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[发明专利]半导体装置-CN202210811219.4在审
发明人： 朝羽俊介;河野洋志 -专利权人：东芝电子元件及存储装置株式会社;株式会社东芝
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具备：具有第一面和第二面的碳化硅层；第一导电型的第一碳化硅区域，包括第一区域、位于第一区域与第一面之间的第二区域以及第三区域，第二区域的第一导电型杂质浓度高于或等于第一区域，第三区域的第一导电型杂质浓度高于第二区域；第二导电型的第二碳化硅区域，包括第四区域，位于第一碳化硅区域与第一面之间，与第二区域相接；第五区域，与第三区域接触且第二导电型杂质浓度比第四区域高；第二碳化硅区域与第一面之间的第一导电型的第三碳化硅区域；第一栅极电极，与第二碳化硅区域对置；第一栅极绝缘层；第一电极，包括与第二碳化硅区域以及第三碳化硅区域接触的第一部分；以及第二电极。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202210790718.X在审
发明人： 朝羽俊介;河野洋志 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：半导体装置具备第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二至第五半导体层、第一及第二电极。第一及第二电极电连接于第一半导体层。第一半导体层具有活性区域和末端区域。第一半导体层在活性区域中设于第一及第二电极之间。第二半导体层设于第一半导体层与第二电极之间，在从第一电极朝向第二电极的第一方向上具有第一层厚。第三半导体层设于末端区域，包围第二半导体层，在第一方向上具有比第一层厚长的第二层厚。第四半导体层包围第二及第三半导体层，与第三半导体层分离，且在第一方向上具有比第二层厚短的第三层厚。第五半导体层连接于第二半导体层，在末端区域中连接于第三及第四半导体层。第三及第四半导体层设于第一与第五半导体层之间。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210804971.6在审
发明人： 朝羽俊介;铃木拓马 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式涉及一种半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备半导体部，该半导体部包含：第一导电型的第一半导体层以及设于第一半导体层中的第二导电型的第二半导体层。半导体部包含：第一半导体层与第二半导体部之间的第一界面以及与第一界面交叉的第一半导体层与第二半导体部之间的第二界面。第二半导体层包含层叠于与第一界面正交的方向上的多个部分，第二界面包含第二半导体层的多个部分与第一半导体层之间的界面。第二界面在相对于第一方向倾斜的第二方向上延伸，该第一方向与第一界面正交。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210728707.9在审
发明人：水上诚;铃木拓马;朝羽俊介 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式提供能够提高开关速度的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具有：第一电极；第一导电型的第一半导体层，设置在第一电极上；第二导电型的第二导电型柱，设置在第一半导体层上；第一导电型柱，设置在第一半导体层上，具有：低浓度层，为第一导电型且杂质浓度的平均值比第二导电型柱的杂质浓度的平均值低；和高浓度层，为第一导电型且杂质浓度的平均值比第二导电型柱的杂质浓度的平均值高；第二导电型的第二半导体层，设置在第一导电型柱上；第一导电型的第三半导体层，设置在第二半导体层上；第二电极，与第二导电型柱及第三半导体层连接；第三电极；以及绝缘膜，配置在第二半导体层与第三电极之间。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202210767695.0在审
发明人： 朝羽俊介;田中克久;河野洋志 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具备第一电极、从第一电极分离的第二电极、设于第一电极与第二电极间的半导体部、及控制电极。半导体部含第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二半导体层、第一导电型的第三半导体层、第二导电型的多个第四半导体层及第二导电型的第五半导体层。第一半导体层在第一电极与第二电极间延伸，第二半导体层设于第一半导体层与第二电极间。第三半导体层在第二半导体层与第二电极间局部地设于第二半导体层上。多个第四半导体层设于第一半导体层中在从第一电极朝第二电极的第一方向上延伸，在与第一方向正交的第二方向上排列。第五半导体层局部地设于第一半导体层与第二半导体层间位于在第二方向上相邻的两个第四半导体层间，与相邻的两个第四半导体层连接。控制电极位于多个第四半导体层的各个与第二电极间隔着第一绝缘膜与第二半导体层相向。
半导体装置

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201810160327.3有效
发明人： 朝羽俊介;饭岛良介;中林幸雄;深津茂人;伊藤俊秀 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2018-02-27 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：提供一种特性能够提高的半导体装置的制造方法。根据实施方式，半导体装置的制造方法包括：在包含氧的第一气氛中对第一膜实施500℃以上且900℃以下的第一温度的第一热处理，该第一膜沉积在包含碳化硅的半导体部件上且包含硅及氧。所述制造方法包括：在所述第一热处理之后，在包含氮的第二气氛中对所述第一膜实施1200℃以上且小于1400℃的第二温度的第二热处理。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置、逆变器电路、驱动装置、车辆以及升降机-CN202211074679.X在审
发明人：大桥辉之;河野洋志;朝羽俊介;尾形昂洋 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种浪涌电流耐量提高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备晶体管区域和二极管区域。晶体管区域包含具有与第一面相接的第一部分的n型的第一碳化硅区域、p型的第二碳化硅区域、n型的第三碳化硅区域、与第一部分、第二碳化硅区域以及第三碳化硅区域相接的第一电极、与第二面相接的第二电极以及栅极电极。二极管区域包含：具有与第一面相接的第二部分的n型的第一碳化硅区域；p型的第四碳化硅区域；与第二部分以及第四碳化硅区域相接的第一电极；以及第二电极。第四碳化硅区域的每单位面积的占有面积大于第二碳化硅区域的每单位面积的占有面积。另外，第一二极管区域设置在第一晶体管区域与第二晶体管区域之间。
半导体装置逆变器电路驱动车辆以及升降机

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210012391.3在审
发明人： 朝羽俊介;水上诚 -专利权人：东芝电子元件及存储装置株式会社;株式会社东芝
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明的实施方式主要涉及半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备：含有钛(Ti)的电极、碳化硅层、第一区域和第二区域，所述第一区域设置于碳化硅层与电极之间，且含有硅(Si)及氧(O)，厚度为2nm～10nm，所述第二区域设置于第一区域与电极之间，且含有钛(Ti)及硅(Si)。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202210019639.9在审
发明人： 朝羽俊介;河野洋志;水上诚 -专利权人：东芝电子元件及存储装置株式会社;株式会社东芝
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置具有：包含与具有第1面和第2面的碳化硅层的第1面相接的第1区域的第1导电型的第1碳化硅区域；第1碳化硅区域与第1面之间的第2导电型的第2碳化硅区域；第2碳化硅区域与第1面之间的第2导电型的第3碳化硅区域；第2碳化硅区域与第1面之间的第1导电型的第4碳化硅区域；设置于第1面侧且在第1方向延伸的第1栅极电极；在第1方向延伸的第2栅极电极；包含第1部分和第2部分的第1电极以及设置于碳化硅层的第2面侧的第2电极，第1部分设置于第1面侧并设置于第1栅极电极与第2栅极电极之间，与第3及第4碳化硅区域相接，第2部分设置于第1栅极电极与第2栅极电极之间，设置于第1部分的第1方向，与第1区域相接。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202111611613.5在审
发明人： 朝羽俊介;楠本雄司;田中克久;原雄二郎;水上诚;古川大;河野洋志;永田真统 -专利权人：东芝电子元件及存储装置株式会社;株式会社东芝
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式提供能够降低接触电阻的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备：第一导电型的第一碳化硅区域；第一碳化硅区域之上的第二导电型的第二碳化硅区域；第二碳化硅区域之上的第二导电型的第三碳化硅区域；第三碳化硅区域之上的第一导电型的第四碳化硅区域及第五碳化硅区域；第一电极，包含有在第一方向上位于第四碳化硅区域与第五碳化硅区域之间的第一部分；以及金属硅化物层，设置于第一部分与第三碳化硅区域之间，与第三碳化硅区域相接，在第一方向上设置于第一部分与第四碳化硅区域之间，与第四碳化硅区域相接，在第一方向上设置于第一部分与第五碳化硅区域之间，与第五碳化硅区域相接。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202110651477.6在审
发明人： 朝羽俊介;河野洋志 -专利权人：东芝电子元件及存储装置株式会社;株式会社东芝
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具备：第一电极、第二电极、第一电极与第二电极之间的碳化硅层、在第1方向上延伸的第一栅极电极、第二栅极电极、以及第三栅极电极、以及在与第1方向交叉的第2方向上延伸并连接有第一栅极电极、第二栅极电极以及第三栅极电极的栅极布线，在将第一区域的第一栅极电极与第二栅极电极在第2方向上的间隔设为S1，将比第一区域靠近栅极布线的第二区域的第一栅极电极与第二栅极电极在第2方向上的间隔设为S2，将第一区域的第二栅极电极与第三栅极电极在第2方向上的间隔设为S3，将第二区域的第二栅极电极与第三栅极电极在第2方向上的间隔设为S4的情况下，满足式1、式2及式3。S1＜S3(式1)S1＜S2(式2)S3＞S4(式3)。
半导体装置

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