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[发明专利]一种快速链式退火设备-CN202310893673.3在审
发明人：刘奇尧;陆凡 -专利权人：江苏杰太光电技术有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供了一种快速链式退火设备，用于对硅片进行退火处理，包括前过渡区、升温区、恒温区、降温区、后过渡区、传输轴，所述传输轴延水平方向依次穿过上述各区，硅片在所述传输轴上依次经过上述各区以完成退火处理。所述恒温区内底部设置有第二加热装置，顶部设置有光源装置，所述第二加热装置对硅片进行加热，所述光源装置对硅片提供光照以使硅片进一步升温，所述光源装置下方设置有单向透光隔热材料层，用于减少所述恒温区内的光反射以保持温度稳定。采用上述技术方案后，能够结合使用加热装置与光源装置使硅片快速升温，减少高温工艺时间对硅片的负面影响，并减少恒温区的光反射以保持温度稳定。
一种快速链式退火设备

[发明专利]晶圆处理方法和制造半导体器件的方法-CN202110793117.X有效
发明人：孙璐 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶圆处理方法和制造半导体器件的方法。该晶圆处理方法包括：在晶圆的边缘或附件设置具有至少一个通孔的保护件，该至少一个通孔至少与晶圆的边缘部分对应；利用加热设备辐射的热量对晶圆进行热处理，其中所述热量中的一部分穿过至少一个通孔对晶圆的边缘部分进行加热，所述热量中的另一部分直接对晶圆的除边缘部分之外的其余部分加热。根据本申请的晶圆处理方法，可以通过保护件调节晶圆边缘部分接收到的热量，从而调节应力，调节晶圆的中心/中部/边缘区域的弯曲，从而平衡整片晶圆的弯曲，也有益于后续的处理工艺，减小晶圆边缘产生裂纹的可能性，提高晶圆的良率。
处理方法制造半导体器件

[发明专利]一种AlScN薄膜的处理方法、改性AlScN薄膜及氮化物铁电体-CN202310834469.4在审
发明人：刘明睿;孙晓娟;黎大兵;贲建伟;蒋科;吕顺鹏;臧行;贾玉萍 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本申请提供的AlScN薄膜的处理方法、改性AlScN薄膜及氮化物铁电体，在氮气氛围下，对AlScN薄膜进行热退火处理，通过在氮气氛围下的热退火处理后的AlScN薄膜结晶质量有所提升，漏电流相比于退火之前降低了4个数量级，铁电性能得到明显增强。该方法退火温度低、操作流程简单，具有广阔应用前景，对基于AlScN的半导体器件性能提升及大规模应用具有重要意义。
一种 alscn 薄膜处理方法改性氮化物铁电体

[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置-CN202210816846.7在审
发明人：李承哲;唐树澍;庄智强 -专利权人：强茂股份有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，提供一种半导体装置的制造方法及半导体装置，其中，半导体装置的制造方法包括：提供半导体基板，半导体基板具有前侧及背侧；在背侧内形成收集层；对背侧执行第一氢离子植入制程以形成N型区，且以第一退火温度烘烤N型区以形成场截止缓冲层；对背侧执行第二氢离子植入制程以形成寿命控制区域，且以第二退火温度烘烤寿命控制区域以形成缺陷层，其中，第二退火温度低于第一退火温度；以及在背侧形成金属层。该方案不仅可以增加半导体装置切换性能的可控性，还可以使半导体装置具有更快的切换速度，并且可以降低半导体装置的制造成本及制程的变异性。
半导体装置制造方法

[发明专利]集成退火系统及其制造集成电路与场效晶体管的方法-CN202310249036.2在审
发明人：陈毅帆;薛森鸿;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本揭露提供一种集成退火系统及其制造集成电路与场效晶体管的方法。制造集成电路(IC)的方法包括以下步骤：提供基板；在基板中形成p型井区；在基板中形成n型井区；在第一温度下进行微波退火；在微波退火之后，在高于第一温度的第二温度下进行补充退火；及在p型井区及n型井区中制造多个场效晶体管(FET)。
集成退火系统及其制造集成电路晶体管方法

[发明专利]半导体纳米线的形成方法-CN201911360925.6有效
发明人：李艳丽;伍强;杨渝书 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体纳米线的形成方法，通过导向自主装工艺、相应的光刻和刻蚀工艺来制备出周期性排列且尺寸均匀的岛状结构，并对所述岛状结构进行退火，以使得所述岛状结构中的催化剂层能催化所述岛状结构中的半导体层形成粗细均匀，排列有序的半导体纳米线。
半导体纳米形成方法

[发明专利]一种半导体辅助元件的制作方法和半导体辅助元件-CN201810930424.6有效
发明人：陈儒 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体辅助元件的制作方法，包括：获取若干个半导体辅助元件，对每一所述半导体辅助元件进行开槽，从而在所述半导体辅助元件的表面上形成若干个特定尺寸的应力释放槽；根据沉积法对所述应力释放槽填充应力释放材料，以使所述应力释放材料填满所述应力释放槽，形成应力释放层；在预设时间内对填充应力释放材料后的所述半导体辅助元件进行退火操作，以使所述应力释放层受热而流变，从而释放所述半导体辅助元件中的内应力；其中，所述退火操作的温度大于600℃。本发明实施例还公开了一种半导体辅助元件。采用本发明实施例，能有效减少辅助元件的内应力。
一种半导体辅助元件制作方法

[发明专利]半导体结构的温度补偿方法及半导体设备-CN202210143062.2在审
发明人：左敏 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体结构的温度补偿方法及半导体设备，涉及半导体技术领域。该半导体结构的温度补偿方法应用于对半导体结构的热处理制程中，其中，温度补偿方法包括：检测半导体结构的背面薄膜参数；获取半导体结构的中心区域的第一温度值；获取半导体结构的边缘区域的第二温度值；根据第一温度值、第二温度值和背面薄膜参数，获得温度补偿值；基于温度补偿值，对边缘区域加热，以进行温度补偿。使用本公开中定义的温度补偿方法，确保半导体结构的边缘区域与中心区域的温度均一性，提高了半导体结构的电性和良率。
半导体结构温度补偿方法半导体设备

[发明专利]处理外延片的方法和装置以及检测外延片的方法-CN202210138588.1在审
发明人：王晓;于源源;温雅楠;汪军 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本申请的实施例提供处理外延片的方法和装置以及检测外延片的方法。该外延片包括衬底和外延层。该方法包括：在第一工艺下，对外延片衬底进行退火达第一时间，以控制该衬底的体微缺陷密度。方法还包括：在第二工艺下，使衬底生长外延层，第二工艺的温度高于第一工艺的温度。此外，处理外延片的另一种方法包括：在第一时间内对该外延片进行退火，退火的温度为第一温度，在第二时间内对该外延片进行退火，退火的温度为高于该第一温度的第二温度，第一温度、第二温度、第一时间和第二时间基于调节函数来确定，该调节函数指示退火的该温度和时间的关联性。利用本申请的实施例，可以调节体微缺陷密度和均匀性。
处理外延方法装置以及检测

[发明专利]用于由微波固化调整聚合物的热膨胀系数(CTE)的方法-CN201780038110.9有效
发明人：欧岳生;王瑞;塔克·丰·孔;王欣 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本文提供固化聚酰亚胺以调整热膨胀系数的方法。一些实施方式中，于基板上固化聚合物层的方法包括：(a)施加可变频率的微波能量至该基板，以将该聚合物层及该基板加热至第一温度；和(b)调整该可变频率的微波能量，以将该聚合物层及该基板的温度增加至第二温度，用以固化该聚合物层。
用于微波固化调整聚合物热膨胀系数 cte 方法

[发明专利]一种半导体器件制程方法、半导体器件及显示面板-CN202010407142.5有效
发明人：王羽培 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种半导体器件制程方法、半导体器件及显示面板，采用了一种能够适用于柔性衬底的低温退火方法。通过在半导体层退火制程中施加磁场，然后在磁场作用下，半导体层中金属原子的磁矩方向发生改变，当与半导体层中氧原子的磁矩方向相同时，金属原子和氧原子之间的吸引力最强，发生键合占据氧空位，从而对退火起到促进作用。在磁场辅助下，利用磁场增强氧化物半导体与氧空位的结合对消除缺陷态的退火起辅助作用，进而实现退火温度的降低，以适用于柔性衬底半导体器件的退火制程。
一种半导体器件方法显示面板

[发明专利]一种改善外延层有效厚度的重掺基板的制备方法-CN202310563181.8在审
发明人：吴泓明;钟佑生;李云鹏;王文博 -专利权人：郑州合晶硅材料有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善外延层有效厚度的重掺基板的制备方法，对所述重掺基板进行热处理；所述热处理包括以下步骤：S1.升温至预热温度：以20～90℃/S速率将所述重掺基板升温至600～670℃，保持5～10s；S2.快速升温：以20～90℃/S速率快速升温至1070～1180℃，然后保持5～20s；S3.快速降温：以20～50℃/S速率快速降温至600～670℃；S4.降温至室温：继续降温至室温。本申请通过对重掺基板采用一种特殊的快速热处理方法，有效的消除了基板内部缺陷对于外延层有效厚度的影响，改善了器件的电性参数，提高了晶棒的利用率，尤其是对于重掺基板的薄外延层产品良率具有显著的提升。
一种改善外延有效厚度重掺基板制备方法

[发明专利]一种硅抛光片的漏源极漏电改善工艺-CN202310457710.6在审
发明人：张帅;梁兴勃;卢飞红;许峰;卢锋;刘建刚 -专利权人：金瑞泓微电子（嘉兴）有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅抛光片的漏源极漏电改善工艺，包括以下步骤：步骤一：第一步高温处理，将硅抛光片放入高温炉内，将温度升高到1100～1250℃的进行热处理，热处理时间为140～160分钟，并确保高温炉内充满氮气和氧气，形成氮气和氧气的混合环境；步骤二：第二步高温处理，将高温炉内温度降低到650～720℃，并保证热处理时间为100～130分钟，停止输送氧气，确保内部为氮气环境；步骤三：第三步高温处理，将高温炉内温度升高至到720～850℃，并保证热处理时间为145～155分钟，确保内部始终为氮气环境；步骤四：保持氮气环境，并等待硅抛光片冷却，之后进行清洗。本发明降低抛光片单晶氧含量，改善使用该抛光片进行芯片制造过程中器件漏源极漏电的问题。
一种抛光漏源极漏电改善工艺

[发明专利]一种磷化铟晶片的退火方法-CN202310543999.3在审
发明人：郑金龙;唐勇;杨小丽;周铁军;马金峰 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供一种磷化铟晶片的退火方法，包括：S1、将磷化铟晶片放入退火炉中，抽真空，充入氮气直至退火炉中的压力为1.0‑1.2Pa；S2、将退火炉缓慢升温至850‑900℃，进行保温；S3、缓慢降温。该退火方法简单容易实现，且安全可靠，所需退火时间短，晶片的亮点数量得到明显控制。
一种磷化晶片退火方法

[发明专利]具有共享外延层的堆叠垂直传输场效应晶体管逻辑门结构-CN202180082200.4在审
发明人：康宗圣;A·拉赫曼;李桃;范淑贞 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：一种半导体结构包括两个或更多个垂直鳍、围绕所述两个或更多个垂直鳍中的给定垂直鳍的底部部分的底部外延层、围绕所述两个或更多个垂直鳍中的所述给定垂直鳍的顶部部分的顶部外延层、围绕所述两个或更多个垂直鳍中的所述给定垂直鳍的中间部分的共享外延层以及接触所述底部外延层和所述顶部外延层的连接层，所述连接层被设置到所述两个或更多个垂直鳍的横向侧。
具有共享外延堆叠垂直传输场效应晶体管逻辑结构

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