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[发明专利]一种CIS玻璃罩的减薄方法-CN202210168379.1在审
发明人：李居知;周旭;李华 -专利权人：苏州轩创科技有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明公开一种CIS玻璃罩的减薄方法，包括以下步骤：S1、采用厚度大于500um的玻璃载板完成CIS晶圆的前段制程，然后于CIS晶圆的晶圆面涂布黏着剂，再将硅载板与晶圆面键合；S2、翻转CIS晶圆使玻璃面朝上，将玻璃面减薄到目标厚度；S3、将完成玻璃面的CIS晶圆翻转使硅载板一侧朝上，然后将玻璃面贴附在切割模框上，解键合移除晶圆面的硅载板；S4、完成后续的CIS晶圆切割即可。本发明在CIS晶圆的切割前通过晶圆面键合硅片载板进行支撑和保护，为玻璃面减薄提供应力缓冲，有效避免了玻璃面减薄时的裂片风险，同时克服了先减薄玻璃载板再进行Wafer贴合的玻璃翘曲问题。
一种 cis 玻璃罩方法

[发明专利]一种SOI晶圆及制造方法-CN202210526183.5在审
发明人：蒋兴教;梁昕;郭晨浩;宋飞;张涛 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种SOI晶圆及制造方法，该制造方法包括：提供第一硅晶圆和第二硅晶圆；分别在第一硅晶圆的键合面和第二硅晶圆的键合面形成键合面氧化层；分别对第一硅晶圆的键合面及第二硅晶圆的键合面进行等离子体注入；将等离子体注入后的第一硅晶圆的键合面与第二硅晶圆的键合面键合；键合后，对第一硅晶圆的非键合面进行第一次减薄；第一次减薄后，在第二硅晶圆的非键合面形成介质层。本发明在SOI晶圆的第二硅晶圆背面沉积一层介质层，可降低SOI晶圆的应力和弯曲度，并且该介质层是在第一硅晶圆与第二硅晶圆键合后且对第一硅晶圆第一次减薄后形成，有利于减少第一硅晶圆与第二硅晶圆键合面的键合空洞
一种 soi 制造方法

[发明专利]检测晶圆键合强度的方法及晶圆键合机台-CN201910629684.4有效
发明人：余兴 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：该发明涉及一种检测晶圆键合强度的方法及晶圆键合机台，其中检测晶圆键合强度的方法包括以下步骤：在待键合的晶圆的键合面表面放置第一尺寸的颗粒物；将待键合的晶圆与另一晶圆键合，使键合的晶圆对之间产生气泡，所述气泡位置与颗粒物的放置位置相对应，尺寸与所述晶圆对的键合强度有关；检测所述晶圆对的两个晶圆之间的气泡的尺寸，从而获取到两片晶圆的键合强度。所述检测晶圆键合强度的方法及晶圆键合机台可以在不破坏晶圆的情况下被准确的量测，避免因破坏性量测所造成的成本问题，同时也具有较高的测量精度。并且，还可以量测到晶圆任何位置的键合强度，而不局限在晶圆的边缘，因此在准确性及成本上都十分有利。
检测晶圆键合强度方法机台

[发明专利]晶圆键合方法及装置-CN201911019699.5在审
发明人：张银 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆键合方法及装置，包括将第一晶圆和第二晶圆进行键合以形成键合晶圆；对所述键合晶圆进行空洞缺陷扫描，并判断出所述键合晶圆中的空洞缺陷是否符合控制要求；空洞缺陷符合控制要求的键合晶圆进行退火处理，而空洞缺陷不符合控制要求的键合晶圆则进行返工，从而可以拦截出存在报废风险的键合晶圆，有效的降低了键合晶圆的报废率，并且返工后的两个晶圆可以再次进行键合，不会直接报废，从而降低了制造成本。
晶圆键合空洞缺陷控制要求返工报废退火处理制造成本报废率圆键种晶拦截扫描

[发明专利]一种键合结构中的薄膜晶圆和剩余晶圆的分离方法-CN202011323060.9在审
发明人：欧欣;陈阳;黄凯 -专利权人：上海新微科技集团有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本申请公开了一种键合结构中的薄膜晶圆和剩余晶圆的分离方法，包括：获取包括第一晶圆和第二晶圆，注入离子到第二晶圆，从而在第二晶圆的内部形成缺陷层；沿第二晶圆的注入面与第一晶圆进行键合，形成键合结构；将键合结构置于晶圆花篮中，第一晶圆位于第二晶圆的上方；未键合区域由晶圆花篮的悬臂支撑，第二晶圆中与未键合区域同侧的一端依靠与第一晶圆的键合力悬空，键合结构中与未键合区域相对的一端由晶圆花篮的卡槽支撑；将晶圆花篮和键合结构进行整体退火处理；键合结构沿第二晶圆的缺陷层所在的位置完成薄膜晶圆和剩余晶圆的分离。本申请涉及的分离方法避免了第一晶圆和第二晶圆之间的相对滑动对薄膜晶圆表面的损伤，从而提高了产品的质量与良率。
一种结构中的薄膜剩余分离方法

[发明专利]晶圆键合方法-CN202210573720.1在审
发明人：王顺;刘武;冯皓 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆键合方法，包括：对多个待键合晶圆进行表面预处理；将所述多个待键合晶圆中的至少一个待键合晶圆置于温控装置上，通过调整所述温控装置的温度改变所述至少一个待键合晶圆的径向尺寸；将所述多个待键合晶圆移入键合腔内进行键合通过控制所述温控装置的温度改变至少一个待键合晶圆的径向尺寸，能够减小多个待键合晶圆径向尺寸的差异，提高晶圆键合的对准精度，从而提高产品的性能和良率。
晶圆键合方法

[发明专利]用于晶圆到晶圆键合的设备和方法-CN202080102931.6在审
发明人：纳森·伊普 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：一种方法包括：获得第一晶圆键合配方和晶圆键合工艺模型，该模型包括指示要键合到第二晶圆的第一晶圆的物理参数的输入并且被配置成基于该第一晶圆的物理参数来输出晶圆键合配方；获得该第一晶圆的测量结果以获得该第一晶圆的物理参数；该模型根据该第一晶圆的物理参数生成该第一晶圆键合配方；以及根据该第一晶圆键合配方将该第一晶圆键合到该第二晶圆以产生第一键合后晶圆。
用于晶圆到晶圆键合设备方法

[发明专利]一种晶圆级三层结构的封装方法-CN201910188367.3有效
发明人：魏晓莉;范继;饶康;涂良成 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开一种晶圆级三层结构的封装方法，包括：制备上层晶圆结构、中间层晶圆结构和下层晶圆结构；对中间层晶圆结构的背面和下层晶圆结构的正面进行等离子体活化处理；利用键合机将中间层晶圆结构的背面和下层晶圆结构的正面对准，对中间层晶圆结构和下层晶圆结构进行预键合，实现常温下的硅硅直接键合；利用键合机将中间层晶圆结构的正面和上层晶圆结构的背面对准，对中间层晶圆结构和上层晶圆结构进行热压键合，得到晶圆级三层结构，所述热压键合使得中间层晶圆结构和上层晶圆结构键合在一起，同时为所述预键合提供退火的过程，使所述预键合达到需求的键合强度和键合区域。本发明仅通过一次具有压力和温度的键合过程即可获得晶圆级三层结构。
一种晶圆级三层结构封装方法

[发明专利]晶圆键合方法、键合晶圆、存储器芯片以及半导体器件-CN202210349420.5在审
发明人：肖文静;尹朋岸;严孟;胡思平;王欢;伍术;王超;姜有东;锁志勇;张育龙;王永平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本申请提供晶圆键合方法、键合晶圆、存储器芯片以及半导体器件，所述方法包括：提供多个待键合晶圆，每个所述待键合晶圆的表面具有介质层，且所述介质层内具有键合凹槽；在所述键合凹槽内填充导电材料，以形成具有第一晶粒尺寸的预键合触点；对至少两个所述待键合晶圆进行键合对准，使得所述待键合晶圆上的所述预键合触点一一接触；进行退火处理，使得至少两个所述待键合晶圆键合，所述预键合触点键合为具有第二晶粒尺寸的融合键合触点。上述方法中，对小晶粒的预键合触点进行退火处理，能够降低退火处理温度、缩短退火处理时间，避免待键合晶圆在长时间高温的退火处理中失效的同时，还能够确保待键合晶圆完成键合后的键合强度。
晶圆键合方法键合晶圆存储器芯片以及半导体器件

[发明专利]一种背照式图像传感器及其制备方法、电子装置-CN201410559251.3在审
发明人：刘尧;陈福成 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-10-20 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种背照式图像传感器及其制备方法、电子装置，所述方法包括：步骤S1：提供器件晶圆，在所述器件晶圆的正面形成有CMOS器件，在所述CMOS器件上形成有重布线层；步骤S2：将所述器件晶圆反转，并将所述器件晶圆的正面和载片晶圆进行临时键合；步骤S3：将所述图像传感器的功能元件和所述器件晶圆的背面进行键合；步骤S4：将所述器件晶圆和所述载片晶圆解键合，以露出所述重布线层。
一种背照式图像传感器及其制备方法电子装置

[发明专利]一种晶圆键合加压装置、晶圆键合的方法及晶圆键合设备-CN201811469206.3在审
发明人：王盛凯;王英辉 -专利权人：中科院微电子研究所昆山分所
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆键合加压装置，所述晶圆键合加压装置的压头包括至少两个的子压头；每个所述子压头对待键合晶圆施加压力的区域不相同，使得在加压键合过程中，待键合晶圆的键合前沿点可逐步延伸至所述待键合晶圆的各个边缘本发明通过将压头分成多个子压头，实现对所述待键合晶圆的不同区域的逐次加压，使得所述待键合晶圆上的键合前沿点逐渐向所述待键合晶圆的边缘延伸，不会在键合过程中在所述待键合晶圆的非边缘处形成气泡，影响成品的键合效果，不会出现某一点压力过高导致所述待键合晶圆破损的情况，提升了最终成品的良品率，降低了一定量成品所需的材料成本。本发明同时还提供了一种具有上述有益效果的晶圆键合的方法及晶圆键合设备。
一种晶圆键合加压装置方法设备

[发明专利]晶圆‑晶圆、芯片‑晶圆和芯片‑芯片键合方法-CN201410034813.2有效
发明人：蔡坚;魏体伟;王谦 -专利权人：清华大学
申请日： 2014-01-24 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆‑晶圆、芯片‑晶圆和芯片‑芯片键合方法。一种晶圆‑晶圆键合方法，该方法包括：在支撑片的一个表面上形成支撑凸点，将第一晶圆的正面与所述支撑片的具有支撑凸点的表面进行键合；在所述第一晶圆的背面上形成键合凸点，其中所述第一晶圆的背面上形成的键合凸点的位置与所述支撑片的表面上形成的支撑凸点的位置相对应；以及将所述第一晶圆的背面上的键合凸点与第二晶圆的键合凸点进行键合。通过本发明的这些方法能够解决晶圆级键合、芯片级键合过程中因临时键合胶软化造成的晶圆、芯片拱起、翘曲等现象。
晶圆芯片方法

[发明专利]晶圆级金属扩散键合结构及键合方法-CN202310594289.3在审
发明人：刘展文;张超;施黄竣元;高司政;陆银杰 -专利权人：甬矽半导体（宁波）有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本申请涉及晶圆键合技术领域，具体公开了一种晶圆级金属扩散键合结构及键合方法，金属扩散键合结构包括相对设置的第一键合晶圆和第二键合晶圆，以及设置在所述第一键合晶圆与所述第二键合晶圆之间的金属扩散键合结构；所述金属扩散键合结构分别通过介质层和所述第一键合晶圆以及所述第二键合晶圆键合连接；金属扩散键合结构包括设置在第一键合晶圆上的第一金属结构、设置在第二键合晶圆上且与第一金属结构对应的第二金属结构，以及连接在第一金属结构与所述第二金属结构之间的石墨烯键合层本申请能够采用石墨烯形成键合层，使得制备的金属扩散键合结构具备低成本、高强度、高导电性以及高散热性的优势。
晶圆级金属扩散结构方法

[发明专利]晶圆键合装置及晶圆键合方法-CN201910002069.0有效
发明人：邢瑞远;丁滔滔;王家文;刘武;刘孟勇;陈国良 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-01-02 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆键合装置及晶圆键合方法。所述晶圆键合装置，包括：量测模块，用于分别获取两片待键合的晶圆的尺寸；键合模块，连接所述量测模块，用于键合两片所述晶圆，并根据两片所述晶圆的相对尺寸调整施加于两片晶圆上的键合压力，使得施加于尺寸较小的晶圆上的键合压力大于施加于尺寸较大的晶圆上的键合压力本发明增加两片待键合的晶圆之间的对准精度，改善键合效果，提高半导体产品的性能。
晶圆键合装置方法

[发明专利]一种晶圆键合方法-CN201610545990.6在审
发明人：邹文;胡胜 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2016-07-12 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆键合方法，包括：提供第一晶圆和第二晶圆；提供一负压环境，将所述第一晶圆与所述第二晶圆堆叠放置，施加至少一压力在所述第一晶圆和所述第二晶圆的中心区域上。本发明提供的晶圆键合方法，通过提供负压环境实现优化键合晶圆外部区域的键合扭曲度，通过施加至少一压力实现优化键合晶圆中心区域的键合扭曲度，从而整体上优化晶圆键合扭曲度，因此提高后续制程键合晶圆的均一性，进而提升产品的性能
一种晶圆键合方法