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[发明专利]一种晶圆临时键合方法-CN201210260218.1有效
发明人：张昕;欧文;明安杰;谭振新 -专利权人：江苏物联网研究发展中心
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆临时键合方法，其包括如下步骤：a、提供并清洗第一晶圆；b、提供承载晶圆，并旋涂粘合剂；c、将第一晶圆与承载晶圆转移键合箱内，以形成第一键合体，并对第一键合体上的第一晶圆进行所需的减薄；d、将上述第一键合体上减薄后的第一晶圆利用激光划片机进行划片；e、将上述第一键合体转移到键合箱内，并使得键合箱内的温度高于粘合剂的软化温度；在键合箱内，利用平整晶圆在第一晶圆的表面均匀向下施压；f、提供所需的第二晶圆，并将所述第二晶圆与第一晶圆进行所需的键合，形成第二键合体；g、将上述第二键合体上进行解键合。工艺步骤操作方便，降低生产成本，避免减薄后的翘曲度影响，能形成永久键合，安全可靠。
一种临时方法

[发明专利]一种可适用于多尺寸晶圆的解键合设备-CN202211121444.1在审
发明人：邱新智 -专利权人：苏州芯睿科技有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种可适用于多尺寸晶圆的解键合设备，包括底座，所述底座的顶部固定安装有支撑架，所述支撑架的顶部固定安装有分离箱，所述支撑架的顶部设置有按压机构，所述按压机构的输出端固定安装有夹板，所述夹板的底部开设有凹槽通过第一进液管和第二进液管便于向分离箱内通入键合胶溶解剂或净水，从而对尺寸较大的晶圆进行解键合，并在解键合结束后进行清洗，通过加热板对分离箱进行加热，使得分离箱内部净水升温，对载片与晶圆的连接处传递热量，从而对尺寸较小的晶圆进行解键合，避免加热时间过长影响晶圆间的键合。
一种适用于尺寸解键合设备

[发明专利]晶圆解键合装置-CN201510404757.1有效
发明人：尹明;唐昊 -专利权人：浙江中纳晶微电子科技有限公司
申请日： 2015-07-08 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆解键合装置，它包括：用于放置键合后晶圆和载片的台面；以及一带有出气孔的刀具，所述刀具通过可调节装置设置在台面的附近，通过可调节装置控制刀具做远离台面或靠近台面的运动，刀具上设有刀头，用于在键合后晶圆和载片的结合处的膜或胶上刺出一缺口，所述出气孔设置在刀头上，所述刀具上还设有进气孔，所述进气孔与出气孔连通，所述进气孔与一气体发生装置连接，用于向台面上的键合后晶圆和载片的结合处吹气。采用上述晶圆解键合装置自动化程度高，操作更加简便。
晶圆刀具键合装置出气孔进气孔键合载片可调节装置台面结合处气体发生装置吹气刀头种晶连通自动化

[实用新型]晶圆解键合装置-CN201520495711.0有效
发明人：尹明;唐昊 -专利权人：浙江中纳晶微电子科技有限公司
申请日： 2015-07-08 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶圆解键合装置，它包括：用于放置键合后晶圆和载片的台面；以及一带有出气孔的刀具，所述刀具通过可调节装置设置在台面的附近，通过可调节装置控制刀具做远离台面或靠近台面的运动，刀具上设有刀头，用于在键合后晶圆和载片的结合处的膜或胶上刺出一缺口，所述出气孔设置在刀头上，所述刀具上还设有进气孔，所述进气孔与出气孔连通，所述进气孔与一气体发生装置连接，用于向台面上的键合后晶圆和载片的结合处吹气。采用上述晶圆解键合装置自动化程度高，操作更加简便。
晶圆解键合装置

[发明专利]一种晶圆激光切割方法及晶圆-CN202310011046.2有效
发明人：唐义洲 -专利权人：成都功成半导体有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆激光切割方法及晶圆，属于半导体加工技术领域，包括：对载片和/或晶圆进行热氧生长；对载片进行划片开槽处理；对载片、晶圆进行键合处理、退火处理，得到键合片；对键合片进行背面金属沉积得到金属层，并进行激光退火；对键合片进行背面开槽处理；对键合片进行解键合处理；对晶圆进行正面激光划片处理。本发明在晶圆、载片键合处理前对载片进行开槽处理，保证后续键合退火过程中，水分子能充分溢出，确保键合质量；同时，还对键合片进行退火处理，消除了内应力影响，配合高强度键合片，能够保证后续制程的稳定性，避免了晶圆裂片风险
一种激光切割方法

[发明专利]一种碳化硅晶圆背面制程加工工艺-CN202210812122.5有效
发明人：唐义洲 -专利权人：成都功成半导体有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅晶圆背面制程加工工艺，在碳化硅键合前对碳化硅晶圆基片进行多步骤边缘修边工艺，然后进行晶圆的键合工艺、晶圆的多次减薄抛光及退火工艺、晶圆的背面工艺、晶圆的解键合工艺、晶圆的高温退火工艺，最后进行晶圆的键合工艺和晶圆二次修边工艺。通过采用上述的工艺流程，不仅大大降低SiC晶圆在减薄时的碎片和烧片风险，还可安全有效的完成碳化硅晶圆基片的背面工艺和高温回火工艺。
一种碳化硅背面加工工艺

[发明专利]一种临时键合的载片结构的解键合方法-CN202111628989.7在审
发明人：齐步祥 -专利权人：苏州希景微机电科技有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种临时键合的载片结构的解键合方法，包括：在载片结构的晶圆的预设区域内形成通孔；将载片结构倒置于支撑件上，使支撑件与载片结构之间的接触区域位于通孔内，接触区域小于通孔的面积；将载片结构和支撑件浸泡在解键合溶液中，并搅拌解键合溶液，溶解载片结构的晶圆和载片之间的临时键合胶。本发明提高了临时键合的载片结构的解键合速度。
一种临时结构解键合方法

[发明专利]一种用于临时键合的载片结构、键合及解键合方法-CN201511000525.6有效
发明人：孙蓉;张国平;邓立波;刘强;方浩明 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于临时键合的载片结构，其包括器件晶圆和玻璃载片，所述玻璃载片设有若干穿孔，所述器件晶圆与玻璃载片之间设有由临时键合胶固化而成的键合层。本载片结构结构简单，仅在玻璃载片上开设若干穿孔，即可实现解键的可靠性和低成本。另外，本载片结构的解键合方法无需借助特殊设备，且操作简单、易操作；此外，本载片结构的解键合方法能保证解键合的可靠性，并能降低破片的风险，同时降低经济成本。
一种用于临时结构解键合方法

[发明专利]一种晶圆临时键合方法-CN201710045712.9有效
发明人：刘艳松;赵超;丁明正;李俊峰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请公开一种晶圆临时键合方法，包括：提供并清洗器件晶圆和载片；在所述载片和/或所述器件晶圆上滴液体；利用所述液体的表面张力将所述载片和所述器件晶圆形成键合体；对所述键合体中的器件晶圆进行背面工艺处理；将所述载片与所述器件晶圆解键合。本发明提供的晶圆临时键合方法，利用液体的表面张力效应直接将器件晶圆和载片临时键合在一起，不需要高温处理或烘干等工艺，从而减少了晶圆临时键合的工艺步骤，同时能够避免高温处理或烘干工艺对晶圆造成的翘曲，降低了晶圆翘曲的风险
一种临时方法

[发明专利]晶圆级封装方法及封装结构-CN201811028262.3有效
发明人：罗海龙;克里夫·德劳利 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：一种晶圆级封装方法及封装结构，方法包括：提供器件晶圆，包括具有多个第一芯片的晶圆正面以及与晶圆正面相背的晶圆背面；提供承载基板，在承载基板上临时键合多个第二芯片，第二芯片包括具有第一焊盘的芯片正面以及与芯片正面相背的芯片背面，且述芯片背面朝向承载基板；使晶圆正面和芯片正面相对设置，采用熔融键合工艺实现第二芯片和器件晶圆的键合；熔融键合工艺后，对第二芯片和承载基板进行解键合处理；解键合处理后，在晶圆正面形成覆盖第二芯片的第一封装层
晶圆级封装方法结构

[发明专利]用于晶圆键合和解键合的装置及晶圆键合和解键合方法-CN202011618307.X有效
发明人：袁晓春;张振敏;周丹 -专利权人：北京中电科电子装备有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于晶圆键合和解键合的装置及晶圆键合和解键合方法，涉及半导体封装技术领域。该装置，包括：平台和位于平台上的工作台；移动结构，通过移动结构，工作台在平台上能够在第一位置与第二位置之间移动；真空吸附结构，用于吸附设置于工作台上的待键合载片或待解键合晶圆；滴胶结构，用于向待键合载片滴入键合胶；吸盘结构，用于吸附待键合晶圆；驱动结构，用于驱动工作台在第一位置转动；侧向推动结构，用于推动工作台横移预设距离。通过驱动结构驱动工作台旋转，并在旋转过程中滴入键合胶，可以使键合胶更加均匀，通过侧向推动结构推动工作台横移，减小晶圆与工作台上载片的接触面积，更易于解键合，减少解键合过程中的碎片概率。
用于晶圆键合和解装置方法

[发明专利]半导体器件的制作方法-CN202011452022.3在审
发明人：陈坦林;郭万里;刘天建 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：所述方法包括：形成第一晶圆的正面键合界面和背面键合界面；对所述第一晶圆进行芯片切分，并将所述第一晶圆中的各芯片作为第一目标芯片；将所述第一目标芯片的背面键合界面与第一基板进行临时键合；将所述第一目标芯片的正面键合界面与目标晶圆进行键合；将所述第一目标芯片的背面键合界面与所述第一基板进行解键合；将所述第一目标芯片的背面键合界面与第二目标芯片进行键合。本发明能够实现多层芯片和晶圆的混合键合，满足半导体器件的多样化需求。
半导体器件制作方法

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置-CN201410538046.9在审
发明人：陈福成;黄河;向阳辉;施林波 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-10-13 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置，所述方法包括：步骤S1：提供元件晶圆，在所述元件晶圆的正面上形成有第一键合界面层，在所述第一键合界面层中形成有第一空腔；步骤S2：提供支撑晶圆，在所述支撑晶圆上形成有第二键合界面层；步骤S3：将所述第一键合界面层和所述第二键合界面层键合，以将所述元件晶圆和所述支撑晶圆接合为一体；步骤S4：将所述元件晶圆的背面进行背部研磨；步骤S5：通过机械的方法将所述元件晶圆和所述支撑晶圆解键合，以将所述元件晶圆和所述支撑晶圆分开。
一种半导体器件及其制备方法电子装置

[发明专利]晶圆的处理方法-CN202211376752.9在审
发明人：李琳瑜;胡杏;田应超;曹瑞霞 -专利权人：湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种晶圆的处理方法，所述方法包括：对第一晶圆的边缘进行第一修边处理，在所述第一晶圆的边缘的拐角处形成第一倾斜面；所述第一倾斜面为平面或凹面；键合所述第一晶圆和第二晶圆。本公开实施例可以在键合前或键合后对第一晶圆进行第一修边处理，使最终得到的结构具有第一倾斜面且第一倾斜面可以是凹面或者是平面。这样，若后续需要对第一晶圆与第二晶圆进行解键合，可通过预留的第一倾斜面方便的操作，这样不会对第一晶圆和/或第二晶圆的键合面产生破坏。
处理方法

[发明专利]晶圆的键合方法及系统-CN202110772546.9有效
发明人：田应超 -专利权人：湖北三维半导体集成制造创新中心有限责任公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆的键合方法及系统，将器件晶圆与绷膜环固定之后，将所述绷膜环的标识和所述器件晶圆的标识绑定，然后在多个机台上完成所述器件晶圆的键合步骤，直至将所述器件晶圆中的合格芯片分别键合至目标晶圆上，由于绷膜环的标识可以通过激光打标方式制备，可以兼容键合步骤中的工艺，无需在绷膜环或器件晶圆上贴纸质标签，每个所述机台通过识别所述绷膜环的标识即可识别出所述器件晶圆，完成所述器件晶圆的键合之后再将所述绷膜环的标识与所述器件晶圆的标识解绑
方法系统