|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 42个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]半导体装置-CN202210817553.0在审
-
河野洋志
-
株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
-
2022-07-12
-
2023-10-03
-
H01L29/78
- 实施方式的半导体装置具备：第1电极；第1导电型的第1半导体层，与所述第1电极连接，含有碳化硅；第2导电型的第2半导体层，设置在所述第1半导体层上；第1导电型的第3半导体层，设置在所述第2半导体层上的一部分；第2电极，与所述第2半导体层及所述第3半导体层连接；第3电极，设置在所述第1半导体层的上部内、所述第2半导体层的内部及所述第3半导体层的内部；绝缘膜，设置在所述第1半导体层、所述第2半导体层以及所述第3半导体层与所述第3电极之间；及第4半导体层，设置在所述绝缘膜与所述第1半导体层以及所述第2半导体层之间，相接于所述绝缘膜，杂质浓度比所述第1半导体层的杂质浓度及所述第2半导体层的杂质浓度低。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN202210804976.9在审
-
河野洋志;田中克久
-
株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
-
2022-07-08
-
2023-10-03
-
H01L29/78
- 半导体装置具备：在碳化硅层的第1面侧沿第1方向延伸的沟槽；沟槽内的栅极电极；在碳化硅层中沿第1方向依次配置的第1导电型第1碳化硅区域、第2导电型第2碳化硅区域、第1导电型第3碳化硅区域、第4碳化硅区域；在第1至第4碳化硅区域与第1面之间设置且在第一方向上依次配置且杂质浓度比第1至第4碳化硅区域高的第1导电型第5碳化硅区域、第2导电型第6碳化硅区域、第1导电型第7碳化硅区域、第2导电型第8碳化硅区域；设在第5至第8碳化硅区域与第1面之间的第1导电型第9碳化硅区域；第9碳化硅区域与第1面之间的第2导电型第10碳化硅区域和第1导电型第11碳化硅区域；第1面侧的第1电极；与第1面对置的第2面侧的第2电极。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN202210735355.X在审
-
田中克久;河野洋志
-
株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
-
2022-06-27
-
2023-10-03
-
H01L29/78
- 实施方式提供可提高耐压的半导体装置。实施方式的半导体装置具备第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的第三半导体区域、栅极电极、第二导电型的第四半导体区域、第二导电型的多个第五半导体区域、第二导电型的多个第六半导体区域及第二电极。第一半导体区域包含第一区域以及第二区域。第四半导体区域设于第一区域与栅极电极之间。多个第五半导体区域沿着第一面位于第四半导体区域的周围，在从第一区域朝向第二区域的第二方向上相互分离。多个第六半导体区域沿着第一面位于第二半导体区域的周围，在第二方向上相互分离。多个第六半导体区域各自具有比多个第五半导体区域各自低的第二导电型的杂质浓度。
- 半导体装置
- [发明专利]碳化硅半导体装置-CN202210919891.5在审
-
铃木拓马;河野洋志;田中克久
-
株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
-
2022-08-01
-
2023-10-03
-
H01L29/06
- 实施方式的碳化硅半导体装置包括：第一电极；第二电极；第一半导体层，设置在第一电极与第二电极之间，包括碳化硅；包括碳化硅的第一导电型的多个第一半导体柱区域；包括碳化硅的第二导电型的第二半导体柱区域。第一半导体柱区域设置在第一半导体层与第二电极之间，包括：第一区域，具有第一杂质浓度；第二区域，在与从第一电极朝向第二电极的第一方向正交的第二方向上与第一区域并列，且具有比第一杂质浓度浓的第二杂质浓度。第二半导体柱区域设置在第一半导体层与第二电极之间，在第二方向上位于第一半导体柱区域之间，还包括：第三区域，具有第三杂质浓度；第四区域，在第二方向上与第三区域并列，且具有比第三杂质浓度浓的第四杂质浓度。
- 碳化硅半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN202210811219.4在审
-
朝羽俊介;河野洋志
-
东芝电子元件及存储装置株式会社;株式会社东芝
-
2022-07-11
-
2023-09-29
-
H01L29/78
- 实施方式的半导体装置具备：具有第一面和第二面的碳化硅层；第一导电型的第一碳化硅区域，包括第一区域、位于第一区域与第一面之间的第二区域以及第三区域，第二区域的第一导电型杂质浓度高于或等于第一区域，第三区域的第一导电型杂质浓度高于第二区域；第二导电型的第二碳化硅区域，包括第四区域，位于第一碳化硅区域与第一面之间，与第二区域相接；第五区域，与第三区域接触且第二导电型杂质浓度比第四区域高；第二碳化硅区域与第一面之间的第一导电型的第三碳化硅区域；第一栅极电极，与第二碳化硅区域对置；第一栅极绝缘层；第一电极，包括与第二碳化硅区域以及第三碳化硅区域接触的第一部分；以及第二电极。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN202210790718.X在审
-
朝羽俊介;河野洋志
-
株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
-
2022-07-05
-
2023-09-29
-
H01L29/872
- 半导体装置具备第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二至第五半导体层、第一及第二电极。第一及第二电极电连接于第一半导体层。第一半导体层具有活性区域和末端区域。第一半导体层在活性区域中设于第一及第二电极之间。第二半导体层设于第一半导体层与第二电极之间，在从第一电极朝向第二电极的第一方向上具有第一层厚。第三半导体层设于末端区域，包围第二半导体层，在第一方向上具有比第一层厚长的第二层厚。第四半导体层包围第二及第三半导体层，与第三半导体层分离，且在第一方向上具有比第二层厚短的第三层厚。第五半导体层连接于第二半导体层，在末端区域中连接于第三及第四半导体层。第三及第四半导体层设于第一与第五半导体层之间。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN202210846354.2在审
-
田中克久;河野洋志
-
株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
-
2022-07-04
-
2023-09-22
-
H01L29/78
- 根据一实施方式，半导体装置具备第一电极、第一半导体区域、栅极电极、第二导电型的第二半导体区域、第二导电型的第三半导体区域、第一导电型的第四半导体区域、第一导电型的第五半导体区域以及第二电极。第一半导体区域包含第一导电型的第一区域。栅极电极设于第一半导体区域之上。第二半导体区域在与从第一电极朝向第一半导体区域的第一方向垂直的第二方向上，与栅极电极相对。第三半导体区域在第一方向上设于第一半导体区域与第二半导体区域之间。第三半导体区域的下部的宽度比第三半导体区域的上部的宽度长。第四半导体区域设于第三半导体区域与栅极电极之间，具有比第一区域高的第一导电型的杂质浓度。第五半导体区域设于第二半导体区域之上。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN202210841233.9在审
-
谷平圭;堀阳一;河野洋志
-
株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
-
2022-07-18
-
2023-09-22
-
H01L27/07
- 实施方式的半导体装置具备：第一电极；第一导电型的第一半导体层，连接于所述第一电极；第二半导体层，设于所述第一半导体层上的第一区域，所述第二半导体层是第一导电型，且杂质浓度比所述第一半导体层的杂质浓度高；第二导电型的第三半导体层，设于所述第二半导体层上；第四半导体层，设于所述第一半导体层上的第二区域，所述第四半导体层是第一导电型，且杂质浓度比所述第一半导体层的杂质浓度高、比所述第二半导体层的杂质浓度低，并隔着所述第一半导体层的一部分与所述第二半导体层分离；第二导电型的第五半导体层，设于所述第四半导体层上的一部分；以及第二电极，连接于所述第三半导体层、所述第四半导体层以及所述第五半导体层。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN202210767695.0在审
-
朝羽俊介;田中克久;河野洋志
-
株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
-
2022-06-30
-
2023-09-22
-
H01L29/78
- 实施方式的半导体装置具备第一电极、从第一电极分离的第二电极、设于第一电极与第二电极间的半导体部、及控制电极。半导体部含第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二半导体层、第一导电型的第三半导体层、第二导电型的多个第四半导体层及第二导电型的第五半导体层。第一半导体层在第一电极与第二电极间延伸，第二半导体层设于第一半导体层与第二电极间。第三半导体层在第二半导体层与第二电极间局部地设于第二半导体层上。多个第四半导体层设于第一半导体层中在从第一电极朝第二电极的第一方向上延伸，在与第一方向正交的第二方向上排列。第五半导体层局部地设于第一半导体层与第二半导体层间位于在第二方向上相邻的两个第四半导体层间，与相邻的两个第四半导体层连接。控制电极位于多个第四半导体层的各个与第二电极间隔着第一绝缘膜与第二半导体层相向。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置以及半导体封装-CN202210696549.3在审
-
田中克久;河野洋志
-
株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
-
2022-06-20
-
2023-09-19
-
H01L29/78
- 根据一实施方式，半导体装置有第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、栅极电极、第二导电型的第三半导体区域、导电部、第二导电型的第四半导体区域、第一导电型的第五半导体区域、第一导电型的第六半导体区域及第二电极。第一半导体区域包含第一区域及第二区域。第二半导体区域及第三半导体区域设于第一区域之上。栅极电极设于第二半导体区域之上。第三半导体区域与第二半导体区域分离。导电部设于第三半导体区域之上。第四半导体区域设于第二区域之上，与第三半导体区域相接。第五半导体区域设于第四半导体区域的一部分之上。第六半导体区域有比第一半导体区域高的第一导电型的杂质浓度，与第三半导体区域相接。
- 半导体装置以及封装
- [发明专利]半导体装置-CN202210015164.6在审
-
河野洋志;大桥辉之;尾形昂洋
-
株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
-
2022-01-07
-
2023-04-04
-
H01L29/06
- 一种半导体装置，具备：第一电极；第二电极；栅极电极，沿第一方向延伸；以及碳化硅层，具有第一面和第二面，包括：第一导电型的第一碳化硅区，具有第一区、与栅极电极相向的第二区以及与第一电极相接的第三区；第二区与第三区之间的第二导电型的第二碳化硅区；第二导电型的第三碳化硅区，在与第二碳化硅区之间夹着第二区；第二导电型的第四碳化硅区，在与第二碳化硅区之间夹着第三区；第一导电型的第五碳化硅区；第二导电型的第六碳化硅区，设置于第一区与第二碳化硅区之间；以及第二导电型的第七碳化硅区，在第一区与第二碳化硅区之间，在第一方向上与第六碳化硅区分开地设置。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN202210019639.9在审
-
朝羽俊介;河野洋志;水上诚
-
东芝电子元件及存储装置株式会社;株式会社东芝
-
2022-01-10
-
2023-04-04
-
H01L29/78
- 半导体装置具有：包含与具有第1面和第2面的碳化硅层的第1面相接的第1区域的第1导电型的第1碳化硅区域；第1碳化硅区域与第1面之间的第2导电型的第2碳化硅区域；第2碳化硅区域与第1面之间的第2导电型的第3碳化硅区域；第2碳化硅区域与第1面之间的第1导电型的第4碳化硅区域；设置于第1面侧且在第1方向延伸的第1栅极电极；在第1方向延伸的第2栅极电极；包含第1部分和第2部分的第1电极以及设置于碳化硅层的第2面侧的第2电极，第1部分设置于第1面侧并设置于第1栅极电极与第2栅极电极之间，与第3及第4碳化硅区域相接，第2部分设置于第1栅极电极与第2栅极电极之间，设置于第1部分的第1方向，与第1区域相接。
- 半导体装置
|
