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[发明专利]一种半导体器件图形化的方法-CN202310042316.6有效
发明人：李海峰;张祥平;林士程;古哲安;徐伟强 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-01-28 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体器件图形化的方法，属于半导体技术领域。所述方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成第一光刻胶层；在所述第一光刻胶层上形成第二光刻胶层，且所述第二光刻胶层包含羟基；显影所述第二光刻胶层，形成第二图案化光刻胶层；采用固化剂对所述第二图案化光刻胶层进行固化，所述固化剂包含胺基；以固化后的所述第二图案化光刻胶层为掩膜，刻蚀所述第一光刻胶层，形成第一图案化光刻胶层。通过本发明提出一种半导体器件图形化的方法，能够在半导体器件上获得高分辨率的图形。
一种半导体器件图形方法

[发明专利]套刻精度获取方法以及校正方法-CN202310023463.9有效
发明人：李海峰;张祥平;林士程;古哲安;沈俊明 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种套刻精度获取方法以及校正方法，通过目标层和中间层的标记信号获取所述中间层与所述目标层之间的第一套刻精度，并且，通过所述中间层在所述当层留下的标记轮廓，获取所述当层与所述中间层之间的第二套刻精度，以所述中间层为中介分别得到了与所述中间层相关的第一套刻精度和第二套刻精度，接着便可根据所述第一套刻精度和第二套刻精度计算得到所述当层和所述目标层之间的模拟套刻精度。
精度获取方法以及校正

[实用新型]一种半导体自动搬运装置-CN202320114710.1有效
发明人：李海峰;张祥平;林士程;古哲安;王恒 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体自动搬运装置，包括：至少两条导轨，形成输送通道；多个通电线圈，安装于至少两条导轨上；磁性元件，布置于至少两条导轨之间，磁性元件与多个通电线圈磁性配合；连接座，与磁性元件连接；晶圆传送盒，安装于连接座上，晶圆传送盒用于装载晶圆；其中，在每一条导轨上，多个通电线圈形成的磁场方向相同。本实用新型具有传输速度快，传输稳定的优点。
一种半导体自动搬运装置

[发明专利]半导体结构的制备方法-CN202211621183.X有效
发明人：张祥平;林士程;古哲安;李海峰 -专利权人：合肥新晶集成电路有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体结构的制备方法，包括：提供基底，且于所述基底上形成金属层；于所述金属层上形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光、显影，以于所述光刻胶层内形成凹槽；对形成有凹槽的光刻胶层进行刻蚀，去除凹槽底部光刻胶，形成图形化光刻胶，所述图形化光刻胶具有开口，开口暴露所述金属层；基于所述图形化光刻胶，对金属层进行刻蚀，以形成金属垫。在光刻胶层内形成凹槽使得凹槽底部的光刻胶被保留，此时，被保留的光刻胶可以有效保护金属层不与显影液反应，进而保护金属垫不产生杂质残渣。因此，本实施例中的半导体结构可以改善光电二极管的响应时间，从而提高图像传感器工艺的良率，改善器件的性能。
半导体结构制备方法

[发明专利]晶圆涂胶方法-CN202310200923.0在审
发明人：张祥平;林士程;古哲安;李海峰 -专利权人：合肥新晶集成电路有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本申请涉及一种晶圆涂胶方法，该方法包括：将晶圆放置于反应腔内；对晶圆进行至少两个阶段的喷胶；其中，奇数个阶段中，晶圆的转速为第一转速，反应腔的排气压力第一压力；偶数个阶段中，晶圆的转速为第二转速，反应腔的排气压力为第二压力；第一转速大于第二转速，第一压力大于第二压力。在晶圆涂胶过程中，通过设置相邻两个阶段晶圆的转速和反应腔的排气压力不同，能够在相邻的两个阶段分别将光刻胶累积在晶圆的中心处和边缘处，保证晶圆中心处和边缘处都能均匀涂覆上光刻胶，从而改善晶圆表面的光刻胶的均匀性，并且无需增加RRC的用量，因此不会增加生产成本。
涂胶方法

[发明专利]目标结构晶圆获取方法、装置、设备及存储介质-CN202210991828.2有效
发明人：李海峰;张祥平;古哲安;林士程;吴建宏 -专利权人：合肥新晶集成电路有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种目标结构晶圆获取方法、装置、设备及存储介质，目标结构晶圆获取方法包括：获取初始结构晶圆的初始特征参数，初始特征参数包括底部抗反射涂层的厚度及折射率；根据初始特征参数生成底部抗反射涂层的初始厚度反射率变化曲线；调整初始厚度反射率变化曲线，得到波形参数位于对应阈值范围的目标反射率变化曲线；根据目标反射率变化曲线确定目标结构晶圆的底部抗反射涂层的目标厚度值及目标结构晶圆的目标特征参数。本发明提供的目标结构晶圆减少了结构晶圆的制作时间和制作成本，并能够对半导体产品快速进行窗口验证，加快了半导体产品光刻工艺的进程并提高了制作半导体产品的效率。
目标结构获取方法装置设备存储介质

[发明专利]对准标记的制作方法及晶圆键合方法-CN202210677258.X有效
发明人：张祥平;李海峰;古哲安;林士程 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G03F1/42 文献下载
摘要：本发明提供一种对准标记的制作方法及晶圆键合方法，包括提供标准掩模版，在所述标准掩模版上形成有对准标记图案；计算待标记的所述晶圆的曝光区域与所述标准掩模版的曝光区域的差值，并根据所述差值调整曝光机台的曝光参数；根据所述曝光参数将所述标准掩模版上的对准标记图案分别转移至具有不同曝光区域的所述晶圆。本发明通过一个标准掩模版即可在不同尺寸的晶圆上制作对准标记，节省掩模版成本。进一步的，在晶圆键合过程中，可以使用同一掩模版对不同的承载晶圆制作对准标记以匹配器件晶圆，满足不同产品的键合需求，针对每个需要承载晶圆键合的产品都能节省一块掩模版，具有实际效益。
对准标记制作方法晶圆键合方法

[实用新型]晶圆背面自清洁装置及光刻机-CN202220462327.0有效
发明人：李海峰;张祥平;古哲安;沈俊明 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： B08B5/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶圆背面自清洁装置及光刻机，应用于集成电路器件的清洗工艺技术领域。具体的，在本实用新型提供了一种晶圆背面自清洁装置，针对实际应用中，采用物理刷洗或喷洒清洗液等湿法清洗方法导致耗费清洗剂、清洁成本高以及清洁周期长的问题，本实用新型提供的晶圆背面自清洁装置可以在不改变现有曝光机台结构且不影响现有光刻机正常运转的基础上，提出一种利用气体作为清洁介质且利用后的清洁介质可循环使用的自清洁装置。由于本实用新型提供的自清洁装置可以重复多次回收清洁后的污染清洁介质，并将污染清洁介质经过滤净化后在作为新的清洁介质，从而实现降低清洁成本的目的。
背面清洁装置光刻

[实用新型]半导体加热、显影装置-CN202220527027.6有效
发明人：李海峰;张祥平;古哲安;沈俊明 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体加热、显影装置，针对现有技术中用于烘烤工艺的烘烤装置与用于显影的显影装置是相互独立，而造成的在烘烤工艺不断产生多余热量浪费的情况下，还需要设置其他加热装置对显影液进行加热，引起的光刻设备制造成本高的问题，本实用新型提供了一种新型的烘烤单元和显影单元相互连通的半导体加热、显影装置，从而可以通过二者之间的连接管路将烘烤单元在对基片进行烘烤时所产生的多余热量传输至显影单元，并利用该显影单元中独特设计的加热槽的保温作用，来调节存储在显影单元中的缓冲凹槽中的显影液温度，进而在显影单元无需单独设置加热装置的情况下，依然可以对显影液进行升温处理，节约了光刻设备的制造成本。
半导体加热显影装置

[发明专利]一种光阻缺陷的验证方法-CN202210511456.9在审
发明人：王恒;古哲安;林士程 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提出一种光阻缺陷的验证方法，属于半导体技术领域。所述光阻缺陷的验证方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成多个光阻柱；在所述光阻柱上形成光阻层；以及检测所述光阻层是否存在缺陷；若不存在缺陷，则保存所述光阻层形成的参数；若存在缺陷，则修正所述光阻层的形成条件，直至形成表面形貌良好的所述光阻层。通过本发明提出的光阻缺陷的验证方法，能够提高生产效率。
一种缺陷验证方法

[发明专利]光刻效率调节方法、装置、服务器及计算机可读存储介质-CN201811540028.9有效
发明人：张党柱;赖政聪;古哲安 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻效率调节方法、装置、服务器及计算机可读存储介质，方法包括获取包括聚焦深度的第一范围及曝光剂量的第一范围的第一工艺窗口；选择参考聚焦深度，获取与参考聚焦深度相对应的参考透镜数值孔径；选择包括聚焦深度的第二范围及曝光剂量的第二范围的第二工艺窗口，曝光剂量的第二范围与曝光剂量的第一范围相同，且聚焦深度的第二范围的下限小于参考聚焦深度；在聚焦深度的第二范围内，选择工作聚焦深度，获取与工作聚焦深度相对应的工作透镜数值孔径，且工作透镜数值孔径大于参考透镜数值孔径。本发明可减小曝光时间，提高光刻效率、增加光刻机的产能、降低生产成本。
光刻效率调节方法装置服务器计算机可读存储介质

[发明专利]套刻精度的量测方法-CN202110222691.X在审
发明人：张祥平;古哲安;林士程;王恒;徐伟强 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种套刻精度的量测方法，包括提供衬底，衬底上依次形成有层间介质层和金属层，然后刻蚀所述金属层以完全暴露出层间介质层中的前层标记图形，接着在金属层上形成当层标记图形，所述当层标记图形暴露出所述当层标记图形，然后进行套刻精度的量测。本发明通过刻蚀工艺将前层标记图形所在区域的金属层打开，解决了小尺寸套刻标记无法侦测或大尺寸套刻标记由于金属层应力不对称造成的量测不准的问题，提高了金属层套刻量测精度，减少量测不准造成的产品报废风险。
精度方法

[发明专利]热板结构-CN201810289841.7有效
发明人：张党柱;郭甜;赵鹏;赖政聪;古哲安 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种热板结构，包括：热腔体，热腔体由底板、侧板以及加热顶板围成，热腔体内填充有液体传热介质；加热装置，用于对液体传热介质进行加热，藉由液体传热介质对加热顶板进行传热，以提高加热顶板的受热均匀性；以及顶板温度探测器，设置于加热顶板中，用以监测加热顶板的温度并反馈至控制器，控制器基于温度控制加热装置的发热功率。本发明通过在热板中间设计一个热腔体，热腔体充满液体传热介质，在该热腔体中设置加热线圈与温度控制器，通过线圈对液体传热介质加热后间接传热至加热顶板，可以使加热顶板的温度更加均匀，提高控制精度，使晶圆上的图形线宽更加均匀，提高工艺良率。
板结

[实用新型]光阻供液系统-CN201921074380.8有效
发明人：杨柯;朱成云;古哲安;黄志凯 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种光阻供液系统，所述光阻供液系统包括冷藏槽、解冻槽、第一计时器、第二计时器、光阻泵、暂存槽和单向阀。所述光阻供液系统中，第一计时器计量同一生产批次的光阻在所述冷藏槽内的放置时间，第二计时器计量解冻后的光阻在所述解冻槽内的放置时间，可以降低人工记录卡控保质期和解冻时间导致的差错，并节约人工工时；利用所述光阻供液系统对光刻机台供液，可防止人工运输过程中光阻对人体的伤害并降低光阻瓶破损的可能性，同时节省搬运和更换光阻瓶的人力；所述光阻供液系统中的暂存槽，可以在冷藏槽和解冻槽进行加液或者清洗时，仍然维持向光刻设备供液的状态，使得光阻供液时光刻机台不用停机，有利于增加光刻机台的产出。
光阻供液系统计时器机台解冻槽冷藏槽供液光阻瓶暂存槽解冻记录卡计量本实用新型光刻设备人工运输保质期单向阀光刻加液停机破损搬运差错清洗节约伤害生产

[实用新型]涂胶单元以及涂胶显影系统-CN201920651509.0有效
发明人：李明欣;朱成云;古哲安;黄志凯;叶日铨 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种涂胶单元以及涂胶显影系统，所述涂胶单元包括工艺箱体、载片台、压力监测装置和通风系统，所述通风系统包括供风系统和排风系统，所述工艺箱体包括开口和排风口，所述工艺箱体内部设有所述压力监测装置。光阻在旋涂的过程中，所述压力监测装置对所述工艺箱体内部的压力进行实时监测，可以及时发现所述工艺箱体内部的压力异常，有助于提高光阻厚度的均匀性。
压力监测装置箱体内部通风系统涂胶单元光阻本实用新型供风系统排风系统实时监测显影系统压力异常均匀性排风口载片台涂胶旋涂开口发现

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