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[发明专利]一种同轴线GSG接头的制作方法及同轴线GSG接头-CN202311036826.9在审
发明人：赵利芳;杨云春;陆原 -专利权人：赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
申请日： 2023-08-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01R43/16 文献下载
摘要：本申请提供了一种同轴线GSG接头的制作方法及同轴线GSG接头，在满足技术要求及性能指标的前提下，通过将同轴线GSG接头结构的制作过程的步骤分步设置在衬底基板的正反两面，可以在一定程度上改善现有技术采用衬底基板单面重复堆叠的制作过程中，所带来的光刻胶气泡残留等缺陷，以及金属连接虚弱等问题，因而可以保证最终得到的同轴线GSG接头的性能优异，具备独立性及灵活应用性。
一种同轴线 gsg 接头制作方法

[发明专利]一种聚丙烯酸高碳醇酯降凝剂及其制备方法-CN202210182367.4有效
发明人：张国欣;陆原;张勇;胡廷;程艳;刘言霞;王勇;柳雪青;李湘山;郭柏利 -专利权人：中海油（天津）油田化工有限公司;中海油能源发展股份有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C08F220/18 文献下载
摘要：本发明提供一种聚丙烯酸高碳醇酯降凝剂及其制备方法，先将丙烯酸高碳醇酯与油酸甘油酯混合后，向上述混合物中加入醋酸乙烯酯，其次，向上述混合物中加入链转移剂，最后向上述混合物中加入有机溶剂并搅拌均匀，即得到反应液，将上述反应液置于氮气保护下；将反应液升温至60‑90℃下，向上述反应液中滴加引发剂的有机溶剂溶液，反应6‑10h后，即得到产物A；将产物A与甲基萘溶液混合，搅拌均匀后，最终即得到聚丙烯酸高碳醇酯降凝剂。本发明方法具有单体转化率高、加药量小、防蜡率高、降凝幅度大等特点，并且安全、可靠、环保，有较强的普遍适用性。
一种聚丙烯酸高碳醇酯降凝剂及其制备方法

[发明专利]一种MEMS气体传感器及制作方法-CN202110819966.8有效
发明人：陈学志;杨云春;郭鹏飞;陆原 -专利权人：赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明涉及气体传感器技术领域，尤其涉及一种MEMS气体传感器及制作方法，该方法包括：衬底，介质层，形成于所述衬底上；绝缘层，形成于所述介质层上；气敏电极，所述气敏电极嵌入至所述绝缘层中，且所述气敏电极的上表面与所述绝缘层的上表面处于同一水平面。本发明使气敏电极下沉至绝缘层中，使绝缘层上表面是平坦的；在后续沉积气敏膜时，使得气敏膜厚均和密度均能均匀分布，还会导致形成的气敏膜的膜表面积增大，提高气体传感器的敏感度。
一种 mems 气体传感器制作方法

[发明专利]一种油田混输海管用杀菌缓蚀剂及其制备方法-CN202310513542.8在审
发明人：陆原;戴俊峰;蓝阳;刘全刚;吴结丰;张国欣;胡廷;刘言霞;邓志强;李羽 -专利权人：中海油（天津）油田化工有限公司;中海油能源发展股份有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C23F11/14 文献下载
摘要：本申请公开了一种油田混输海管用杀菌缓蚀剂及其制备方法，步骤如下：将卤代烷基乙内酰脲、芳香胺、有机酰胺类溶剂和碘化物搅拌混合，在120‑150℃下反应8‑12h；降温滴加环氧氯丙烷，滴加完毕后在15‑40℃下继续反应8‑12h；加入巯基苯并噻唑、氢氧化钾，抽真空并升温至95‑105℃，通入环氧乙烷，并继续反应5h以上，再升温至140‑160℃继续反应至压力降至负压后降温至常温；加入低分子量的聚乙二醇、2,2‑二溴‑3‑次氮基丙酰胺、水、硫脲和硫氰酸盐，溶解后得到杀菌缓蚀剂。该杀菌缓蚀剂对腐蚀和介质中SRB细菌有良好的抑制效果，杀菌率大于99％，缓蚀率大于90％，配伍性好、加药量小、杀菌缓蚀率高。
一种油田混输海管用杀菌缓蚀剂及其制备方法

[发明专利]高频传输微结构的平坦化方法、装置及电子设备-CN202210811005.7有效
发明人：孙庆灵;杨云春;陆原;张拴;范建国 -专利权人：赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种高频传输微结构的平坦化方法、装置及电子设备，其中的方法包括：获得所述铜层的需求去除量和所述光刻胶层与所述铜层之间的高度差；根据所述需求去除量和所述高度差，确定所述光刻胶层与所述铜层的研磨速率比；根据所述研磨速率比、第一对应关系和第二对应关系，确定研磨盘的目标转速；所述第一对应关系为使用铜研磨液进行化学机械抛光时，铜的研磨速率与研磨盘转速的映射关系；所述第二对应关系为使用铜研磨液进行化学机械抛光时，光刻胶的研磨速率与研磨盘转速的映射关系；根据所述目标转速，采用化学机械抛光方法对所述高频传输微结构进行平坦化。上述方法降低了平坦化的时间成本和工艺成本。
高频传输微结构平坦方法装置电子设备

[发明专利]一种油田缓蚀脱氧剂及其制备方法-CN202110990297.0有效
发明人：陆原;易飞;陈胜利;王超明;刘言霞;张勇;张妙玮;王磊;刘保山;逯学朝 -专利权人：中海油（天津）油田化工有限公司;中海油能源发展股份有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C23F11/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种油田缓蚀脱氧剂及其制备方法，当混合注水溶解氧含量超标时，在金属表面与溶解氧发生竞争吸附时，可以将溶解氧捕获并反应消耗掉，从而正常吸附在金属表面形成保护膜，因此本发明针对油田含氧的混合注水中的腐蚀，相比目前现场在用的注水缓蚀剂，市售的各种脱氧剂、缓蚀剂和抗氧缓蚀剂，具有更高效的缓蚀效果和脱氧效果，并可以保持稳定的缓蚀效果。
一种油田脱氧剂及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202310533505.3有效
发明人：康晓旭;郭佳惠;高晋文;陆原;王晋 -专利权人：润芯感知科技（南昌）有限公司;华润微电子控股有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供敏感材料层，敏感材料层包括第一表面和第二表面；在敏感材料层的第二表面上形成牺牲层和包围牺牲层的边墙层，边墙层的顶部形成有连接牺牲层的释放孔，边墙层的底部设置在敏感材料层的第二表面上；自敏感材料层的第一表面起依次刻蚀敏感材料层和边墙层，以形成贯穿敏感材料层、并延伸至边墙层内部的凹槽，凹槽的开口与边墙层的底部相对设置；形成填充凹槽的填充层；通过释放孔去除牺牲层，以在边墙层和敏感材料层之间形成空腔结构。本发明能够降低敏感材料层与边墙层之间的界面层的腐蚀速度，避免在敏感材料层与边墙层之间产生开裂。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种油田用脲类杀菌剂及其制备方法-CN202110990296.6有效
发明人：陆原;张国欣;柳雪青;张勇;陈胜利;张妙玮;程艳;刘言霞;任奕;郭海军 -专利权人：中海油（天津）油田化工有限公司;中海油能源发展股份有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： A01N47/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种油田用脲类杀菌剂及其制备方法，脲类是一种优异的农用杀菌剂，从未在油田应用，本发明通过对其进行溴代改性和聚合形成水溶性低分子聚合物，进一步提高其杀菌性能和溶解度，大大缓解了该问题，使之能在海上油田得到应用。本发明针对海上油田现场水中的SRB细菌有良好的抑制效果，杀菌率大于99％，明显优于常用的油田杀菌剂，具有抗药性低、适用范围广、加药量小及杀菌率高等特点。
一种油田用脲类杀菌剂及其制备方法

[发明专利]一种油田高温防垢缓蚀剂及其制备方法-CN202210102540.5有效
发明人：陆原;张勇;易飞;张晓灵;陈胜利;刘言霞;张妙玮;张国欣;王超明;王勇;刘志光 -专利权人：中海油（天津）油田化工有限公司;中海油能源发展股份有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C09K8/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种油田高温防垢缓蚀剂。本发明针对海上油田高温生产水和注水的腐蚀和结垢，相比目前在用的各种高温防垢缓蚀剂，具有更高效的防垢和缓蚀效果，更好的稳定性和抗高温性。
一种油田高温防垢缓蚀剂及其制备方法

[发明专利]一种七段式SVPWM调制方法及调制系统-CN201710117002.2有效
发明人：陆原;张军伟;马东;赵江峰;刘泰廷 -专利权人：河北大学
申请日： 2017-03-01 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H02M7/5395 文献下载
摘要：本发明提供了一种七段式SVPWM调制方法及调制系统。本发明中的七段式SVPWM调制方法及调制系统是在SVPWM调制基本原理的基础上，在传统七段式SVPWM调制波形的基础上完成的。具体是：本发明采用极坐标的方式输入控制信号，即输入幅度ρ和角度θ信息控制，幅度ρ为控制中的参考电压矢量Vref，θ为参考电压矢量Vref的旋转角度ωt。本发明通过采样归一化后可以简化计算，使SVPWM调制非常简单，且SVPWM调制电路结构简单，调制时仅输入有限的几个三角函数值，即可完成SVPWM调制；按照本发明中电路结构的硬件设计，也可以将此方法移植到软件调制。
一种段式 svpwm 调制方法系统

[发明专利]智能生发系统-CN201511006715.9有效
发明人：陆原;邹健;尹燕蛟 -专利权人：深圳市智连众康科技有限公司
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： A61B5/00 文献下载
摘要：本发明属于毛发护理和治疗技术领域，尤其涉及一种智能生发系统。该系统包括用于改善使用者毛发生长的智能生发装置，包括第一通讯模块；所述第一通讯模块用于接收和发送信息；以及安装于智能便携设备或者电脑上的应用程序装置，包括网络通讯模块和界面模块；所述智能便携设备或者电脑包括第二通讯模块；所述网络通讯模块，用于在收到对应用程序的启动指令后，启动所述第二通讯模块与所述第一通讯模块建立通讯；所述界面模块，用于在收到对应用程序的启动或者关闭指令后，启动或者关闭应用程序界面显示。该智能生发系统，方便使用者进行比较，比较不同时期的结果，让使用者了解治疗效果和进展，鼓励和鼓舞使用者坚持不懈地使用本系统。
智能生发系统

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202310474824.1有效
发明人：康晓旭;郭佳惠;高晋文;陆原;王晋 -专利权人：润芯感知科技（南昌）有限公司;华润微电子控股有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供敏感材料层；在敏感材料层上形成第一牺牲层和环绕第一牺牲层的第一边墙层；在第一牺牲层和第一边墙层上方形成第二牺牲层和包围第二牺牲层的第二边墙层，第二边墙层连接第一边墙层，第二牺牲层的材料与第一牺牲层的材料不同；在第二边墙层中形成连接第二牺牲层的释放孔；采用第一刻蚀工艺，通过释放孔去除第二牺牲层，以露出第一牺牲层；采用第二刻蚀工艺，通过释放孔去除第一牺牲层，以在第一边墙层和第二边墙层中形成空腔结构。本发明能够降低敏感材料层与边墙层之间的界面层的腐蚀速度，避免在敏感材料层与边墙层之间产生开裂。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202310474878.8有效
发明人：康晓旭;郭佳惠;高晋文;陆原;王晋 -专利权人：润芯感知科技（南昌）有限公司;华润微电子控股有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供敏感材料层，敏感材料层的第一表面形成有第一电极；在敏感材料层的第一表面上形成牺牲层和包围牺牲层的边墙层，其中，牺牲层包括第一牺牲层和包围第一牺牲层的第二牺牲层，第一牺牲层的材料与第二牺牲层的材料不同；在边墙层中形成连接第一牺牲层的释放孔；采用第一刻蚀工艺，通过释放孔去除边墙层内部的第一牺牲层；采用不同于第一刻蚀工艺的第二刻蚀工艺，通过释放孔去除第二牺牲层，以在边墙层中形成空腔结构；形成贯穿敏感材料层、与第一电极电连接的第一通孔，并在敏感材料层的第二表面形成与第一通孔电连接的第一焊盘。本发明能够避免在敏感材料层与边墙层之间产生开裂。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种海上油田污水净水脱硫助剂及其制备方法-CN202111384506.3有效
发明人：胡廷;陆原;张国欣;程艳;魏强;张勇;张颖;李羽 -专利权人：中海油（天津）油田化工有限公司;中海油能源发展股份有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C02F1/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种海上油田污水净水脱硫助剂及其制备方法，先将摩尔比为(0.2～0.5)：1的有机酸和马来酸酐混合，再加入等质量的蒸馏水溶解的引发剂溶液，搅拌均匀升温至50‑60℃，滴加与马来酸酐的摩尔比为(1.5～4)：1丙烯酸，滴加时间1‑2h，滴加完成后控温在70‑80℃反应3‑5小时制得络合主剂A。在200份水中依次加入5～10份可溶性2价铁盐，1～3份可溶性3价铁盐；5～20份络合主剂A；2～5份络合助剂，0.1～1份增效剂；搅拌混合均匀，滴加碱性缓冲剂至pH值为6.5‑7.5即得所述的油田净水脱硫助剂。该油田净水脱硫助剂具有优异的脱除硫化氢的能力，针对油田污水中的金属离子和固体颗粒具有良好的螯合分散作用，减少金属离子和固体颗粒沉积，起到净水的效果。
一种海上油田污水净水脱硫助剂及其制备方法

[发明专利]光刻胶刻蚀液、微同轴光刻胶牺牲层释放方法及相关设备-CN202211600688.8在审
发明人：王荣栋;杨云春;陆原;张拴;马诗潇 -专利权人：赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供了光刻胶刻蚀液、微同轴光刻胶牺牲层释放方法及相关设备，该光刻胶刻蚀液包括：二甲基亚砜、四氢呋喃和异丙醇。通过二甲基亚砜作为主要的光刻胶去除剂，提高光刻胶刻蚀质量，通过四氢呋喃作为黏度调节剂和次要的光刻胶去除剂，进一步增加光刻胶刻蚀液的刻蚀能力，并提高光刻胶刻蚀液的流动性，增强光刻胶刻蚀液对于细小缝隙处的光刻胶的刻蚀能力，通过异丙醇去除已经被溶解的光刻胶和四氢呋喃及二甲基亚砜的混合溶液，提高光刻胶刻蚀液的刻蚀效率，因此，通过上述光刻胶刻蚀液可以提高光刻胶的刻蚀效率和刻蚀质量，缩短刻蚀时间，节约刻蚀成本。
光刻刻蚀同轴牺牲释放方法相关设备

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