专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装-CN202211246735.3在审
  • 崔洛俊;金炳祚;吴炫智;丁星好 - 苏州立琻半导体有限公司
  • 2017-09-13 - 2023-03-07 - H01L33/02
  • 本申请实施例公开了一种半导体器件和包括其的半导体器件封装,该半导体器件包括:发光结构,发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层,有源层设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间;第二导电半导体层具有范围为1:1.25至1:100的第二最短距离W2与第一最短距离W1的比率,第二最短距离W2是从第一表面到第二点的距离,第一最短距离W1是从第一表面到第一点的距离;第一表面为第二半导体层的远离有源层的表面;第一点是第二导电半导体层的铝成分与有源层的最靠近第二导电半导体层的阱层的铝成分相同的点;并且第二点是第二导电半导体层具有与铝成分相同的掺杂剂成分的点。
  • 半导体器件包括封装
  • [发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装-CN202211246664.7在审
  • 崔洛俊;金炳祚;吴炫智;丁星好 - 苏州立琻半导体有限公司
  • 2017-09-13 - 2023-01-13 - H01L33/02
  • 本申请实施例公开了一种半导体器件和包括其的半导体器件封装,该半导体器件包括:发光结构,发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层,有源层设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间;第二导电半导体层具有范围为1:1.25至1:100的第二最短距离W2与第一最短距离W1的比率,第二最短距离W2是从第一表面到第二点的距离,第一最短距离W1是从第一表面到第一点的距离;第一表面为第二半导体层的远离有源层的表面;第一点是第二导电半导体层的铝成分与有源层的最靠近第二导电半导体层的阱层的铝成分相同的点;并且第二点是第二导电半导体层具有与铝成分相同的掺杂剂成分的点。
  • 半导体器件包括封装
  • [发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装-CN202211246713.7在审
  • 崔洛俊;金炳祚;吴炫智;丁星好 - 苏州立琻半导体有限公司
  • 2017-09-13 - 2023-01-13 - H01L33/02
  • 本申请实施例公开了一种半导体器件和包括其的半导体器件封装,该半导体器件包括:发光结构,发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层,有源层设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间;第二导电半导体层具有范围为1:1.25至1:100的第二最短距离W2与第一最短距离W1的比率,第二最短距离W2是从第一表面到第二点的距离,第一最短距离W1是从第一表面到第一点的距离;第一表面为第二半导体层的远离有源层的表面;第一点是第二导电半导体层的铝成分与有源层的最靠近第二导电半导体层的阱层的铝成分相同的点;并且第二点是第二导电半导体层具有与铝成分相同的掺杂剂成分的点。
  • 半导体器件包括封装
  • [发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装-CN202211245094.X在审
  • 崔洛俊;金炳祚;吴炫智;丁星好 - 苏州立琻半导体有限公司
  • 2017-09-13 - 2023-01-03 - H01L33/02
  • 本申请实施例公开了一种半导体器件和包括其的半导体器件封装,该半导体器件包括:发光结构,发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层,有源层设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间;第二导电半导体层具有范围为1:1.25至1:100的第二最短距离W2与第一最短距离W1的比率,第二最短距离W2是从第一表面到第二点的距离,第一最短距离W1是从第一表面到第一点的距离;第一表面为第二半导体层的远离有源层的表面;第一点是第二导电半导体层的铝成分与有源层的最靠近第二导电半导体层的阱层的铝成分相同的点;并且第二点是第二导电半导体层具有与铝成分相同的掺杂剂成分的点。
  • 半导体器件包括封装
  • [发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装-CN202211246672.1在审
  • 崔洛俊;金炳祚;吴炫智;丁星好 - 苏州立琻半导体有限公司
  • 2017-09-13 - 2022-12-20 - H01L33/02
  • 本申请实施例公开了一种半导体器件和包括其的半导体器件封装,该半导体器件包括:发光结构,发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层,有源层设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间;第二导电半导体层具有范围为1:1.25至1:100的第二最短距离W2与第一最短距离W1的比率,第二最短距离W2是从第一表面到第二点的距离,第一最短距离W1是从第一表面到第一点的距离;第一表面为第二半导体层的远离有源层的表面;第一点是第二导电半导体层的铝成分与有源层的最靠近第二导电半导体层的阱层的铝成分相同的点;并且第二点是第二导电半导体层具有与铝成分相同的掺杂剂成分的点。
  • 半导体器件包括封装
  • [发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装-CN202210938217.1在审
  • 吴炫智;金炳祚;崔洛俊 - 苏州立琻半导体有限公司
  • 2017-11-24 - 2022-10-25 - H01L33/20
  • 本发明公开了一种半导体器件以及包括该半导体器件的半导体器件封装。该器件包括发光结构,其包括:具有铝的第一半导体层和第二半导体层;具有铝且位于第一和第二半导体层之间的有源层;在第二半导体层中展示的强度范围是在二次离子的第一最小强度和第一最大强度之间;在第一半导体层中展示的强度包括二次离子的第二最小强度,其不同于第一最小强度;在从第二半导体层的表面开始的第一预设距离处,第二半导体层展示出与第二最小强度对应的二次离子的第一中间强度,第一最大强度出现在从第一预设距离开始的第二预设距离处;第二预设距离对第一预设距离的比率是在1:0.2到1:1的范围内。
  • 半导体器件包括封装
  • [发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装-CN201780056302.2有效
  • 崔洛俊;金炳祚;吴炫智;丁星好 - 苏州立琻半导体有限公司
  • 2017-09-13 - 2022-10-21 - H01L33/02
  • 一个实施例公开了一种半导体器件和一种包括该半导体器件的半导体器件封装,该半导体器件包括:发光结构,包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和设置在第一和第二导电半导体层之间的有源层;与第一导电半导体层电连接的第一电极;以及与第二导电半导体层电连接的第二电极,其中第二导电半导体层包括第二电极被设置在其上的第一表面并且具有从第一表面到第二点的第二最小距离W2与从第一表面到第一点的第一最小距离W1的比率(W2:W1)1:1.25至1:100,分别地,第一点是具有与有源层的最靠近第二导电型半导体层的阱层的铝成分相同成分的点,第二点是第二导电半导体层的铝成分和掺杂剂成分相同的点。
  • 半导体器件包括封装
  • [发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装-CN201711194588.9有效
  • 吴炫智;金炳祚;崔洛俊 - 苏州立琻半导体有限公司
  • 2017-11-24 - 2022-08-23 - H01L33/20
  • 公开了一种半导体器件以及包括该半导体器件的半导体器件封装。该器件包括发光结构,其包括:具有铝的第一半导体层;具有铝的第二半导体层;具有铝并且设置在第一和第二半导体层之间的有源层;在第二半导体层中展示的强度范围是在二次离子的第一最小强度和第一最大强度之间;在第一半导体层中展示的强度包括二次离子的第二最小强度,其不同于第一最小强度;在从第二半导体层的表面开始的第一预设距离处,第二半导体层展示出第一最小强度和第一最大强度之间的与第二最小强度对应的二次离子的第一中间强度,第一最大强度出现在从第一预设距离开始的第二预设距离处;第二预设距离(W1)对第一预设距离(W2)的比率是在1:0.2到1:1的范围内。
  • 半导体器件包括封装
  • [发明专利]半导体器件及包括其的半导体器件封装-CN201710780660.X有效
  • 吴炫智;崔洛俊;金炳祚 - 苏州乐琻半导体有限公司
  • 2017-09-01 - 2022-05-20 - H01L33/14
  • 公开了一种半导体器件及包括其的半导体器件封装,器件包括:半导体结构,包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层及布置在第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的有源层,有源层包括多个阻挡层和阱层,第二导电型半导体层包括第2‑2导电型半导体层、和布置在所述第2‑2导电型半导体层上的第2‑1导电型半导体层,阻挡层、阱层、第2‑2导电型半导体层及第2‑1导电型半导体层包括AlGaN,第2‑2导电型半导体层的铝组成高于阱层的铝组成,第2‑1导电型半导体层的铝组成低于阱层的铝组成,第2‑1导电型半导体层的铝组成越远离有源层,以第一斜率越减少,第2‑2导电型半导体层的铝组成越远离有源层,以第二斜率越减少,第一斜率大于第二斜率。本公开提高光输出。
  • 半导体器件包括封装

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