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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201810690827.8有效
发明人：森山卓史;利根川丘 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本申请涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件及一种制造半导体器件的方法，该方法确保提高的可靠性，允许进一步小型化，以及抑制在制造成本上的增加。该半导体器件包括：在在半导体衬底的上方形成的多层布线层的最上层布线层中形成的焊盘电极；以覆盖该焊盘电极的方式形成的表面保护膜；在所述表面保护膜中以部分暴露所述焊盘电极的方式形成的开口；以及，在暴露于开口底部处的焊盘电极上方形成导电层。在焊盘电极上方形成的导电层的厚度小于在焊盘电极上方形成的表面保护膜的厚度。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]用于先进封装应用的再分布层形成的方法-CN201880039885.2有效
发明人：陈翰文;史蒂文·韦尔韦贝克;罗曼·古科;关惠见;于谷;阿尔文·桑德拉扬 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-06-06 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式总体描述使用压印光刻形成一个或多个装置端子再分布层的方法。本文公开的方法使得能够以低于常规光刻和蚀刻工艺的成本形成高深宽比的互连结构。另外，本文所述的工艺和方法令人满意地去除、减少和/或大体上消除在聚合物沉积工艺期间或在聚合物沉积工艺之后形成的周围聚合物层中的空隙。
用于先进封装应用再分形成方法

[发明专利]存储器的焊盘结构及其制造方法-CN201810328852.1有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本申请涉及存储器领域，公开了存储器的焊盘结构及其制造方法。焊盘结构可以包括底垫金属，形成在衬底上；多个第一导体栓塞，设置在所述底垫金属的周边区上；中间层缓冲垫，有间隔地对准并位于所述底垫金属上，所述第一导体栓塞纵向连接所述底垫金属与所述中间层缓冲垫；多个第二导体栓塞，设置在所述中间层缓冲垫的周边区上；以及表面接合垫，有间隔地对准并位于所述中间层缓冲垫上，所述第二导体栓塞纵向连接所述中间层缓冲垫与所述表面接合垫；其中，所述中间层缓冲垫为网状结构，所述第一导体栓塞和所述第二导体栓塞相对偏离所述中间层缓冲垫的中央区的纵向投射区域。本申请提供的焊盘结构能够更好地释放键合应力。
存储器盘结及其制造方法

[发明专利]晶圆基板布线方法、装置及可读存储介质-CN202311102899.3在审
发明人：叶德好;万智泉;邓庆文 -专利权人：之江实验室
申请日： 2023-08-30 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本申请涉及一种晶圆基板布线方法、装置及可读存储介质，应用于晶上系统，晶上系统包括依次连接的标准预制件、晶圆基板和芯片配置基板，晶圆基板包括多个重布线层；该方法包括：获取微凸点阵列中各微凸点的位置信息、与各微凸点分别连接的标准预制件管脚的功能信息，以及微焊盘阵列中各微焊盘的位置信息、与各微焊盘分别连接的芯片配置基板管脚的功能信息；基于各微凸点的位置信息和对应的功能信息，以及与微凸点对应的微焊盘的位置信息，生成各微凸点、微焊盘对应的布线路径和通孔，以连接微凸点与对应的微焊盘，微焊盘对应的功能信息与微凸点对应的功能信息相同，实现晶圆基板的自动绕线，解决了缺少晶圆基板自动布线方法的问题。
晶圆基板布线方法装置可读存储介质

[发明专利]具有超薄衬底的芯片级封装（CSP）半导体器件-CN202210288050.9在审
发明人：吕琳;周曙华;王隆庆;鲁军 -专利权人：万国半导体国际有限合伙公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：一种半导体CSP器件，包括半导体衬底、多个金属层、塑封复合层和多个接触垫。半导体衬底的厚度在15微米至35微米的范围内。塑封复合层的厚度大于半导体衬底的厚度。塑封复合层的热膨胀系数小于或等于9ppm/℃。塑封复合层的玻璃化转变温度大于150℃。多个金属层包括第一钛层、第一镍层、银层、第二镍层和金属层。在第一示例中，金属层是第二钛层。在第二个示例中，金属层是氮化钛(TiN)层。
具有超薄衬底芯片级封装 csp 半导体器件

[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN202210780983.X在审
发明人：井上绘美子;岸田基也;早濑茂昭;前多和诗 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够抑制半绝缘性膜的导电率的上升的半导体装置和半导体装置的制造方法。根据一个实施方式，半导体装置具有半导体层、导电膜、第一绝缘膜以及第二绝缘膜。半导体层具有设置有半导体元件的元件区域和包围所述元件区域的末端区域。导电膜设置在所述元件区域上和所述末端区域上。第一绝缘膜在所述末端区域上以及所述元件区域的与所述末端区域相邻的部分上设置在所述导电膜上。所述第二绝缘膜设置在所述第一绝缘膜上，具有比所述第一绝缘膜的电阻率低且比所述导电膜的电阻率高的电阻率。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201910604143.6有效
发明人：丹羽恵一 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备衬底。绝缘膜设置在衬底的上方。电极垫设置在绝缘膜上。金属凸块设置在电极垫的表面。侧壁膜设置在金属凸块的侧面且包含金属氧化物或金属氢氧化物。障壁金属层具有第1部分及第2部分，所述第1部分设置在金属凸块与电极垫之间且包含金属，所述第2部分在金属凸块的周边至少设置在电极垫且包含金属氧化物或金属氢氧化物。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN202210237831.5在审
发明人：宋志浩;李忠华 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构包括：衬底；第一介质层，位于所述衬底上；焊垫结构，位于所述第一介质层上；其中，所述第一介质层内具有至少一层支撑层，所述焊垫结构位于所述支撑层的上方，所述支撑层的材料强度大于所述第一介质层的材料强度。
一种半导体结构及其制造方法

[发明专利]功率半导体的晶圆片级芯片规模封装及其制造方法-CN202211489017.9在审
发明人：朴命镐;朴喜津;金范洙 -专利权人：美格纳半导体有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：公开了功率半导体的晶圆片级芯片规模封装及其制造方法。晶圆片级芯片规模封装包括：具有第一厚度的半导体衬底；形成在半导体衬底上的输入‑输出垫；形成在输入‑输出垫上的具有第二厚度的前金属层；形成在半导体衬底的底部上的具有第三厚度的后金属层；以及形成在半导体衬底上的金属凸块。
功率半导体晶圆片级芯片规模封装及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202310921870.1在审
发明人：赖彦良;吴奇龙;许占齐;薛东;帅露;徐丹 -专利权人：长鑫科技集团股份有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：基底，基底的部分区域内具有导电层；介质层，介质层位于基底上；导电柱、重布线层以及虚设柱，导电柱以及虚设柱位于介质层内，其中，导电柱贯穿介质层且与导电层电接触，虚设柱自介质层顶面向底面方向延伸，重布线层位于介质层远离基底的表面上，且重布线层与导电柱以及虚设柱电接触。至少可以提高半导体结构的导电性能。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体封装件-CN201910574034.4有效
发明人：许洧瑄;李在杰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：第一结构，包括多个堆叠的第一半导体芯片，并通过具有不同高度的连接过孔电连接到第一重新分布层；以及第二结构，包括电连接到第二重新分布层的第二半导体芯片。所述第一重新分布层和所述第二重新分布层通过形成在所述第二结构上的电连接构件彼此电连接。
半导体封装

[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法-CN201910948702.5有效
发明人： S·拜尔;M·A·博代亚;黄佳艺 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件。半导体器件可以包括半导体衬底，该半导体衬底包括有源区域，在有源区域上方的金属层结构，其中，金属层结构被配置为形成电触点，该金属层结构包括焊接区域、缓冲区域及焊接区域和缓冲区域之间的阻挡区域，其中，在阻挡区域中，金属层结构比在焊接区域和缓冲区域中更远离有源区域，并且其中，焊接区域和缓冲区域中的每个与有源区域直接接触或者与在有源区域和金属层结构之间布置的布线层结构直接接触。
半导体器件形成方法

[实用新型]半导体封装结构-CN202320524174.2有效
发明人：庄弘毅;孔政渊;林弘毅 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种半导体封装结构，该半导体封装结构的一个实施方式包括：包括：桥接结构，桥接结构包括金属层、第一线路层和至少一个第一导电柱，第一线路层设置于金属层上，第一导电柱贯穿金属层且电连接第一线路层。制作方法上通过先形成第一导电柱，再在形成第一导电柱后形成金属层，进而实现第一导电柱贯穿金属层，最终实现桥接结构中第一线路层通过第一导电柱对外连接的目的，相对于现有技术中采用硅通孔式而言，可解决制程良率损失较大的问题，并且降低了制作成本。
半导体封装结构

[实用新型]一种高温厚膜HIC电源用多层金属过渡片-CN202320961162.6有效
发明人：宋述臣;王舒丙;邓昌雪;高靖;刘瑞科;冯永智;李志涌;于宝阳;林辰;郑泽浩 -专利权人：青岛智腾微电子有限公司;青岛智腾科技有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高温厚膜HIC电源用多层金属过渡片，属于航天微电子封装技术领域，其包括铝箔层、形成在所述铝箔层表面的镍衬底层、溅射形成在所述镍衬底层表面的钛钨阻挡层、电镀形成在所述钛钨阻挡层表面的金层，其中，所述钛钨阻挡层和所述金层经合金化处理之后形成钛钨金复合层，在所述钛钨金复合层的下表面焊接金导带，在所述铝箔层的上表面采用楔形焊接硅铝丝，通过采用铝箔层、镍衬底层、钛钨阻挡层和金层经合金化处理之后形成钛钨金复合层制成的多层金属过渡片，阻挡了金铝原子之间的互扩散，避免金铝之间化合物的形成，降低了形成柯肯达尔空洞的风险，彻底解决了铝丝键合金焊盘的长期可靠性问题。
一种温厚 hic 电源多层金属过渡

[发明专利]可提高侧面可焊性的半导体封装元件及其制法-CN202210143759.X在审
发明人：何中雄;洪伟铭;李季学;王建钧;吴政贤 -专利权人：强茂股份有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：一种可提高侧面可焊性的半导体封装元件，包含一晶片、一包覆该晶片的塑封层以及形成在该塑封层的部的一导电层，该导电层的分布位置依据该晶片的接脚脚位而设计，其中，制作完成的该导电层电性连接该晶片的信号接点并且构成半导体封装元件的接脚，各个接脚外露于该塑封层并形成内凹状的一阶梯面，该阶梯面的形状系依据制程中重叠的第一光阻层、第二光阻层所决定，当该半导体封装元件欲焊接在一电路板时，各接脚的阶梯面可供焊锡吸附、填充，借此提高半导体封装元件与电路板之间的焊接品质，并允许光学检测装置判断各接脚的焊接状态。
提高侧面可焊性半导体封装元件及其制法

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