面与所述第二晶圆的第一面进行键合工艺形成键合晶圆；在所述键合晶圆的第二晶圆的第二面形成保护层；以及在所述键合晶圆的第二晶圆的第二面进行后续工艺本发明所提供的键合晶圆制作方法通过在键合晶圆表面沉积氮化物或氮氧化物的保护层，防止后续工艺中键合晶圆上器件结构受到的等离子体损伤。
键合晶圆制作方法

[发明专利]一种基于磁对准的全自动晶圆键合机-CN202210346814.5在审
发明人：叶乐志;常悦;宋宣颉 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于磁对准的全自动晶圆键合机，具有晶圆装载模块、晶圆缓存和预对准模块、晶圆键合模块，各模块间设有传输用干机械手。上下键合晶圆通过干机械手转运，在各模块经过取出、预对准、键合、缓存、放回过程完成键合，高自动化。整个工艺在封闭外罩内进行，保证无尘键合环境，降低晶圆污染的风险。本发明在晶圆键合模块设有磁传感器，磁传感器能在μm级距离下对晶圆对准，并在键合后直接进行键合精度检测。本发明键合模块与晶圆承片台Z向距离为5～10μm，避免了键合模块的大行程位移，提高晶圆键合的精度与效率。
一种基于对准全自动晶圆键合机

[发明专利]芯片晶圆键合结构及键合方法-CN202310579092.2在审
发明人：蓝天;丁潇 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片晶圆键合结构及键合方法。所述芯片晶圆键合结构包括：基底晶圆，具有第一表面，在所述第一表面设置有第一键合柱；键合层，位于所述基底晶圆的第一表面，所述键合层包括至少一键合槽，所述第一键合柱位于所述键合槽底部；至少一芯片，位于所述键合槽内，所述芯片朝向所述基底晶圆的表面具有第二键合柱，所述第一键合柱与所述第二键合柱键合连接。上述技术方案通过设置所述键合层及键合槽，在晶圆键合时无需对准晶圆标记，仅需将所述芯片放置于所述键合槽中，并在所述基底晶圆及所述芯片的表面设置所述第一键合柱及所述第二键合柱，通过所述第一键合柱及所述第二键合柱完成所述基底晶圆及所述芯片的键合，提高键合效率。
芯片晶圆键合结构方法

[实用新型]一种用于晶圆键合的键合盘及装置-CN202223584965.9有效
发明人：李育超 -专利权人：无锡辰之创电子科技有限公司
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于晶圆键合的键合盘及装置，属于晶圆键合领域，所述用于晶圆键合的键合盘包括上键合盘主体和设在所述上键合盘主体下方的下键合盘主体，所述上键合盘主体和下键合盘主体均包括吸附座，所述吸附座上设有吸附盘，所述吸附盘上开设有若干个晶圆吸附孔，所述吸附座上设有真空吸附机构，所述下键合盘主体上位于吸附盘外侧设有环形键合圈，本实用新型通过真空吸附机构配合晶圆吸附孔，使得晶圆吸附孔内形成负压，方便对晶圆进行吸附固定，方便对上键合盘主体和下键合盘主体上吸附盘安装的晶圆的固定作业，便于后续晶圆的键合。
一种用于晶圆键合键合盘装置

[发明专利]MEMS器件的制备方法及MEMS晶圆-CN202211739967.2在审
发明人：王红海 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本申请实施例涉及一种MEMS器件的制备方法及MEMS晶圆，其中，该方法包括：提供第一晶圆，其待键合面上形成有第一对准标记和第一键合标记；提供第二晶圆；在第二晶圆的待键合面上形成第二对准标记和第二键合标记；第二对准标记从第二晶圆的待键合面延伸至第二晶圆的内部，第二对准标记具有位于第二晶圆的待键合面上的第一端和位于第二晶圆内部的第二端；以第一晶圆的待键合面朝向第二晶圆的待键合面且第一键合标记和第二键合标记彼此对准的方式，将第二晶圆键合在第一晶圆上；去除部分第二晶圆，以使第二对准标记的第二端暴露；如此，避免了晶圆上有效面积损失，也避免了箭影问题，提高了晶圆上实际有效管芯的数量。
mems 器件制备方法晶圆

[发明专利]一种键合结构及其制造方法-CN202010115670.3在审
发明人：占迪;刘天建;胡杏;郭万里 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明提供一种键合结构及其制造方法，在底层结构的正面形成有混合键合结构，在待键合的第二晶圆结构的背面预先形成背连线以及混合键合结构，通过第二晶圆结构背面的混合键合结构以及底层结构正面的混合键合结构实现晶圆结构的键合，在需要键合多个第二晶圆结构时，在已键合的第二晶圆结构的正面形成混合键合结构，实现多个第二晶圆结构的键合。该方法通过预先在待键合的第二晶圆结构的背面形成背连线结构以及混合键合结构，降低器件失效的风险，并且制造时间短、生产效率高。
一种结构及其制造方法

[实用新型]一种晶圆键合的检测装置-CN202320937066.8有效
发明人：马双义;王晨;李璇 -专利权人：拓荆键科（海宁）半导体设备有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆键合的检测装置。该检测装置包括：照明系统，位于待键合晶圆的第一侧，其中配置有第一物镜，用于会聚该照明系统输出的检测光线至该待键合晶圆；透明卡盘，设于该待键合晶圆的该第一侧，其中，该透明卡盘的上表面的中心区域和外缘包括多条气槽，用以吸附该待键合晶圆；以及图像采集装置，位于该待键合晶圆的第二侧，用于获取穿透该待键合晶圆的检测光线，以形成指示晶圆键合结果的检测图像。上述检测装置能够获取到待键合晶圆上所有用于指示晶圆位置的定位检测标记，并且不会受到晶圆表面反射光的干扰，不仅提升了晶圆键合的对准精度，而且进一步保证了检测精度和检测效率。
一种晶圆键合检测装置

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201610216862.7在审
发明人：李海艇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-04-08 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括提供具有第一待键合面的晶圆，晶圆内形成有射频器件；提供具有第二待键合面的载体晶圆；对第二待键合面进行表面处理，将部分厚度的载体晶圆转化为阻挡层；使第一待键合面与第二待键合面相接触，实现晶圆和载体晶圆的键合，阻挡层用于抑制键合后载体晶圆内的感应电荷发生移动。晶圆内的射频器件形成电场，电场容易使载体晶圆形成感应电荷，本发明通过对载体晶圆的第二待键合面进行表面处理，将部分厚度的载体晶圆转化为阻挡层，阻挡层可以抑制键合后载体晶圆内的感应电荷发生移动，避免感应电荷在晶圆和载体晶圆之间发生移动，从而可以避免射频信号能量的损失，进而改善键合后的芯片的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种键合晶圆的配对方法及系统-CN201711124994.8有效
发明人：叶国梁 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种键合晶圆的配对方法及系统，属于半导体制造技术领域，包括以下步骤：收集所有待键合的晶圆的历史检测数据，历史检测数据包括晶圆的标识信息和晶圆上的晶粒的状态信息；根据历史检测数据预测所有待键合的晶圆不同组合的良率；根据最优的组合的标识信息提取出相应的晶圆，并对提取的晶圆进行键合。上述技术方案的有益效果是：在晶圆键合前，对待键合的晶圆进行配对，以尽量保证待键合的两个晶圆的缺陷处对应，从而避免待键合的两个晶圆的缺陷区域交叉影响，进行提高最终生产芯片的良率。
一种键合晶圆配对方法系统

[发明专利]一种降低晶圆键合边缘扭曲度的方法-CN201811401688.9有效
发明人：郝林坡;郭万里 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开一种降低晶圆键合边缘扭曲度的方法，用于晶圆键合工艺中，其中包括：提供一具有芯片的器件晶圆与一承载晶圆；通过一夹具夹持叠置的器件晶圆及承载晶圆的边缘，并通过施加预设压力至器件晶圆与承载晶圆的中心区域上，进行晶圆键合工艺，以形成键合晶圆；根据器件晶圆上的芯片数量，控制夹具的释放时间。本发明的技术方案有益效果在于：在晶圆键合的过程中，根据器件晶圆上的芯片数量，控制夹具的释放时间，从而降低键合晶圆的边缘的扭曲度，提高后续光刻制程或刻蚀制程穿透晶圆的对准精度，进一步提高键合晶圆的产品性能
一种降低晶圆键合边缘扭曲方法

[发明专利]一种晶圆低温键合系统及键合方法-CN202010956309.3在审
发明人：司伟;刘效岩 -专利权人：北京华卓精科科技股份有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆低温键合系统及键合方法，所述键合系统包括：传输模块、等离子活化模块，清洗亲水模块，对准键合模块；传输模块用于存放及传输晶圆，并与控制系统相连，实现自动化生产；等离子活化模块采用等离子体对晶圆表面进行活化处理，增加晶圆表面的悬挂键；清洗亲水模块用于对经过等离子活化处理后的晶圆表面进行亲水处理，使悬挂键转化为羟基，同时对晶圆表面进行清洗防止大颗粒污染；对准键合模块用于对经过等离子活化和亲水处理的两张晶圆进行对准，完成对准之后进行晶圆键合，经过键合后的两张晶圆形成晶圆对。本发明的晶圆低温键合系统中可以在低温低压的情况下完成键合所需的全部工艺，克服了高温键合工艺的缺陷。
一种低温系统方法

[发明专利]晶圆键合方法及晶圆键合系统-CN202011496678.5在审
发明人：张银;郭万里;周云鹏 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆键合方法和晶圆键合系统，由于两个晶圆之间的键合工艺参数是根据晶圆的半径、键合波的传播速度以及两个晶圆之间的距离而精准的计算出的，使得键合过程可控化，有利于改善键合晶圆的扭曲度过大的问题
晶圆键合方法系统

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