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[发明专利]源漏电极的制备方法、阵列基板的制备方法和显示机构-CN202010732030.7在审
发明人：夏玉明;卓恩宗;袁海江 -专利权人：北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：该源漏电极的制备方法包括如下步骤：在衬底上设置导电层；在导电层远离衬底的一侧形成光刻胶层；对光刻胶层进行曝光处理，再经显影而在光刻胶层上形成贯通光刻胶层的凹槽，形成具有图案的光刻胶层；及在具有图案的光刻胶层上电化学沉积功能材料，然后去除光刻胶层，得到形成有图案层的导电层，得到源漏电极。
漏电制备方法阵列显示机构

[发明专利]数据线的制备方法、阵列基板的制备方法和显示机构-CN202010733058.2在审
发明人：夏玉明;卓恩宗;叶利丹 -专利权人：北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：该数据线的制备方法包括如下步骤：在衬底上设置导电层；在导电层远离衬底的一侧形成光刻胶层；对光刻胶层进行曝光处理，再经显影而在光刻胶层上形成贯通光刻胶层的凹槽，形成具有图案的光刻胶层；及在具有图案的光刻胶层上电化学沉积功能材料，然后去除光刻胶层，得到形成有图案层的导电层，得到数据线。
数据线制备方法阵列显示机构

[发明专利]栅极单元及其制备方法、阵列基板的制备方法、显示机构-CN202010733059.7有效
发明人：夏玉明;卓恩宗;唐崇伟 -专利权人：北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：该栅极单元的制备方法包括如下步骤：在衬底上设置导电层；在导电层远离衬底的一侧形成光刻胶层；对光刻胶层进行曝光处理，再经显影而在光刻胶层上形成贯通光刻胶层的凹槽，形成具有图案的光刻胶层；及在具有图案的光刻胶层上电化学沉积功能材料，然后去除光刻胶层，得到形成有图案层的导电层，得到栅极单元。
栅极单元及其制备方法阵列显示机构

[发明专利]采用193nm沉浸式光刻的定向自组装方法以及由此形成的分层结构-CN201080057273.X有效
发明人： J·程;W·辛斯伯格;G·M·沃尔拉夫;H·特隆;L·K·森德伯格;伊藤洋;D·P·桑德斯;H-C·金;Y-H·纳 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2010-11-26 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种用于形成包括自组装材料的畴图案的分层结构的方法，包括：在衬底上布置包括非交联光刻胶的光刻胶层；可选地烘焙光刻胶层；将光刻胶层图案式曝光于第一辐射；可选地烘焙已曝光光刻胶层；以及采用非碱性显影剂来显影已曝光光刻胶层以形成包括未交联已显影光刻胶的负性图案化光刻胶层；其中，已显影光刻胶不可溶于适用于浇铸能够自组装的给定材料的给定有机溶剂，并且已显影光刻胶可溶于含水碱性显影剂和/或第二有机溶剂。在图案化光刻胶层上浇铸包括溶解在给定有机溶剂中的能够自组装的给定材料的溶液，并且去除给定有机溶剂。
采用 193 nm 沉浸光刻定向组装方法以及由此形成分层结构

[发明专利]光刻胶的去除方法-CN201310630246.2无效
发明人：高慧慧;秦伟;杨渝书 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻胶的去除方法，其包括提供一半导体结构，其上具有经离子注入后的光刻胶层；在100℃以下的条件下，用O2和N2/H2通过高射频灰化光刻胶层的表面；在200-500℃的条件下，用O2通过高射频灰化剩下的光刻胶层本发明先在较低的温度下，去除光刻胶外部硬壳，较低的温度可以防止光刻胶升温过高、内部膨胀造成层多晶硅的倒塌；再在较高的温度下，将剩下的光刻胶去除，较高的温度可以提高光刻胶去除的速度和能力。本发明有效解决了光刻胶去除时造成的层多晶硅倒塌现象，兼具高效和光刻胶无残留的技术效果。
光刻去除方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201310439583.3在审
发明人：王冬江;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，在曝光显影形成具有开口的光刻胶层后，在所述光刻胶层的开口侧壁形成侧墙。后续以所述光刻胶层为掩膜对硬掩膜薄膜进行刻蚀时，由于光刻胶层的开口侧壁具有侧墙，刻蚀气体不会刻蚀靠近开口位置的光刻胶层，使得所述光刻胶层开口的尺寸不会受到器件密度不均的影响而发生变化，且光刻胶层开口的侧壁形貌不会发生变化
半导体结构形成方法

[发明专利]微纳米结构组件制造方法、以及以该法制造的微纳米结构组件-CN201911056423.4在审
发明人：林育菁 -专利权人：歌尔股份有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：提供滤膜包括：将基板(108)覆以滤膜材料层(107)，在滤膜材料层上再覆以光刻胶层(106)；对基板(108)加热以软化光刻胶层；用模具对基板(108)加压，模具由叠合的图案层(104)和背层(102)组成，背层受到加压以使得图案层接触光刻胶层；在持续用模具对光刻胶层加压的同时冷却光刻胶层以使其固化，在光刻胶层上形成与图案层相符的图案；移除模具；通过干蚀刻移除在图案上残留的光刻胶；以光刻胶层为掩模，对滤膜材料层(107)进行干蚀刻或湿蚀刻以将光刻胶层的图案转移到滤膜材料层上。
光刻胶层滤膜材料滤膜模具图案层加压对基板干蚀刻背层移除开口微纳米结构图案图案转移光刻胶刻胶层湿蚀刻叠合感测固化基板加热软化掩模冷却相符残留覆盖制造

[发明专利]去除光刻胶层的方法-CN201110216810.7无效
发明人：刘焕新;何永根 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：一种去除光刻胶层的方法，包括：提供包含硅原子的基底；所述基底表面形成有光刻胶层，所述光刻胶层内至少包括掺杂离子和硅原子；采用湿法刻蚀工艺去除所述光刻胶层，所述湿法刻蚀工艺采用的化学试剂至少包括去除掺杂离子的第一试剂本发明实施例的去除光刻胶层的方法简单有效，光刻胶层去除的彻底。
去除光刻方法

[发明专利]评估显影能力的方法-CN200610148811.1无效
发明人：郁志芳;章磊;余云初;王跃刚 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-28 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：一种评估显影能力的方法，包括下列步骤：在控片上形成光刻胶层；测量光刻胶层得到第一厚度；对光刻胶层进行显影；测量显影后光刻胶层得到第二厚度；将光刻胶层的第一厚度减去第二厚度，获得光刻胶层的厚度差，厚度差越大显影能力越强
评估显影能力方法

[发明专利]双重图形化方法-CN201010619444.5无效
发明人：袁伟 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种双重图形化方法，包括：自下而上依次在衬底上沉积图形层和旋涂第一光刻胶层；利用第一层光刻图形版光刻第一光刻胶层，并以光刻后的第一光刻胶层为掩膜刻蚀图形层；去除第一光刻胶层，在图形层的表面和图形层刻蚀形成的图形间隙内沉积硬掩膜层；对硬掩膜层的表面进行平坦化处理；在硬掩膜层的平坦表面沉积第二光刻胶层；利用第二层光刻图形版光刻第二光刻胶层、以光刻后的第二光刻胶层为掩膜刻蚀硬掩膜层和图形层；去除第二光刻胶层和硬掩膜层。本发明的双重图形化方法增加了第二层光刻工艺所在表面的平整度，进而增加了第二层光刻工艺的工艺窗口，提高了第二层光刻形貌控制能力和刻蚀工艺窗口。
双重图形方法

[发明专利]一种混合线条的制造方法-CN201110459836.4无效
发明人：唐波;闫江 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种混合线条的制造方法，包括：在底层上依次形成材料层和硬掩模层；在所述掩模层上依次形成第一光刻胶层、抗反射层以及第二光刻胶层；使用光学曝光对所述第二光刻胶层曝光并进行显影，形成第一光刻胶图形，并以所述第一光刻胶图形为掩模，对所述抗反射层进行刻蚀，以暴露所述第一光刻胶层；使用电子束曝光对所述第一光刻胶层曝光并进行显影，形成第二光刻胶图形，并以所述第一光刻胶图形和所述第二光刻胶图形为掩模，对所述掩模层刻蚀形成第一硬掩模图形和第二硬掩模图形；以所述第一硬掩模图形和第二硬掩模图形为掩模，刻蚀所述材料层，形成第一线条和第二线条。
一种混合线条制造方法

[发明专利]一种具有双重光路隔离的微透镜阵列及其制备方法-CN202110399549.2有效
发明人：杨斌;翟玥琦;路礼军;刘景全 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有双重光路隔离的微透镜阵列及其制备方法，包括：第一层负性光刻胶的上表面形成若干呈阵列式排布的微型复眼透镜；设置于第一层负性光刻胶下表面上作为隔离层的Parylene薄膜；设置于Parylene薄膜下表面的黑色光刻胶层，黑色光刻胶层形成隔离阵列，且隔离阵列位于相邻两个微型复眼透镜之间，用以阻挡相邻光路之间串扰；设置于黑色光刻胶层外表面的第二层负性光刻胶第二层负性光刻胶作为基底；且第二层负性光刻胶填充于隔离阵列之间缝隙中，并覆盖于黑色光刻胶层表面上。本发明利用微纳加工制备具有阻挡相邻光路之间串扰问题的黑色光刻胶层和自身具有自书写能力的负性光刻胶，通过对入射光进行双重隔离从而实现高分辨率成像的性能。
一种具有双重隔离透镜阵列及其制备方法

[发明专利]阵列基板的制作方法-CN201310542331.3有效
发明人：张立;闫梁臣;刘凤娟 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-11-05 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板的制作方法，涉及显示技术领域，简化了绝缘层通孔的制作过程。该阵列基板的制作方法，包括：在基板上沉积金属层；在基板上涂布光刻胶；对金属层刻蚀区域的光刻胶进行完全曝光并显影，使金属层刻蚀区域的光刻胶被去除，绝缘层通孔区域为不进行曝光的区域，对绝缘层通孔区域之外的光刻胶进行半曝光并显影，使绝缘层通孔区域之外的光刻胶厚度变薄；对金属层刻蚀区域的金属层进行刻蚀；对金属层刻蚀区域之外的光刻胶进行灰化，使金属层刻蚀区域和绝缘层通孔区域之外的光刻胶被去除，使绝缘层通孔区域的光刻胶厚度变薄；沉积绝缘层；剥离绝缘层通孔区域的光刻胶，形成绝缘层通孔。
阵列制作方法

[发明专利]光刻方法-CN201510629794.2在审
发明人：李健;胡骏 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种光刻方法，包括步骤在晶圆的待刻蚀层表面涂覆第一厚度的光刻胶；对涂覆有光刻胶的晶圆进行烘烤；烘烤后将光刻胶的表层去除，剩余第二厚度的光刻胶；去除后对剩余的光刻胶进行曝光显影，形成图形化的光刻胶；在所述图形化的光刻胶的保护下对所述待刻蚀层进行刻蚀。本发明使光刻胶内的有机分子充分键合，提高了抗刻蚀能力，光刻胶较为致密且均匀，具有更强的抗刻蚀能力，从而有效增加刻蚀后光刻胶的剩余量，防止刻蚀步骤对待刻蚀层的损伤，提高了器件的电学性能以及良率的稳定性。
光刻方法

[发明专利]柔性光刻胶软模板及其制备方法-CN201910160336.7在审
发明人：狄增峰;韩晓雯;高敏;王雅澜;吴宇峰;胡涛 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： G03F1/68 文献下载
摘要：本发明提供一种柔性光刻胶软模板及其制备方法，制备方法包括：1)提供牺牲衬底，在牺牲衬底上形成光刻胶材料层；2)对光刻胶材料层进行图形化曝光处理及显影处理，以在牺牲衬底上形成光刻胶图形层；3)采用腐蚀液去除牺牲衬底，以获得柔性光刻胶软模板；4)提供目标衬底，将柔性光刻胶软模板转移到目标衬底上。本发明可以制备出纳米尺度的柔性光刻胶软模板，可大大提高模板精度，本发明的柔性光刻胶软模板精度与光刻精度相同。本发明将制备好的柔性光刻胶软模板转移至目标衬底，不会造成目标衬底上光刻胶残留，保证了目标衬底的洁净度。
衬底光刻胶软模板制备光刻胶材料层光刻胶图形层图形化曝光刻胶材料纳米尺度显影处理腐蚀液胶残留洁净度上光光刻去除保证

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