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[发明专利]一种半导体晶圆键合工艺-CN201710879044.X在审
发明人：林文浩;江富杰;李司元 -专利权人：合肥新汇成微电子有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体晶圆键合工艺，包括以下步骤(1)提供需要实施键合的第一晶圆和第二晶圆，在第一晶圆和第二晶圆之间的表面点涂有固态的隔离物，用于隔离晶圆；(2)提供一负压环境，将所述第一晶圆与所述第二晶圆堆叠放置，施加至少一压力在所述第一晶圆和所述第二晶圆的中心区域上；(3)对第一晶圆和第二晶圆实施晶圆键合；对实施所述晶圆键合之后的晶圆进行磨削减薄处理。
一种半导体晶圆键合工艺

[发明专利]晶圆的调度方法、装置及半导体工艺设备-CN202210490941.2在审
发明人：钟结实;梁妍;郭训容;张立超 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆的调度方法、装置及半导体工艺设备，用于调度工艺前由两个晶圆键合形成的键合晶圆和键合晶圆在工艺后分离为的第一晶圆和第二晶圆；调度方法包括：在工艺腔室中对键合晶圆进行工艺将其分离为第一晶圆和第二晶圆之后，确定与第一晶圆所对应的源晶圆盒和可用于装载第二晶圆的空置晶圆盒，源晶圆盒为工艺前用于装载键合晶圆的晶圆盒；通过晶圆盒机械手将源晶圆盒传输至第一装卸载位，通过晶圆盒机械手将空置晶圆盒传输至第二装卸载位；通过晶圆机械手的第一机械臂将第一晶圆传输至放置于第一装卸载位上的源晶圆盒，通过第二机械臂将第二晶圆传输至放置于第二装卸载位上的空置晶圆盒。本发明提供了新型的键合晶圆调度方案。
调度方法装置半导体工艺设备

[发明专利]晶圆键合方法-CN201711169180.6在审
发明人：孟俊生;李志伟;黄仁德;王欢 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本公开涉及一种晶圆键合方法，包括对第一晶圆的待键合表面进行活化处理，和/或对第二晶圆的待键合表面进行活化处理；在第一气压的环境中，使所述第一和第二晶圆的待键合表面接触，并施加压力以挤压所述第一和第二晶圆；以及在第二气压的环境中，对所述第一和第二晶圆进行退火处理，其中，所述第二气压大于所述第一气压。本公开的晶圆键合方法，在不对晶圆造成不良影响的情况下提高了晶圆之间的键合强度。
晶圆键合方法

[实用新型]一种具有可调键合层的晶圆-CN201320016515.1有效
发明人：李平 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2013-01-11 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有可调键合层的晶圆，包括晶圆层、键合氧化物层，在所述的晶圆层和键合氧化物层之间设有一层晶圆弯曲度的调节层，所述晶圆弯曲度的调节层为可调节晶圆弯曲度的介质薄膜；所述调节晶圆弯曲度的介质薄膜为氧化物或氮化物或金属化合物在晶圆上生长键合氧化物之前淀积一层调节晶圆弯曲的的介质，然后在该介质上生长键合氧化物。在晶圆上生长键合氧化物之前淀积一层调节晶圆弯曲度的薄膜介质，可以调节晶圆的弯曲度，解决了键合的空洞与扭曲的问题，方便晶圆后续工艺的进行，避免空洞、碎片的产生。
一种具有可调键合层

[发明专利]一种SOI晶圆的加工方法-CN201910603128.X在审
发明人：程禹;李彦庆;刘佳晶;陈艳明;刘佳 -专利权人：长春长光圆辰微电子技术有限公司
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种SOI晶圆的加工方法，属于半导体制造领域，包括如下步骤，且以下步骤顺次进行：①对第一衬底与第二衬底进行清洗；②对清洗后的第一衬底进行剪边处理；③在第一衬底和第二衬底的待键合表面分别制备出一层氧化层；④第一衬底为顶部晶圆，第二衬底为底部晶圆，室温下完成键合，得到键合晶圆；⑤对键合晶圆进行退火；⑥对退火后的键合晶圆进行减薄至顶部晶圆厚度为12um～50um，得到SOI晶圆半成品；⑦对SOI晶圆半成品中的顶部晶圆进行化学机械平坦化形成SOI晶圆。本发明提供了一种SOI晶圆的加工方法，在不增加成本的前提下有效解决SOI晶圆键合工艺中在边缘会产生大量的气泡问题，同时还提高SOI晶圆的成品率。
晶圆衬底键合退火半成品清洗加工半导体制造领域化学机械平坦化键合表面晶圆键合气泡问题有效解决成品率氧化层剪边减薄制备

[实用新型]晶圆级封装结构及摄像头模组-CN202223223748.7有效
发明人：黄议模 -专利权人：信扬科技（佛山）有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶圆级封装结构，包括MEMS晶圆和盖设于MEMS晶圆的盖帽晶圆，MEMS晶圆包括至少一MEMS器件、环绕MEMS器件设置的第一键合垫和设置于MEMS器件和第一键合垫之间的多个MEMS焊盘盖帽晶圆朝向MEMS晶圆的表面设有第二键合垫，盖帽晶圆具有厚度方向，沿厚度方向贯穿盖帽晶圆设有导电柱，盖帽晶圆背离MEMS晶圆的表面设有第一焊垫，第一焊垫电连接导电柱的一端。第二键合垫与第一键合垫键合，导电柱的另一端电连接MEMS焊盘。沿厚度方向，MEMS晶圆的投影位于盖帽晶圆内。该晶圆级封装结构能够防止MEMS焊盘在半切时造成损伤，从而提高封装良率。
晶圆级封装结构摄像头模组

[实用新型]一种晶圆键合装置-CN201821207230.5有效
发明人：朱鸷;付辉 -专利权人：上海微电子装备(集团)股份有限公司
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆键合装置，包括载具、真空键合室和传送机构，载具上设置有若干定位组件，定位组件被配置为能够对晶圆的外形进行定位；真空键合室中设置有若干键合组件，键合组件与定位组件一一对应，键合组件被配置为能够对晶圆进行键合；传送机构可移动的设置在真空键合室外，传送机构被配置为能够将载具传入或传出真空键合室。载具上设置的定位组件基于晶圆的外形对晶圆进行定位，以实现晶圆键合前的对准，省去了晶圆在对准机上的对准工序，结构得到简化，操作及控制简便，且一个载具上可以同时放置多片晶圆，实现了一个键合周期可以完成多片晶圆的键合，有效提高了键合的产率及效率，降低了能耗。
晶圆载具定位组件真空键合传送机构键合组件键合对准多片圆键种晶配置半导体制造技术本实用新型键合周期晶圆键合可移动产率能耗室外

[发明专利]键合装置、键合装置的形成方法及键合方法-CN202310693688.5在审
发明人：骆中伟;蓝天;华文宇 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种键合装置、键合装置的形成方法及键合方法，其中键合装置用于键合芯片和第一晶圆，所述第一晶圆包括若干芯片区，且各芯片区内具有待键合区，所述键合装置包括：衬底晶圆，所述衬底晶圆包括若干单元格区，当所述第一晶圆与所述衬底晶圆表面相贴合时，各所述单元格区与各所述芯片区重合；位于所述衬底晶圆表面的辅助层，各单元格区上的所述辅助层内具有凹槽，所述凹槽底部暴露出所述衬底晶圆表面，所述凹槽用于容纳所述芯片，所述凹槽相对其所在的单元格区的位置与所述待键合区相对所述芯片区的位置一致，降低了若干所述芯片与第一晶圆之间的对准难度，有利于提高对准精度，提高键合获取的结构性能。
装置形成方法

[实用新型]一种堆叠式光波导结构-CN202020633630.3有效
发明人：黄向向;杨敏;道格拉斯·雷·斯巴克斯;关健;张晓磊 -专利权人：罕王微电子（辽宁）有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：一种堆叠式光波导结构，包括衬底晶圆，光波导层，光纤，光纤底座，键合界面；衬底晶圆之间带有键合界面，衬底晶圆上带有光波导层，在衬底晶圆上带有光纤底座，光纤固定在光纤底座上，多层衬底晶圆为整体结构，实现堆叠式多光波导器件；在衬底晶圆上利用刻蚀方法，制作出光纤底座，光纤固定在光纤底座上，利用晶圆键合方法，将多层衬底晶圆，通过硅‑硅直接键合、等离子激活硅硅键合、氧化层‑氧化层键合、氮化层‑氮化层键合的方法结合成整体，实现堆叠式多光波导器件
一种堆叠波导结构

[发明专利]半导体器件的制作方法-CN202011456526.2在审
发明人：赵长林;胡胜 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：所述半导体器件的制作方法包括：在第一晶圆的背面形成第一键合结构；在所述第一键合结构上形成保护层；对所述第一晶圆进行芯片切分；去除所述保护层；提供第二晶圆，所述第二晶圆的正面形成有第二键合结构；分离所述第一晶圆中的各芯片，并通过所述第一键合结构和所述第二键合结构，将各所述芯片的背面与所述第二晶圆的正面进行键合。本发明能够保证键合表面不被工艺污染的同时，避免键合表面氧化，有效提高键合效果。
半导体器件制作方法

[发明专利]小尺寸磷化铟晶圆与8寸硅晶圆的异质键合方法-CN202211641308.5在审
发明人：成明;赵东旭;王云鹏;王飞;范翊;姜洋 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种小尺寸磷化铟晶圆与8寸硅晶圆的异质键合方法，包括以下步骤：通过临时键合胶将磷化铟晶圆胶结在临时载片的中心位置；将胶结在临时载片上的磷化铟晶圆和8寸的硅晶圆进行化学机械抛光，并去除表面铜层，使晶圆的铜柱的高度低于晶圆的表面；对磷化铟晶圆进行光刻工艺，并在临时载片上反刻有标记；键合机依据标记识别磷化铟晶圆，将磷化铟晶圆与硅晶圆实现键合，并保证磷化铟晶圆的铜柱与硅晶圆的铜柱互连；加热去除临时载片本发明有效实现了小尺寸磷化铟晶圆与8寸硅晶圆的异质键合，同时保证了铜柱互连问题，降低了磷化铟晶圆在进行CMP、光刻和键合等过程中碎片的风险，降低了磷化铟晶圆的应用成本。
尺寸磷化铟晶圆寸硅晶圆异质键合方法

[发明专利]用于提高多芯粒晶圆集成可靠性的混合键合结构和方法-CN202210455316.4在审
发明人：王伟豪;李顺斌;刘冠东;张汝云 -专利权人：之江实验室
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于提高多芯粒晶圆集成可靠性的混合键合结构和方法，该结构包括：对待键合晶圆的上表面对应芯粒键合区域的介电层和n个待键合芯粒的下表面的介电层进行光刻刻蚀，分别形成晶圆凹槽和芯粒凹槽；在凹槽中沉积TiN阻挡层以及铜的籽晶层，利用电镀生长铜填满凹槽，再利用CMP平整表面，形成晶圆铜壁和芯粒铜壁；将形成铜壁的待键合芯粒与的待键合晶圆对准贴合后进行混合键合，得到预键合晶圆组；将预键合晶圆组进行退火热处理，实现晶圆与芯粒的稳定键合。本发明可以阻隔集成芯粒之间及芯粒内部的电信号干扰，并且对D2W集成的散热有很大提升，避免芯粒工作时热量的局部堆积，提升了键合结果的可靠性。
用于提高多芯粒晶圆集成可靠性混合结构方法

[发明专利]一种深Pad晶圆的键合工艺及其应用-CN202210488378.5在审
发明人：王田芳 -专利权人：广东越海集成技术有限公司
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供一种深Pad晶圆的键合工艺及其应用，所述键合工艺首先将带有键合胶的玻璃基板和晶圆接触，然后进行预处理，最后在升温的条件下使得所述玻璃基板上的键合胶填进所述晶圆的Pad凹坑内并固化，完成所述深Pad晶圆的键合；通过限定所述预处理包括两次抽真空和一次破真空的步骤，在固化前有效去除了残留在Pad凹坑内的空气，从根本上避免了固化后晶圆存在孔洞以及残胶的问题，降低了深Pad键合晶圆产品的不良率，提高了键合工艺的稳定性差，为深Pad晶圆的键合提供了一种新的工艺方法。
一种 pad 工艺及其应用

[发明专利]一种键合玻璃载板的超薄晶圆背面及双面加工工艺-CN202010647469.X有效
发明人：严立巍;陈政勋;李景贤 -专利权人：绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2020-07-07 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明属于超薄晶圆加工领域，公开一种键合玻璃载板的超薄晶圆背面及双面加工工艺，包括以下步骤：S1、对晶圆的背面进行研磨；S2、使晶圆的背面形成缓坡或阶梯分布的区域；S3、对晶圆的背面进行黄光与离子注入工艺，并进行解键合；S4、对晶圆进行热处理工艺，对晶圆进行镀金属工艺；S5、对晶圆的背面进行涂布光阻；S6、将晶圆的正面附着在切割膜板上；S7、蚀刻切割道上的Si；S8、对晶圆的背面的光阻进行除去；形成厚度为40‑120um的晶圆，同时晶圆周边有足够的厚的区域可作为机械传送或固定，甚至低速旋转的操作，晶圆由于边缘是缓坡状的厚度渐进分布，因此做旋转涂布时，仍可在不同厚度区域达成均匀分布，使得晶圆可进行双面工艺
一种玻璃超薄背面双面加工工艺

[发明专利]键合结构及其形成方法与MEMS传感器、可穿戴设备-CN202310246317.2在审
发明人：卢奕鹏;郑磊;杨冲;赵雷 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本申请属于传感器技术领域，具体涉及一种键合结构及其形成方法与MEMS传感器、可穿戴设备。本申请中的键合结构包括：第一晶圆和第二晶圆；第一晶圆、第二晶圆之间设有至少一组键合区域与至少两组错位结构，错位结构位于键合区域两侧；键合区域包括形成于第一晶圆表面的铝键合层、形成于第二晶圆表面的锗键合层，锗键合层与铝键合层键合接触；错位结构包括位于铝键合层两侧的凸起，及位于锗键合层两侧的沟槽，凸起伸入沟槽形成错位结构。解决了现有传感器，尤其是压电MEMS传感器中的铝锗共晶键合存在共晶流动和延展现象导致的键合工艺窗口以及均匀性难以控制，及铝锗键合精细度不足、尺寸大等问题。包含该键合结构的压电MEMS传感器在可穿戴设备中具备较好应用前景。
结构及其形成方法 mems 传感器穿戴设备