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- [发明专利]曝光方法-CN01137027.0无效
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竹内幸一
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索尼株式会社
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2001-10-19
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2002-05-22
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G03F7/039
- 一种图形形成方法,能在衬底平面中形成有均匀尺寸精度的微细光刻胶图形,而不增大生产成本和不延长生产周期。该方法中,用光刻法在衬底上形成含光酸发生剂的第1光刻胶图形后,衬底上涂敷覆盖第1光刻胶图形的含有与酸反应的交联剂的光刻胶膜。第1光刻胶图形与光刻胶膜之间的界面处发生交联反应,生长交联层,形成交联层和第1光刻胶图形构成的第2光刻胶图形,在衬底上涂光刻胶层之前进行第1光刻胶层的光辐射步骤。
- 曝光方法
- [发明专利]晶圆正面蒸金的方法-CN201711130964.8在审
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王鹏;刘宇;李秀莹
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2017-11-15
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2018-04-06
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H01L21/02
- 本发明提供了一种晶圆正面蒸金的方法，所述晶圆的正面形成有金属区和绝缘区；在所述绝缘区和所述金属区的边缘部分覆盖一层光刻胶层，再在所述光刻胶层和所述剩余的金属区上形成金属层，去除所述光刻胶层和所述光刻胶层上的金属层，本发明提供的晶圆正面蒸金的方法将光刻胶层覆盖所述金属区的边缘部分，将所述金属层覆盖至剩余的金属区和光刻胶层上，所述正面金属的金属材料与所述金属区的粘附力大于所述正面金属与所述光刻胶层的粘附力，利用金属材料在光刻胶层和在金属上的粘附力差别，后续可以轻易的去除所述光刻胶层和所述光刻胶层上的金属层，而不会使正面金属发生剥离或翘起。
- 正面方法
- [发明专利]形成图案化金属层的方法-CN201911295971.2在审
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陈志刚
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中芯集成电路制造（绍兴）有限公司
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2019-12-16
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2020-05-12
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B81C1/00
- 本发明涉及一种形成图案化金属层的方法，包括：提供基板，并在基板上依次形成有机涂层和光刻胶层；图形化光刻胶层；刻蚀有机涂层，使有机涂层相对于光刻胶层形成底切结构；沉积金属材料；去除有机涂层、光刻胶层以及光刻胶层上方的金属材料，形成图案化的金属层。上述形成图案化金属层的方法通过在基板上先形成有机涂层再形成光刻胶层，刻蚀有机涂层使有机涂层相对于光刻胶层形成底切结构，也即有机涂层和光刻胶层之间形成台阶，进而在沉积金属层时由于光刻胶层和有机涂层之间不连续，金属层无法在底切结构底部形成，便于去除光刻胶层上的金属材料，且通过控制对有机涂层的刻蚀过程便于控制金属剥离工艺的窗口大小。
- 形成图案金属方法
- [发明专利]图形化光刻胶层及其制备方法-CN201811140109.X在审
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李天慧;杨瑞鹏;肖德元
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芯恩（青岛）集成电路有限公司
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2018-09-28
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2020-04-07
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G03F7/00
- 本发明提供一种图形化光刻胶层及其制备方法，图形化光刻胶层的制备方法包括如下步骤：1)提供一目标材料层；2)于目标材料层上形成光刻胶层；3)基于一光掩模版对光刻胶层进行第一次曝光，以于光刻胶层内形成第一曝光区域；4)基于光掩模版于失焦及超阈值曝光能量条件下对光刻胶层进行第二次曝光，以于光刻胶层内形成第二曝光区域，第二曝光区域顶部的宽度大于第二曝光区域其他部位的宽度；5)对第二次曝光后的光刻胶层进行显影，以去除第二曝光区域内的光刻胶，从而于光刻胶层内形成若干个图形单元，图形单元的深宽比大于4，且图形单元顶部开口的宽度大于图形单元其他部位的宽度。本发明可以在光刻胶层内形成顶部开口宽度增大的图形单元。
- 图形光刻及其制备方法
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