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[发明专利]一种光刻胶层的图案化方法及半导体器件的制作方法-CN201710018482.7有效
发明人：易旭东;孙晓雁 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-01-10 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻胶层的图案化方法及半导体器件的制作方法，所述光刻胶层的图案化包括：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底的表面上形成光刻胶层，所述表面能被氧化；获取所述光刻胶层在曝光前的实际等待时间；根据所述实际等待时间确定所述光刻胶层的实际曝光能量；以所确定的实际曝光能量对所述光刻胶层进行曝光，以形成开口或线宽的关键尺寸与设定关键尺寸一致的图案化光刻胶层。该光刻胶层的图案化方法在对光刻胶层进行曝光时，根据光刻胶层曝光前的实际等待时间确定实际曝光能量，以避免由于光刻胶层底部诸如氧化层等的厚度变化导致光刻胶层图案的关键尺寸发生变化。
一种光刻图案方法半导体器件制作方法

[发明专利]一种发光二极管芯片的制备方法-CN201710388630.4有效
发明人：高艳龙;秦双娇;马磊;尹灵峰;王江波 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：包括：在衬底上依次形成N型半导体层、有源层、P型半导体层和透明导电层；铺设第一层光刻胶，并对第一层光刻胶进行曝光和显影，形成第一图形的光刻胶；利用第一图形的光刻胶形成凹槽；去除第一图形的光刻胶；形成钝化层；铺设第二层光刻胶，并对第二层光刻胶进行曝光和第一次显影，形成第二图形的光刻胶，第二层光刻胶为负性光刻胶；利用第二图形的光刻胶形成第一通孔和第二通孔；对第二层光刻胶进行第二次显影，形成第三图形的光刻胶；利用第三图形的光刻胶增大第一通孔的容积；铺设电极材料；去除第二层光刻胶，形成设置P型电极和N型电极。
一种发光二极管芯片制备方法

[发明专利]一种光刻工艺的显影方法-CN201310079009.1在审
发明人：姚树歆 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2013-03-12 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻工艺的显影方法，其包括在半导体晶片上，涂布光刻胶层；曝光并烘焙光刻胶层；向光刻胶层喷洒正性TMAH溶液，以去除被完全曝光的光刻胶层；高温烘焙该正性TMAH溶液，以形成第一图形化光刻胶；再向第一图形化光刻胶喷洒负性TMAH溶液，以去除未被曝光的光刻胶层，以及保留被部分曝光的光刻胶层。因此，通过本发明的方法，先利用正性显影液去除被完全曝光的光刻胶层，并高温烘焙以形成第一图形化光刻胶。然后再利用负性显影液去除未被曝光的光刻胶层以及保留被部分曝光的光刻胶层，以形成第二图形化光刻胶，即形成了更小线宽的光刻图形，进而提高了半导体晶片的工艺精度尤其是线宽尺寸的工艺精度。
一种光刻工艺显影方法

[发明专利]应用于器件隔离的掩膜工艺及器件隔离方法-CN202311047792.3在审
发明人：赵常宁;钟海波;陈骆;伍佑辉;圣文治 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-08-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：该应用于器件隔离的掩膜工艺包括：在外延结构上涂覆第一光刻胶层；在第一光刻胶层上涂覆第二光刻胶层，第一光刻胶层和第二光刻胶层的材料不同；采用掩模板对第一光刻胶层和第二光刻胶层进行曝光处理，以形成曝光区；通过显影液对位于曝光区的第一光刻胶层和第二光刻胶层进行显影处理，以在第一光刻胶层上形成第一窗口，在第二光刻胶层上形成第二窗口，第二窗口在外延结构上的正投影位于第一窗口内。该应用于器件隔离的掩膜工艺能够在离子注入后便于去除光刻胶层。
应用于器件隔离工艺方法

[发明专利]具有减小的线条边缘粗糙度的蚀刻特征-CN201310020624.5无效
发明人： S·M·列扎·萨贾迪;埃里克·A·赫德森 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2006-08-01 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本发明提供一种用于在层中形成具有减小的线条边缘粗化的特征的方法。光刻胶层形成在该层上。图案化该光刻胶层以形成具有光刻胶侧壁的光刻胶特征。通过执行多个循环在该光刻胶特征侧壁上形成厚度小于100nm的侧壁层。每个循环包括在该光刻胶层上沉积层，其中该沉积层的厚度在单层到20nm。特征穿过该光刻胶特征蚀刻入该层。剥除该光刻胶层和侧壁层。
具有减小线条边缘粗糙蚀刻特征

[发明专利]具有减小的线条边缘粗糙度的蚀刻特征-CN200680038623.1无效
发明人： S·M·列扎·萨贾迪;埃里克·A·赫德森 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2006-08-01 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：提供一种用于在层中形成具有减小的线条边缘粗化的特征的方法。光刻胶层形成在该层上。图案化该光刻胶层以形成具有光刻胶侧壁的光刻胶特征。通过执行多个循环在该光刻胶特征侧壁上形成厚度小于100nm的侧壁层。每个循环包括在该光刻胶层上沉积层，其中该沉积层的厚度在单层到20nm。特征穿过该光刻胶特征蚀刻入该层。剥除该光刻胶层和侧壁层。
具有减小线条边缘粗糙蚀刻特征

[发明专利]两次曝光的光刻胶沉积和金属剥离方法-CN201710506489.3在审
发明人：黄寓洋 -专利权人：苏州苏纳光电有限公司
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种两次曝光的光刻胶沉积和金属剥离方法，包括在基片上形成的第一光刻胶层，其厚度大于需要沉积的金属图形的厚度；对所述第一光刻胶层进行第一次光刻曝光，于所述第一光刻胶层内形成第一图形区域；于所述第一光刻胶层上形成第二光刻胶层；对所述第二光刻胶层进行第二次光刻曝光，于所述第二光刻胶层内形成第二图形区域，所述第二图形区域的面积小于第一图形区域的面积；对第一光刻胶层和第二光刻胶层进行显影处理，于第一光刻胶层和第二光刻胶层内形成具有倒角结构的凹槽；在所述基片上沉积形成金属层；剥离处理所述基片，使基片上余留所需的金属图形。
两次曝光光刻沉积金属剥离方法

[实用新型]一种彩色滤光膜-CN202222137208.0有效
发明人：范国振;周文斌;王浩;孙剑;高裕弟 -专利权人：昆山梦显电子科技有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G02B5/23 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种彩色滤光膜，所述彩色滤光膜包括依次层叠设置的基底、第一彩色光刻胶层、第二彩色光刻胶层和第三彩色光刻胶层；所述第一彩色光刻胶层包括第一透明保护胶层和设置于所述第一透明保护胶层内部的第一彩色光刻胶；所述第二彩色光刻胶层包括第二透明保护胶层和设置于所述第二透明保护胶层内部的第二彩色光刻胶；所述第三彩色光刻胶层包括保护胶层和设置于所述保护胶层内部的第三彩色光刻胶。
一种彩色滤光

[发明专利]图形化光刻胶的形成方法-CN201410081194.2在审
发明人：顾以理;夏建慧 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-03-06 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： G03F7/38 文献下载
摘要：一种图形化光刻胶的形成方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成光刻胶层，所述光刻胶层的厚度大于等于1微米；对所述光刻胶层依次进行软烘和曝光；在所述曝光后的光刻胶层表面喷洒润湿剂，优化所述喷洒参数，在所述曝光后的光刻胶层表面形成润湿层；对表面润湿后的光刻胶层进行显影处理，形成图案化的光刻胶层。采用本发明的方法提高了对厚光刻胶的显影均匀性，并使其在不产生泡状缺陷的前提下大幅缩短形成图形化的光刻胶时间，提高生产效率。
图形光刻形成方法

[发明专利]纳米图案的拼接方法、纳米压印板、光栅及制作方法-CN201910032180.4在审
发明人：贺芳;尹东升;顾仁权;何伟;徐胜;吴慧利;李士佩;黎午升;姚琪 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种纳米图案的拼接方法、纳米压印板、光栅及制作方法，属于显示技术领域，纳米图案的拼接方法包括：在形成有第一膜层的衬底基板上形成第一光刻胶层，对第一光刻胶层进行构图，形成对应衬底基板上的待图案化区域的光刻胶去除区和对应衬底基板上的其他区域的光刻胶保留区；减薄第一光刻胶层上的光刻胶保留区中的光刻胶；在衬底基板上形成具有压印图案的压印胶层，压印胶层覆盖光刻胶去除区和与光刻胶去除区邻接的部分光刻胶保留区；以压印图案为掩膜，对光刻胶去除区的第一膜层进行刻蚀，本发明通过减薄第一光刻胶层上的光刻胶，降低了待图案化区域边界处的段差。
纳米图案光刻胶衬底基板光刻胶层拼接光刻胶去除保留区图案化区域光栅第一膜层压印图案压印板压印胶减薄重复执行边界处胶去除邻接段差刻蚀掩膜制作覆盖

[发明专利]一种半导体器件图形化的方法-CN202310042316.6有效
发明人：李海峰;张祥平;林士程;古哲安;徐伟强 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-01-28 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：所述方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成第一光刻胶层；在所述第一光刻胶层上形成第二光刻胶层，且所述第二光刻胶层包含羟基；显影所述第二光刻胶层，形成第二图案化光刻胶层；采用固化剂对所述第二图案化光刻胶层进行固化，所述固化剂包含胺基；以固化后的所述第二图案化光刻胶层为掩膜，刻蚀所述第一光刻胶层，形成第一图案化光刻胶层。
一种半导体器件图形方法

[发明专利]一种低温多晶硅TFT阵列基板的制备方法及其阵列基板-CN201810736189.9在审
发明人：胡重粮 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种低温多晶硅TFT阵列基板的制备方法，所述制备方法包括：对多晶硅层进行处理，形成图案化的有源层；在有源层上形成P型离子掺杂区；在有源层上形成第二光刻胶层，使用半色调掩膜板处理第二光刻胶层，形成光刻胶完全保留区、光刻胶半保留区和光刻胶完全去除区；将位于光刻胶完全去除区的有源层形成N型离子掺杂区；对剩余的第二光刻胶层进行灰化处理，去除位于光刻胶半保留区的光刻胶，对于光刻胶半保留区对应的有源层进行漏极轻掺杂，形成轻掺杂区，剥离剩余光刻胶。有益效果：利用半色调掩膜板控制光刻胶的遮挡区域，更容易控制遮挡区域的关键尺寸及关键尺寸的均一性，防止发生漏电流过大的情况。
光刻胶源层保留区光刻胶层制备低温多晶硅TFT 半色调掩膜板遮挡区域阵列基板去除区漏电多晶硅层灰化处理轻掺杂区均一性控制光轻掺杂剩余光图案化漏极去除剥离

[发明专利]阵列基板的制作方法-CN201510696367.6在审
发明人：杨丽娟 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司
申请日： 2015-10-23 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：所述制作方法包括：形成第一金属层；在第一金属层上形成第一光刻胶图形；在第一金属层上形成第二光刻胶图形，第二光刻胶图形与第一光刻胶图形至少部分交错；在第一光刻胶图形和第二光刻胶图形的保护下，对第一金属层进行刻蚀本发明通过分别在第一金属层上形成第一光刻胶图形和第二光刻胶图形，第二光刻胶图形与第一光刻胶图形至少部分交错，分别形成的第一光刻胶图形和第二光刻胶图形比一次形成的光刻胶图形的图形密度低，采用同样的曝光设备，形成的第一光刻胶图形和第二光刻胶图形的图形质量较好，避免了形成的布线区引线短路或断路。
阵列制作方法

[发明专利]改善在晶圆上旋涂光刻胶中边缘风旋产生的方法-CN202210586026.3在审
发明人：方正;吴长明;冯大贵;姚振海;金乐群;王绪根;杨伟;王宇凡 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供一种改善在晶圆上旋涂光刻胶中边缘风旋产生的方法，提供晶圆和光刻胶旋涂机，利用光刻胶旋涂机在晶圆表面形成光刻胶层；利用光刻胶旋涂机以第一转速旋涂光刻胶层，用以减薄光刻胶层；降低光刻胶旋涂机的转速至第二转速，之后旋涂光刻胶层至设定的厚度。本发明的方法消除了晶圆旋涂光刻胶时产生的风旋，提升了光刻胶膜厚均匀性；减少机台因为光刻胶膜厚异常而导致的宕机，提高了产量。
改善晶圆上旋涂光刻边缘产生方法

[发明专利]使用EUV光和电场形成光刻胶图案的方法和装置-CN202110980918.7在审
发明人：奇扶根 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请公开了使用EUV光和电场形成光刻胶图案的方法和装置。提供了用于形成光刻胶图案的方法和装置。在用于形成光刻胶图案的方法中，在基层上形成光刻胶层；沿所述光刻胶层的厚度方向对所述光刻胶层施加电场；以及在施加所述电场期间用极紫外(EUV)光对所述光刻胶层的部分进行曝光。一种用于执行形成光刻胶图案的方法的光刻装置可以至少包括曝光部和电场形成部。该曝光部可以被配置为用极紫外(EUV)光对光刻胶层的一部分进行曝光。该电场形成部被配置为对光刻胶层施加电场。
使用 euv 光和电场形成光刻图案方法装置